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Bipolar (BJT) (35082)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | But11 | - - - |  | 3987 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | But11 | 100 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.200 | 400 V | 5 a | 1ma | Npn | 1,5 V @ 600 Ma, 3a | - - - | - - - | |||||
 | ZXTDE4M832TA | - - - | | 3044 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | ZXTDE4M832 | 1W | 8-mlp (3x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 80V, 70 V | 3,5a, 2,5a | 25na | NPN, PNP | 325mv @ 300 mA, 3,5a / 260mv @ 200 Ma, 1,5a | 300 @ 200 mA, 2V / 40 @ 1,5a, 5V | 160 MHz, 180 MHz | ||||
 | 2SC3951E | 0,3600 | | 8494 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 88 | |||||||||||||||||
 | SBCP56-16T3G | 0,4100 | | 13 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | SBCP56 | 1,5 w | SOT-223 (to-261) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 130 MHz | ||||
 | 2SC2411K_R1_00001 | 0,2200 | | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2SC2411K | 225 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-2SC2411K_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 32 v | 500 mA | 1 µA (ICBO) | Npn | 600mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 100 mA, 3V | 250 MHz | |||
 | JANSM2N2369AUB/Tr | 149.5210 | | 9573 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/317 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C. | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 2n2369a | 360 MW | UB | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansm2N2369AUB/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 v | 400na | Npn | 450 mV @ 10 mA, 100 mA | 20 @ 100 mA, 1V | - - - | |||||
| TSC873CT B0G | - - - | | 5899 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 1 w | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | TSC873CTB0G | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 400 V | 1 a | 1ma | Npn | 1v @ 250 mA, 1a | 80 @ 250 mA, 10V | - - - | ||||
 | MCH4021-TL-H | - - - | | 3013 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Flache Leitungen | MCH4021 | 400 MW | 4-mcph | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 17.5db | 8v | 150 Ma | Npn | 60 @ 50 Ma, 5V | 16GHz | 1,2 dB @ 1 GHz | ||||
| SBCP53-10T1G | 0,4200 | | 5 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | SBCP53 | 1,5 w | SOT-223 (to-261) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 1,5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 50 MHz | ||||
 | KSC5402DTTU-FS | 1.0000 | | 4033 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 50 w | To-220-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 450 V | 2 a | 100 µA | Npn | 750 MV @ 200ma, 1a | 6 @ 1a, 1V | 11 MHz | |||||
 | TIP32C | - - - | | 4328 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | TIP32C | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 2 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 476 | 100 v | 3 a | 300 µA | PNP | 1,2 V @ 375 Ma, 3a | 25 @ 1a, 4V | 3MHz | |||||
 | BCX56TF | 0,4000 | | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BCX56 | 500 MW | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 155 MHz | ||||
 | 2SC2314E | 0,1500 | | 170 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||
 | BC858AT | 0,0250 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-BC858Attr | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
 | KSP8599CTA | 0,0200 | | 9617 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 80 v | 500 mA | 100na | PNP | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 100 @ 1ma, 5V | 150 MHz | |||||||
 | BC847BQAZ | - - - | | 9543 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xdfn exponiert Pad | 280 MW | DFN1010D-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||
| 2SC4159E | - - - | | 2612 | 0.00000000 | Sanyo | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-2SC4159E-600057 | 1 | |||||||||||||||||||
| 2SC4641T-AA-SY | 0,0200 | | 24 | 0.00000000 | Sanyo | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||
| BCP54-10-QF | 0,1101 | | 7664 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 650 MW | SOT-223 | - - - | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 180 MHz | |||||||
 | CPH3209-TL-E | 0,1200 | | 11 | 0.00000000 | Sanyo | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 900 MW | 3-cph | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 v | 3 a | 100NA (ICBO) | Npn | 155mv @ 75 mA, 1,5a | 200 @ 500 Ma, 2V | 450 MHz | ||||||||
| NESG2046M33-T3-A | - - - | | 8514 | 0.00000000 | Cel | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, flaches blei | NESG2046 | 130 MW | 3-superminimold (M33) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 9.5db ~ 11.5db | 5v | 40 ma | Npn | 140 @ 2MA, 1V | 18GHz | 0,8 dB ~ 1,5 dB @ 2GHz | |||||
 | FJX1182OTF | - - - | | 1464 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | FJX118 | 150 MW | SOT-323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 70 @ 100 mA, 1V | 200 MHz | |||||
| 2c3765-mscl | 8.4600 | | 8801 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2C3765-MSCL | 1 | ||||||||||||||||||||
 | NSM6056MT1G | 0,4600 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | NSM6056 | 380 MW | SC-74 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 600 mA | - - - | NPN + Zener Diode (Isolier) | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 1V | 250 MHz | ||||
 | FJC2098RTF | - - - | | 2469 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | FJC20 | 500 MW | SOT-89-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 20 v | 5 a | 500NA | Npn | 1v @ 100 mA, 4a | 180 @ 500 mA, 2V | - - - | |||||
 | JantX2N1893S | 27.7172 | | 9692 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/182 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2n1893 | 3 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 500 mA | 10 µA (ICBO) | Npn | 5v @ 15ma, 150 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||
 | BFP640H6327XTSA1 | 0,6100 | | 74 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | BFP640 | 200 MW | Pg-sot343-3d | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12.5db | 4,5 v | 50 ma | Npn | 110 @ 30 mA, 3V | 40 GHz | 0,65 db ~ 1,2 db bei 1,8 GHz ~ 6 GHz | ||||
 | JantX2N3724L | - - - | | 8715 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | To-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | 30 v | 500 mA | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | ||||||||
 | 2SCR293PHZGT100 | 0,7700 | | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2 w | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-2SCR293PHZGT100DKR | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 30 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 350 MV @ 25ma, 500 mA | 270 @ 100 mA, 2V | 320 MHz | ||||
 | PMBT3946YPN, 125 | - - - | | 8939 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PMBT3946 | 350 MW | SOT-363 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 40V | 200 ma | 50na (ICBO) | NPN, PNP | 300mv @ 5 mA, 50 mA / 400 mv @ 5 mA, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz, 250 MHz |
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