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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS93C66A-2grli | - - - |  | 2049 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | 93c66a | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-1051-5 | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 3 MHz | Nicht Flüchtig | 4kbit | Eeprom | 512 x 8, 256 x 16 | Mikrowire | 5 ms | ||
 | NAND02GR3B2DN6E | - - - | | 3618 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | NAND02G | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 48-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | -Nand02gr3b2dn6e | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | 45 ns | Blitz | 256 mx 8 | Parallel | 45ns | ||
 | IS42S16320B-7TL-TR | - - - | | 5583 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16320 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 143 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 32m x 16 | Parallel | - - - | ||
 | W25Q64JVSFIM TR | 0,9468 | | 4046 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | W25Q64 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 3 ms | |||
 | 70V34L15PFG8 | - - - | | 7326 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 70v34 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 750 | Flüchtig | 72 kbit | 15 ns | Sram | 4k x 18 | Parallel | 15ns | |||
| S99-50477 | - - - | | 1532 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 | ||||||||||||||||||
 | STK12C68-PF55 | 53.3300 | | 972 | 0.00000000 | Simtek | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | K. Loch | 28-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | STK12C68 | NVSRAM (NICTFLÜCHTIGES SRAM) | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-Pdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Nicht Flüchtig | 64Kbit | 55 ns | NVSRAM | 8k x 8 | Parallel | 55ns | |||
 | R1LV3216RSD-5SI#B0 | - - - | | 6600 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 52-TFSOP (0,350 ", 8,89 mm Breit) | R1LV3216 | Sram | 2,7 V ~ 3,6 V. | 52-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 230 | Flüchtig | 32Mbit | 55 ns | Sram | 4m x 8, 2m x 16 | Parallel | 55ns | |||
 | R1Q2A7236ABG-50IA1 | 35.5800 | | 315 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||
| 71V016SA10BFG | 6.5500 | | 5662 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-lfbga | 71v016 | SRAM - Asynchron | 3,15 V ~ 3,6 V. | 48-cabga (7x7) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 476 | Flüchtig | 1Mbit | 10 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 10ns | |||
 | MT28EW512ABA1HJS-0AAT | - - - | | 3575 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT28EW512 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | -MT28EW512ABA1HJS-0AAT | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 576 | Nicht Flüchtig | 512mbit | 105 ns | Blitz | 64m x 8, 32m x 16 | Parallel | 60ns | |||
 | S29GL128S10TFI010 | 5.5800 | | 1120 | 0.00000000 | Infineon -technologien | GL-S | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | S29GL128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 91 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 100 ns | Blitz | 8m x 16 | Parallel | 60ns | |||
 | IS43TR16512AL-107MBLI-TR | - - - | | 5090 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-LFBGA | IS43TR16512 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-LFBGA (10x14) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43TR16512AL-107MBLI-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 933 MHz | Flüchtig | 8gbit | 20 ns | Dram | 512 mx 16 | Parallel | 15ns | |
 | 709359L7PF | - - - | | 2694 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 709359L | SRAM - Dual -Port, Synchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 45 | Flüchtig | 144Kbit | 7,5 ns | Sram | 8k x 18 | Parallel | - - - | |||
 | S29GL512T11DHIV23 | 9.3625 | | 8275 | 0.00000000 | Infineon -technologien | GL-t | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | S29GL512 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (9x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.200 | Nicht Flüchtig | 512mbit | 110 ns | Blitz | 64m x 8 | Parallel | 60ns |
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