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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BUK9Y59-60E/GFX | - - - | ![]() | 9584 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BUK9 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.500 | ||||||||||||||||
![]() | RN2313 (TE85L, F) | - - - | ![]() | 4403 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | RN2313 | 100 MW | SC-70 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 120 @ 1ma, 5V | 200 MHz | 47 Kohms | |||||
![]() | BC847BPNH-QF | 0,0305 | ![]() | 1455 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC847 | 220 MW | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | NPN, PNP | 300 mV @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||
PBHV8115T-QR | 0,1351 | ![]() | 3061 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-PBHV8115T-qrtr | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 150 v | 1 a | 100na | Npn | 350 MV @ 200 Ma, 1a | 100 @ 100 mA, 10V | 30 MHz | ||||||
![]() | PN3568 | - - - | ![]() | 2080 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | PN356 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 60 v | 1 a | 50na (ICBO) | Npn | 250mv @ 15ma, 150 mA | 40 @ 150 mA, 1V | - - - | |||||
![]() | BCP5610E6327HTSA1 | - - - | ![]() | 9800 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP56 | 2 w | PG-SOT223-4-10 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 100 MHz | |||||
![]() | 2N6303 | 164.2200 | ![]() | 5059 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 1 w | To-5aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N6303 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 3 a | 1 µA | PNP | 750 MV @ 150 Ma, 1,5a | 35 @ 500 mA, 1V | 60 MHz | ||||||
![]() | BC69-16PASX | 0,0700 | ![]() | 63 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-udfn exponiert pad | 420 MW | DFN2020D-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 20 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 200 Ma, 2a | 85 @ 500 mA, 1V | 140 MHz | ||||||||
![]() | MNSKC2N2907A | 8.5253 | ![]() | 3373 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-mnskc2n2907a | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N4403BU | 0,0400 | ![]() | 309 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,242 | 40 v | 600 mA | - - - | PNP | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 200 MHz | ||||||||
![]() | BC557CG | - - - | ![]() | 4903 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | BC557 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 45 V | 100 ma | 100na | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 320 MHz | |||||
![]() | BCW60B, 215 | 0,0300 | ![]() | 36 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BCW60 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||
Phe13005x, 127 | - - - | ![]() | 8017 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Phe13 | 26 w | To-220f | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 4 a | 100 µA | Npn | 1v @ 1a, 4a | 10 @ 2a, 5V | - - - | ||||||
![]() | BC548C-AP | - - - | ![]() | 6750 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC548 | 625 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 353-BC548C-aptb | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 100 ma | - - - | Npn | 300 mV @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 300 MHz | ||||
![]() | FJP13007TU | - - - | ![]() | 3948 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FJP13007 | 80 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V | 8 a | - - - | Npn | 3v @ 2a, 8a | 5 @ 5a, 5V | 4MHz | ||||
![]() | 2SB1116-K-TP | - - - | ![]() | 6203 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2SB1116 | 350 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 50 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 300 mV @ 50 Ma, 1a | 200 @ 100 Ma, 2V | 70 MHz | |||||
![]() | BCR 112F E6327 | - - - | ![]() | 5287 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-723 | BCR 112 | 250 MW | PG-TSFP-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 5ma, 5V | 140 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||
![]() | 2SD1063R | - - - | ![]() | 9511 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 215 | |||||||||||||||||
![]() | BC327-025G | - - - | ![]() | 2268 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | BC327 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 45 V | 800 mA | 100na | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 1V | 260 MHz | |||||
![]() | 2N5794U | 41.0000 | ![]() | 217 | 0.00000000 | TT Electronics/optek -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-clcc | 2n5794 | 600 MW | 6-clcc | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 30 | 40V | 600 mA | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 900mv @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||
![]() | BD675AS-on | 0,3400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | 40 w | To-126-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 4 a | 500 ähm | NPN - Darlington | 2,8 V @ 40 Ma, 2a | 750 @ 2a, 3v | - - - | |||||
ST93003 | - - - | ![]() | 4657 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Tasche | Veraltet | - - - | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | ST93 | 40 w | SOT-32-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 400 V | 1,5 a | 1ma | PNP | 500 mv @ 100 mA, 500 mA | 16 @ 350 Ma, 5V | - - - | |||||
![]() | BF820,215 | - - - | ![]() | 1747 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BF820 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | 2N6032 | 115.1800 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204ae | 140 w | To-204ae | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 3 | 90 v | 50 a | 10 ma | Npn | 1,3 V @ 5a, 50a | 10 @ 50a, 2,6 V. | ||||||
![]() | BC548_D81Z | - - - | ![]() | 6230 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC548 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||
![]() | 2n329a | 65.1035 | ![]() | 1492 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 2SD1724T | 0,3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||
STFN42 | - - - | ![]() | 3982 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | STFN42 | 1,4 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V | 1 a | 100 µA | Npn | 1,5 V @ 250 mA, 750 mA | 10 @ 400 mA, 5V | - - - | |||||
![]() | 2C5880 | 37.0050 | ![]() | 6524 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2C5880 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | BC640-AP | - - - | ![]() | 1008 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC640 | 830 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 100 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 100 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus