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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N6329 | 124.7939 | ![]() | 8648 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 2N6329 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | JantX2N5154L | 14.8295 | ![]() | 2357 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/544 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2N5154 | 1 w | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | 50 µA | Npn | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 70 @ 2,5a, 5V | - - - | ||||||
![]() | Pumb24,115 | 0,0200 | ![]() | 365 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | Pumb24 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-Pumb24,115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | BCX56,135 | 0,4700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BCX56 | 1,25 w | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 180 MHz | ||||||
![]() | SD1419-06H | - - - | ![]() | 7269 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | BC68PA, 115 | 0,4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Powerudfn | BC68 | 420 MW | 3-Huson (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 200 Ma, 2a | 85 @ 500 mA, 1V | 170 MHz | ||||||
![]() | RN1409, LF | 0,1900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | RN1409 | 200 MW | S-mini | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 70 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | 22 Kohms | ||||||
BCX56-10TX | 0,4000 | ![]() | 113 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BCX56 | 500 MW | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 155 MHz | |||||||
![]() | MMDT4413-7 | 0,4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Mmdt4413 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1034-mmdt4413-7dkr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | Dta114tmfhat2l | 0,0668 | ![]() | 9056 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-723 | Dta114 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | ||||||
![]() | FMBS5551 | - - - | ![]() | 7112 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | Fmbs5 | 700 MW | Supersot ™ -6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 160 v | 600 mA | 50na (ICBO) | Npn | 200mv @ 5ma, 50 mA | 80 @ 10ma, 5V | 300 MHz | |||||||
![]() | CP307-2N5308-CT | - - - | ![]() | 1334 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Tablett | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | 625 MW | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1514-CP307-2N5308-CT | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 v | 300 ma | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,4 V @ 200 UA, 200 Ma | 20000 @ 100ma, 5V | 60 MHz | |||||||
![]() | RN2103CT (TPL3) | - - - | ![]() | 1846 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | RN2103 | 50 MW | CST3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 20 v | 50 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 10ma, 5V | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||||
![]() | NE68819-A | - - - | ![]() | 8791 | 0.00000000 | Cel | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | NE68819 | 125 MW | 3-superminimold (19) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | - - - | 6v | 100 ma | Npn | 80 @ 3ma, 1V | 5GHz | 1,7 dB ~ 2,5 dB @ 2GHz | |||||||
![]() | CTLM3410-M832D BK | - - - | ![]() | 8729 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TDFN Exponierte Pad | CTLM3410 | 1.65W | TLM832d | Herunterladen | 1514-CTLM3410-M832DBK | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 25 v | 1a | 100NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 450 mv @ 100 mA, 1a | 100 @ 500 mA, 1V | 100 MHz | ||||||||
Jan2N3635 | 10.5070 | ![]() | 6674 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N3635 | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 1 a | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | - - - | |||||||
![]() | KSC1623YMTF | - - - | ![]() | 8624 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | KSC1623 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 135 @ 1ma, 6v | 250 MHz | ||||||
![]() | KSA1015GRBU | - - - | ![]() | 8313 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 400 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0095 | 7.820 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 200 @ 2ma, 6v | 80MHz | |||||||||
![]() | MMBTRC104SS-AQ | 0,0371 | ![]() | 2431 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 200 MW | SOT-23 (to-236) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2796 MMBTRC104SS-AQTR | 8541.21.0000 | 3.000 | - - - | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 47kohm | 47kohm | ||||||
![]() | PEMH20,115 | 0,4700 | ![]() | 7252 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | PEMH20 | 300 MW | SOT-666 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 1 µA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 20 Ma, 5V | - - - | 2.2ko | 2.2ko | |||||
Jantxv2N3468 | - - - | ![]() | 9722 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/348 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 1,2 V @ 100 Ma, 1a | 25 @ 500 mA, 1V | - - - | ||||||||||
![]() | BC 850B E6327 | 0,0400 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 330 MW | Pg-SOT23 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 6.836 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 250 MHz | |||||||
![]() | JANSR2N3501UB | 95.2600 | ![]() | 7274 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 500 MW | UB | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 150 v | 300 ma | 10 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 15ma, 150 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||
![]() | 2SC5354, xgq (o | - - - | ![]() | 1637 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Aktiv | 2SC5354 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | |||||||||||||||||||
![]() | IRF121-0001 | 0,7900 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | BC859CMTF | - - - | ![]() | 4743 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC859 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 150 MHz | |||||||
FZT653ta | 0,6800 | ![]() | 238 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT653 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 100 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | 100 @ 500 mA, 2V | 175MHz | |||||||
2pd602asl, 235 | 0,0387 | ![]() | 5477 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2pd602 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 500 mA | 10NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 170 @ 150 mA, 10V | 180 MHz | |||||||
![]() | NSVT3906DXV6T1G | 0,1154 | ![]() | 4920 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | NSVT3906 | 500 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 40V | 200 ma | - - - | 2 PNP (Dual) | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | ||||||
2N2722 | - - - | ![]() | 1244 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2n272 | 600 MW | To-78-6 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 40 ma | - - - | 2 NPN (Dual) | - - - | 50 @ 1 µa, 5 V | 100 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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