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Bipolar (BJT) (35082)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2N5583 | 3.9000 |  | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1W | To-39 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 2383-2N5583 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | - - - | 30V | 500 mA | PNP | 25 @ 100 mA, 2V | 1,3 GHz | - - - | |||||||
 | KSA708OBU | - - - | | 4441 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | KSA708 | 800 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 60 v | 700 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 70 @ 50 Ma, 2V | 50 MHz | |||||||
 | BC847PNB6327XT | - - - | | 7298 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BC847 | 250 MW | Pg-sot363-po | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 30.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | NPN, PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 250 MHz | ||||||
 | BF422-AP | - - - | | 7221 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BF422 | 830 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 353-BF422-AP | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 250 V | 100 ma | 10NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 30 mA | 50 @ 25ma, 20V | 60 MHz | |||||||
 | TIP30B-BP | - - - | | 6667 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP30 | 30 w | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 353-tip30b-Bp | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 80 v | 1 a | 300 µA | PNP | 700 MV @ 125 Ma, 1a | 40 @ 200 Ma, 4V | 3MHz | ||||||
| ABC817-40-HF | 0,3200 | | 1 | 0.00000000 | Comchip -technologie | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | ||||||||
 | UNR5212G0L | - - - | | 6611 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-85 | UNR5212 | 150 MW | Smini3-F2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 10V | 150 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||
 | BFP420H6433 | 0,1800 | | 80 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | 210 MW | PG-SOT343-4-2 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 21db | 4,5 v | 60 mA | Npn | 60 @ 20 Ma, 4V | 25ghz | 1,1 dB @ 1,8GHz | |||||||
 | MMBT6520LT1G | 0,3600 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT6520 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 350 V | 500 mA | 50na (ICBO) | PNP | 1v @ 5 ma, 50 mA | 20 @ 50 Ma, 10 V | 200 MHz | ||||||
 | BFR193FH6327 | 0,0800 | | 99 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-723 | 580 MW | PG-TSFP-3-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 19db | 12V | 80 Ma | Npn | 70 @ 30ma, 8v | 8GHz | 1 db ~ 1,6 db bei 900 MHz ~ 1,8 GHz | |||||||
 | 2N5401-BP | - - - | | 1962 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 2N5401 | 625 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 353-2N5401-BP | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 150 v | 600 mA | 50na (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 60 @ 10ma, 5V | 300 MHz | ||||||
 | CMPTA64 TR PBFREE | 0,5000 | | 2 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | CMPTA64 | 350 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100ma, 5V | 125 MHz | ||||||
 | KSP13TF | - - - | | 8949 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | KSP13 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | 125 MHz | |||||||
 | RN4903FE, LXHF (CT | 0,3800 | | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | RN4903 | 100 MW | Es6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 70 @ 10ma, 5V | 200 MHz, 250 MHz | 22kohm | 22kohm | |||||||
| 2DC4672-13-79 | - - - | | 6076 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 2DC4672 | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-2DC4672-13-79TR | Veraltet | 2.500 | |||||||||||||||||||
 | MMBT918_R1_00001 | 0,2200 | | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT918 | 225 MW | SOT-23 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-MMBT918_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 15 v | 50 ma | Npn | 20 @ 3ma, 1V | 600 MHz | - - - | |||||
 | MJD253-1g | 0,7600 | | 474 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | MJD253 | 1,4 w | I-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 75 | 100 v | 4 a | 100NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 100 mA, 1a | 40 @ 200 Ma, 1V | 40 MHz | ||||||
 | NTE2633 | 2.3300 | | 9196 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | 3W | To-126 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 2368-NTE2633 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | 95 V | 300 ma | Npn | 20 @ 50 Ma, 10 V | 1,2 GHz | - - - | ||||||
 | DTC143ZE-TP | 0,1900 | | 2812 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DTC143 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | ||||||
| Ph1617-2 | 126.0747 | | 1905 | 0.00000000 | Macom Technology Solutions | - - - | Schüttgut | Aktiv | 200 ° C | Chassis -berg | 2L-flg | Ph1617 | 13.5W | - - - | - - - | 1465-Ph1617-2 | 1 | 10 dB | 65 V | 2a | Npn | - - - | 1,7 GHz | - - - | ||||||||||
| 2SB633E | 0,3100 | | 5115 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 2156-2SB633E | 900 | |||||||||||||||||||||||
 | Dta144eca | 0,0260 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta144 | 200 MW | SOT-23 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-DTA144ECATR | Ear99 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VORGEPANNT + DIODE | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | |||||||
 | 2SA1520-TB-E | 0,5300 | | 63 | 0.00000000 | Sanyo | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
 | BFR380TE6327 | 0,0900 | | 158 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | 380 MW | PG-SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12.5db | 9V | 80 Ma | Npn | 60 @ 40 ma, 3v | 14GHz | 1,1 dB @ 1,8GHz | |||||||
 | PEMH24,115 | 0,0400 | | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PEMH2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | |||||||||||||||||||
 | HN3C51F-GR (TE85L, F. | - - - | | 3368 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | HN3C51 | 300 MW | Sm6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 120 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 200 @ 2ma, 6v | 100 MHz | ||||||||
| 2SB1197A_R1_00001 | 0,4400 | | 9 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2SB1197a | 1,25 w | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-2SB1197A_R1_00001TR | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 50 v | 3 a | 100na | PNP | 500mv @ 200 Ma, 2a | 100 @ 1a, 2v | 180 MHz | |||||
 | FZT851qta | 1.3200 | | 30 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT851 | 3 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 6 a | 50na (ICBO) | Npn | 375mv @ 300 mA, 6a | 100 @ 2a, 1V | 130 MHz | ||||||
 | PBSS4160PAN, 115 | 0,1300 | | 22 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-UFDFN exponiert Pad | PBSS4160 | 510 MW | 6-Ehemann (2x2) | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.314 | 60 v | 1a | 100NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 120 mV @ 50 mA, 500 mA | 150 @ 500 mA, 2V | 175MHz | |||||||||
 | BC846S-QX | 0,0522 | | 2172 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC846 | 200 MW | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-BC846S-QXTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 300 mV @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz |
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