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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | KSR1101MTF | 0,0700 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | KSR1101 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||
![]() | BC807-40W/MI135 | 0,0200 | ![]() | 7245 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | |||||||||||||||||
PDTD113ET, 215 | 0,3300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTD113 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 33 @ 50 Ma, 5V | 1 Kohms | 1 Kohms | |||||
BCP5510ta | 0,1000 | ![]() | 8789 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP5510 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | -BCP5510TADICT | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 150 MHz | ||||
![]() | NSBC115EDXV6T1 | - - - | ![]() | 8680 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | NSBC11 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 4.000 | |||||||||||||||||
![]() | TN6717A | 0,1200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | TN6717 | 1 w | To-226-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 80 v | 1.2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 350 MV @ 10 Ma, 250 mA | 50 @ 250 mA, 1V | - - - | ||||
![]() | BC857BW-TP | 0,0355 | ![]() | 2267 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC857 | 150 MW | SOT-323 | Herunterladen | 353-BC857BW-TP | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
![]() | BC817-25W-QF | 0,0269 | ![]() | 3538 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, BC817W-Q | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC817 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | ||||
![]() | TIP131 | - - - | ![]() | 4670 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | K. Loch | To-220-3 | 70 w | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | TIP131CS | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 80 v | 8 a | - - - | NPN - Darlington | - - - | - - - | - - - | ||||
![]() | ZTX449 | - - - | ![]() | 6516 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 30 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 1v @ 200 Ma, 2a | 100 @ 500 mA, 2V | 150 MHz | |||||
![]() | Jantxv2N6678 | 177.2092 | ![]() | 9132 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/538 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 6 w | To-3 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Jantxv2N6678ms | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V | 15 a | 1ma (ICBO) | Npn | 1v @ 3a, 15a | 15 @ 1a, 3v | - - - | ||||||
![]() | CPH6531-TL-E | 0,1500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Sanyo | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | CPH653 | 1.1W | 6-cph | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 50V | 1a | 100NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 380mv @ 10 mA, 500 mA | 200 @ 100 Ma, 2V | 420 MHz | ||||||
![]() | 2N5551-BP | - - - | ![]() | 2370 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 2N5551 | 625 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 353-2N5551-BP | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 160 v | 600 mA | 50na (ICBO) | Npn | 500mv @ 5ma, 50 mA | 80 @ 10ma, 5V | 300 MHz | ||||
TIP32B-BP | - - - | ![]() | 9089 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP32 | 2 w | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 353-tip32b-Bp | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 3 a | 300 µA | PNP | 1,2 V @ 375 Ma, 3a | 25 @ 1a, 4V | 3MHz | |||||
![]() | 2SD1815-R-TP | - - - | ![]() | 8953 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SD1815 | 1 w | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 353-2SD1815-R-TPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 100 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 400mV @ 150 mA, 1,5a | 100 @ 500 mA, 5V | 180 MHz | ||||
![]() | 2N5416 | 1,5000 | ![]() | 97 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | - - - | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-2N5416 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 1 a | 50 µA | PNP | 2,5 V @ 5 mA, 50 mA | 30 @ 50 Ma, 10 V | 15 MHz | ||||||
![]() | BCR35PNH6433 | - - - | ![]() | 6305 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCR35 | 250 MW | PG-SOT363-6-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 150 MHz | 10kohm | 47kohm | |||
![]() | SBC807-40LT3G | 0,2800 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SBC807 | 300 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | ||||
![]() | BC846AW | 0,0317 | ![]() | 9485 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2796-BC846AWTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
![]() | FJPF13007TU | - - - | ![]() | 9195 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | FJPF13007 | 40 w | To-220f-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 8 a | - - - | Npn | 3v @ 2a, 8a | 8 @ 2a, 5V | 4MHz | |||||
![]() | DTB543EETL | 0,4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTB543 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 v | 500 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 5ma, 100 mA | 115 @ 100 mA, 2V | 260 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||
![]() | 2SC2655-y (T6CANOFM | - - - | ![]() | 8697 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | 2SC2655 | 900 MW | To-92mod | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 2SC2655YT6CANOFM | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 500mv @ 50 Ma, 1a | 70 @ 500 mA, 2V | 100 MHz | |||||
![]() | Mmdt3904he3-tp | 0,4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Micro Commercial co | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Mmdt3904 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 353-mmdt3904he3-tptr | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40V | 200 ma | 50na | 2 NPN (Dual) | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | |||
![]() | RN2607 (TE85L, F) | 0,4800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | RN2607 | 300 MW | Sm6 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 10kohm | 47kohm | ||||
![]() | BD438-BP | - - - | ![]() | 5666 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | BD438 | 1,25 w | To-126 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 45 V | 4 a | 100 µA | PNP | 600mv @ 200 Ma, 2a | 40 @ 2a, 1V | 3MHz | |||||
![]() | RN1116 (TE85L, F) | 0,2800 | ![]() | 73 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | RN1116 | 100 MW | SSM | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 50 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | ||||
JANKCBR2N2221A | - - - | ![]() | 3208 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/255 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 500 MW | To-18 (to-206aa) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankcbr2N2221a | 100 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||
BC856B-QR | 0,0260 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC856 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||
2DD2652-7 | 0,3200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2DD2652 | 300 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 v | 1,5 a | 100NA (ICBO) | Npn | 200mv @ 25ma, 500 mA | 270 @ 200 Ma, 2V | 260 MHz | |||||
![]() | JANSM2N2906AUBC/Tr | 306.0614 | ![]() | 7101 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/291 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | UBC | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansm2N2906AUBC/Tr | 50 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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