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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SA1370D-AE | 0,1800 | ![]() | 58 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | Fjv4109rmtf | 0,0200 | ![]() | 2702 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | FJV410 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 939 | 40 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 200 MHz | 4.7 Kohms | ||||||
![]() | 2SA2205-e | - - - | ![]() | 9152 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | 2SA2205 | 800 MW | Tp | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 500 | 100 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 240mv @ 100 mA, 1a | 200 @ 100ma, 5V | 300 MHz | |||||
![]() | JANSH2N2218AL | 283.9200 | ![]() | 9370 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/251 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 800 MW | To-5aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JansH2N2218Al | 1 | 50 v | 800 mA | 10na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||
![]() | KSC1008RTA | - - - | ![]() | 8054 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | KSC1008 | 800 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 60 v | 700 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400 mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 50 Ma, 2V | 50 MHz | |||||
![]() | BC548BU | 0,0400 | ![]() | 56 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 7.882 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 300 MHz | ||||||||
![]() | BCP52-16 | 0,0400 | ![]() | 7597 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 1,4 w | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,128 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 50 MHz | |||||||
![]() | 2SA1626-Az | - - - | ![]() | 8918 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 400 | |||||||||||||||||
![]() | 2N5346 | 287.8650 | ![]() | 7094 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Bolzenhalterung | To-210aa, to-59-4, Stud | 60 w | To-59 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N5346 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 7 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | ||||||
![]() | KSC2330obu | 0,0500 | ![]() | 120 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | 1 w | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 300 V | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 1ma, 10 mA | 70 @ 20 mA, 10V | 50 MHz | |||||||
![]() | 2DA1774QQ-7 | 0,0685 | ![]() | 4754 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | 2da1774 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | 31-2DA1774QQ-7 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 140 MHz | ||||||
![]() | Emt1dxv6t1g | 0,4800 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | Emt1dxv6 | 500 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 60 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 500mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 140 MHz | ||||
![]() | BSS5130AT116 | 0,4400 | ![]() | 321 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BSS5130 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 380mv @ 25ma, 500 mA | 270 @ 100 mA, 2V | 320 MHz | ||||
![]() | 2SB1427W6_R1_00001 | 0,0725 | ![]() | 7466 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2SB1427 | 1,2 w | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-2SB1427W6_R1_00001TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 20 v | 3 a | 100NA (ICBO) | PNP | 200mv @ 53 Ma, 1,6a | 200 @ 500 Ma, 2V | 160 MHz | |||
![]() | 2SC4211-6-tl-e | 0,0600 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Sanyo | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2SC4211 | MCP | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||
![]() | TIP47 SL | - - - | ![]() | 9478 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 40 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 250 V | 1 a | 1ma | Npn | 1v @ 200 Ma, 1a | 30 @ 300 mA, 10V | 10 MHz | ||||||
![]() | BC807-40W-AU_R1_000A1 | 0,2200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC807 | 300 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-BC807-40W-Au_R1_000A1DKR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||
![]() | 2SC4519-6-TB-E | 0,1800 | ![]() | 99 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | DTA143ZU3HZGT106 | 0,3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Dta143 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||
![]() | IMH4AT110 | 0,1154 | ![]() | 6300 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | IMH4 | 300 MW | SMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA (ICBO) | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10kohm | - - - | |||
![]() | BC817K-16 | - - - | ![]() | 7309 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC817 | 500 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 170 MHz | ||||
![]() | RN2114MFV, L3F | 0,2000 | ![]() | 7888 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | RN2114 | 150 MW | VESM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 5 mA | 50 @ 10ma, 5v | 1 Kohms | 10 Kohms | |||||
![]() | KTC3198-Y-B0 A1G | - - - | ![]() | 5430 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 500 MW | To-92 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1801-KTC3198-Y-B0A1GTB | Veraltet | 1 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 120 @ 150 mA, 6 V | 80MHz | |||||||
BC847,235 | 0,1400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC847 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||
![]() | BC807-40,235 | - - - | ![]() | 2638 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 1V | 80MHz | |||||||||
![]() | 2SD2261-TD-e | 0,2400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | |||||||||||||||||
![]() | 2n5795a | 71.0700 | ![]() | 8390 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2N5795 | 600 MW | To-78-6 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2n5795a | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||
![]() | MPSA93-BP | - - - | ![]() | 1828 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | MPSA93 | 625 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 353-MPSA93-BP | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 200 v | 500 mA | 250na (ICBO) | PNP | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 40 @ 10 ma, 10V | 50 MHz | ||||
![]() | 2N4401BU | - - - | ![]() | 8397 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 v | 600 mA | - - - | Npn | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 1V | 250 MHz | |||||
![]() | D44C11 | - - - | ![]() | 3984 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1514-d44c11 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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