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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N3904RL1 | - - - | ![]() | 3020 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | 2N3904 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 40 v | 200 ma | - - - | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | ||||||
![]() | BC 807-16W H6327 | - - - | ![]() | 2828 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC 807 | 250 MW | Pg-SOT323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 200 MHz | |||||||
![]() | NTE160 | 5.1800 | ![]() | 777 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | 90 ° C (TJ) | K. Loch | To-206af, bis 72-4 Metall Kann | 60 MW | To-72 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2368-NTE160 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 14db | 20V | 10 ma | PNP | 50 @ 2MA, 10V | 700 MHz | 5db @ 800MHz | ||||||||
BC847C-7-F | 0,1700 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC847 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15na | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||
![]() | MMBT2907A_R1_00001 | 0,1600 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT2907 | 225 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-MMBT2907A_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | |||||
BCX53TX | 0,4000 | ![]() | 950 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BCX53 | 500 MW | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 140 MHz | |||||||
![]() | 2N6059 | 48.1194 | ![]() | 3528 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 2N6059 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 2N6059ms | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||
MRF429 | 61.6050 | ![]() | 4122 | 0.00000000 | Macom Technology Solutions | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | 211-11, Stil 2 | 150W | 211-11, Stil 2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1465-1188 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 15 dB | 50V | 16a | Npn | 10 @ 5a, 5V | - - - | - - - | |||||||||
ST13003D-K | 0,7100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Tasche | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | ST13003 | 40 w | SOT-32-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 400 V | 1,5 a | 1ma | Npn | 3v @ 500 mA, 1,5a | 5 @ 1a, 2v | - - - | |||||||
![]() | 2SA1015-G-BP | - - - | ![]() | 5797 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 2SA1015 | 400 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 353-2SA1015-GR-BP | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 200 @ 2ma, 6v | 80MHz | |||||||
BF820-QVL | 0,0787 | ![]() | 9849 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-BF820-Qvltr | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 300 V | 50 ma | 10NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 30 mA | 50 @ 25ma, 20V | 60 MHz | ||||||||
![]() | BST16,115 | - - - | ![]() | 6891 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BST1 | 1,3 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 300 V | 200 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 750 mv @ 5ma, 50 mA | 30 @ 50 Ma, 10 V | 15 MHz | ||||||
![]() | FJNS3202RTA | - - - | ![]() | 5508 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper | Fjns32 | 300 MW | To-92s | - - - | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||
![]() | PDTA114YQC-QZ | 0,2900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 3-xdfn exponiert Pad | PDTA114 | 360 MW | DFN1412D-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 50 v | 100 ma | 100na | PNP - VoreInensmen | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 5ma, 5v | 180 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | |||||
![]() | PDTA114EK115 | 0,0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | Reichweiite Betroffen | 2156-PDTA114EK115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | FJMA790 | 1.0000 | ![]() | 2286 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-VDFN-Exponiertebad | FJMA79 | 1,56 w | 6-microfet (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 35 V | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 450 MV @ 50 Ma, 2a | 100 @ 1,5a, 1,5 V. | - - - | ||||||
![]() | QST2TR | 0,7000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | QST2 | 1,25 w | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 12 v | 6 a | 100NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 60 mA, 3a | 270 @ 500 mA, 2V | 250 MHz | ||||||
![]() | BC237B_J35Z | - - - | ![]() | 2663 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC237 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 100 ma | 15na | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 180 @ 2MA, 5V | 250 MHz | |||||||
TTA003, L1NQ (o | 0,6900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | TA003 | 10 w | Pw-mold | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 80 v | 3 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mA, 1a | 100 @ 500 mA, 2V | 100 MHz | ||||||||
![]() | MAT03EHz | - - - | ![]() | 8644 | 0.00000000 | Analog Devices Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | MAT03 | 500 MW | To-78-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 2156-mat03EHZ-505 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 36 v | 20 ma | - - - | 2 PNP (Dual) | 100 mV @ 100 µA, 1 mA | - - - | 190 MHz | |||||||
![]() | 2N6487 | 0,9600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 2N6487 | 1,8 w | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 314 | 60 v | 15 a | 1ma | Npn | 3,5 V @ 5a, 15a | 20 @ 5a, 4V | 5MHz | ||||||
![]() | 61070 | - - - | ![]() | 6431 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Nicht Anwendbar | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
2SD2012-BP | - - - | ![]() | 9769 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 2SD2012 | 2 w | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 60 v | 3 a | 100 µA (ICBO) | Npn | 1v @ 200 Ma, 2a | 100 @ 500 mA, 5V | 3MHz | ||||||||
Dta123jua | 0,0240 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Dta123 | 200 MW | SOT-323 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-DTA123JUATR | Ear99 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VORGEPANNT + DIODE | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | ||||||||
![]() | BC807-16/6215 | 0,0200 | ![]() | 339 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||
PDTA143ZT, 235 | 0,1700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTA143 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 10ma, 5V | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||
![]() | 2N5401 | 0,0306 | ![]() | 92 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 625 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 2796-2n5401tr | 8541.21.0000 | 4.000 | 150 v | 600 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 60 @ 10ma, 5V | 400 MHz | |||||||
![]() | Jan2N3716 | 47.9864 | ![]() | 8142 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/408 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-3 | 2N3716 | 5 w | To-3 (to-204aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 a | 1ma | Npn | 2,5 V @ 2a, 10a | 30 @ 3a, 2v | - - - | ||||||
![]() | 2SC2412-S-TP | 0,0315 | ![]() | 3795 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2SC2412 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | 353-2SC2412-S-TP | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 150 MHz | ||||||||
![]() | PDTC123EM, 315 | 0,0300 | ![]() | 25 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | PDTC123 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PDTC123EM, 315-954 | 15.000 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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