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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | KSD261CGTA | 0,0300 | ![]() | 163 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 20 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 400 mv @ 50 mA, 500 mA | 200 @ 100ma, 1V | - - - | |||||||
![]() | PDTC144EQBZ | 0,2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 3-xdfn exponiert Pad | PDTC144 | 340 MW | DFN1110D-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 50 v | 100 ma | 100na | PNP - VoreInensmen | 100 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 5V | 180 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||
![]() | PN3566_D75Z | - - - | ![]() | 1226 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | - - - | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PN356 | 625 MW | To-92-3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 30 v | 600 mA | 50na (ICBO) | Npn | 1v @ 10 mA, 100 mA | 150 @ 10 mA, 10V | - - - | |||||||
![]() | KSC2328AOTA | 0,0800 | ![]() | 2998 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | 1 w | To-92-3 | Herunterladen | Ear99 | 8542.39.0001 | 574 | 30 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 2v @ 30 mA, 1,5a | 100 @ 500 mA, 2V | 120 MHz | ||||||||||
![]() | RN2108, LXHF (CT | 0,3300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | RN2108 | 100 MW | SSM | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | |||||||
![]() | 2N5415U4 | 91.9350 | ![]() | 3974 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | U4 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N5415U4 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 1 a | 50 µA | PNP | 2v @ 5ma, 50 mA | 30 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||||
![]() | BC846AHE3-TP | 0,2400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Micro Commercial co | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC846 | 225 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 100na | 500 mV @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||
![]() | MT3S113 (TE85L, F) | 0,7000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MT3S113 | 800 MW | S-mini | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 11.8db | 5.3V | 100 ma | Npn | 200 @ 30ma, 5V | 12,5 GHz | 1,45 dB @ 1 GHz | |||||||
![]() | PDTD123YQA147 | 1.0000 | ![]() | 2873 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | PBSS5240ZX | 0,1563 | ![]() | 5363 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | PBSS5240 | 650 MW | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934068447115 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 40 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 650 MV @ 200 Ma, 2a | 300 @ 1ma, 5v | 150 MHz | |||||
![]() | 2N6666 | 1.5600 | ![]() | 64 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 65 w | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2368-2N6666 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 8 a | 1ma | PNP - Darlington | 3v @ 80 Ma, 8a | 1000 @ 3a, 3v | - - - | ||||||||
![]() | 2N4403BU | 0,3700 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 2N4403 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 40 v | 600 mA | - - - | PNP | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 200 MHz | ||||||
MD1803DFX | - - - | ![]() | 7274 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | MD1803 | 57 w | To-3Pf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 700 V | 10 a | 200 µA | Npn | 2v @ 1,25a, 5a | 5.5 @ 5a, 5V | - - - | |||||||
![]() | DME205010R | - - - | ![]() | 4486 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | DME20501 | 300 MW | Mini6-g4-b | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 100 µA | NPN, PNP | 300mv @ 10 mA, 100 mA / 500mv @ 10 mA, 100 mA | 210 @ 2MA, 10V | 150 MHz | |||||||
![]() | 2stn1360 | 0,5900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 2stn1360 | 1,6 w | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 3 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 150 mA, 3a | 160 @ 1a, 2v | 130 MHz | ||||||
![]() | BFG520/X, 215 | - - - | ![]() | 3958 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BFG52 | 300 MW | SOT-143b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 15 v | 70 Ma | Npn | 60 @ 20 ma, 6v | 9GHz | 1,1 dB ~ 2,1 dB @ 900 MHz | ||||||
![]() | DDTA144VKA-7-F | - - - | ![]() | 9303 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA144 | 200 MW | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 10 Kohms | |||||
2n2896 | 17.3831 | ![]() | 2494 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tasche | Aktiv | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 1,8 w | To-18 (to-206aa) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2n2896ms | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 90 v | 1 a | 10NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 15ma, 150 mA | 60 @ 150 mA, 10V | 120 MHz | ||||||||
![]() | BC856BM315 | 1.0000 | ![]() | 3844 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BC856 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 10.000 | ||||||||||||||||||||
![]() | SMBTA42E6327HTSA1 | 0,4800 | ![]() | 705 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MBTA42 | 360 MW | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 40 @ 30 ma, 10V | 70 MHz | ||||||
![]() | MMBT2222AHLT1G | - - - | ![]() | 7339 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | - - - | - - - | MMBT2222 | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||
![]() | PMBTA06/DG/B3235 | 0,0400 | ![]() | 119 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | DTC143TETL | 0,3500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC143 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | ||||||
BD437G | 0,9200 | ![]() | 8271 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | BD437 | 36 w | To-126 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 45 V | 4 a | 100 µA (ICBO) | Npn | 800mv @ 300 mA, 3a | 85 @ 500 mA, 1V | 3MHz | |||||||
![]() | NST45010MW6T1G | 0,4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NST45010 | 380 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) Matchieres Paar | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
![]() | Pumd48,115 | - - - | ![]() | 7402 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pumd48 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | 2SC2960E-Spa-AC | 0,0600 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 5,323 | |||||||||||||||||||
![]() | 2N5551 | - - - | ![]() | 4074 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 160 v | 600 mA | 50na (ICBO) | Npn | 200mv @ 5ma, 50 mA | 80 @ 10ma, 5V | 300 MHz | |||||||||
![]() | Pumh9-qf | 0,0402 | ![]() | 7030 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Pumh9 | 200 MW | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-Pumh9-Qftr | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50V | 100 ma | 100na | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 5ma, 5v | 230 MHz | 10kohm | 47kohm | |||||
DDTC144GUA-7-F | 0,0435 | ![]() | 9866 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | DDTC (R2-Seery) ua | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTC144 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ddtc144gua-fdict | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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