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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DTC014YMT2L | 0,2400 | ![]() | 79 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTC014 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 70 Ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | |||||
![]() | BF820,235 | - - - | ![]() | 3735 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BF820,235-954 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 300 V | 50 ma | 10NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 30 mA | 50 @ 25ma, 20V | 60 MHz | |||||||
![]() | DTA143ZBTL | 0,2600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | Dta143 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||
![]() | PDTA113ZM315 | 0,0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8542.21.0095 | 15.000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | DDC113TU-7-F | 0,0756 | ![]() | 1209 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DDC113 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 1kohm | - - - | |||||
![]() | BC63916-D74Z | 0,5000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC63916 | 1 w | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 100 MHz | ||||||
![]() | BC308ATFR | - - - | ![]() | 4132 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC308 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 25 v | 100 ma | 15na | PNP | 500 mV @ 5ma, 100 mA | 120 @ 2MA, 5V | 130 MHz | |||||||
![]() | Njvmjd112t4g | 0,8300 | ![]() | 5554 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NJVMJD112 | 20 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 100 v | 2 a | 20 µA | NPN - Darlington | 3v @ 40 mA, 4a | 1000 @ 2a, 3v | 25 MHz | ||||||
![]() | NSCT2222ALT1G | - - - | ![]() | 7108 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | NSCT22 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 10NA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | |||||||
![]() | KSC2669YTA | 0,0200 | ![]() | 9489 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper | 200 MW | To-92s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.752 | 30 v | 30 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 1ma, 10 mA | 120 @ 2MA, 12V | 250 MHz | |||||||||
![]() | JANSL2N2222AUB/Tr | 181.0950 | ![]() | 4627 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 150-Jansl2N2222AUB/Tr | 50 | |||||||||||||||||||||||
![]() | Pumh15,115 | 0,2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Pumh15 | 300 MW | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 1 µA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | - - - | 4.7kohm | 4.7kohm | |||||
![]() | MMBTA14LT1HTSA1 | - - - | ![]() | 4682 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBTA14 | 330 MW | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 300 ma | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100ma, 5V | 125 MHz | ||||||
![]() | DDTC113ZKA-7-F | - - - | ![]() | 3355 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC113 | 200 MW | SC-59-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | |||||
![]() | KSC815YBU | 0,0600 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 400 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 45 V | 200 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 15ma, 150 mA | 120 @ 50 Ma, 1V | 200 MHz | |||||||||
![]() | 64051 | - - - | ![]() | 9149 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Nicht Anwendbar | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
Jan2N1482 | - - - | ![]() | 3135 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/207 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 1 w | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 55 v | 1,5 a | 5 µA (ICBO) | Npn | 750 MV @ 10ma, 200 mA | 35 @ 200 Ma, 4V | - - - | ||||||||
![]() | BSP16T1G | 0,4300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BSP16 | 1,5 w | SOT-223 (to-261) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 300 V | 100 ma | 50 µA | PNP | 2v @ 5ma, 50 mA | 30 @ 50 Ma, 10 V | 15 MHz | ||||||
![]() | 2n3506al | 12.2626 | ![]() | 6606 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2N3506 | 1 w | To-5aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 3 a | 1 µA | Npn | 1,5 V @ 250 mA, 2,5a | 50 @ 500 mA, 1V | - - - | |||||||
Jankcbm2N2222a | - - - | ![]() | 7371 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 500 MW | To-18 (to-206aa) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankcbm2N2222a | 100 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||
![]() | JANSL2N3810 | 198.9608 | ![]() | 3899 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500 /336 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2N3810 | 350 MW | To-78-6 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansl2N3810 | 1 | 60 v | 50 ma | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 250 mV @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1ma, 5V | - - - | |||||||||
SD1488 | - - - | ![]() | 1882 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Schüttgut | Veraltet | 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | M111 | SD1488 | 117W | M111 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 5.8db | 16V | 8a | Npn | 20 @ 1a, 5V | - - - | - - - | |||||||
![]() | Fjn965ta | - - - | ![]() | 5222 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | Fjn965 | 750 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 20 v | 5 a | 1 µA | Npn | 1v @ 100 mA, 3a | 230 @ 500 mA, 2V | 150 MHz | |||||||
![]() | PMP5501V, 115 | 0,3700 | ![]() | 6672 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | PMP5501 | 300 MW | SOT-666 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) Matchieres Paar | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 175MHz | ||||||
![]() | DDTC115TCA-7 | 0,1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | DDTC115 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | 2N4126TFR | 0,0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 15.000 | 25 v | 200 ma | 50na (ICBO) | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 2MA, 1V | 250 MHz | |||||||||
![]() | JantX2N3764 | - - - | ![]() | 4740 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/396 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206ab, bis 46-3 Metall Kann | 500 MW | To-46 (to-206ab) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 v | 1,5 a | 10 µA (ICBO) | PNP | 900mv @ 100 mA, 1a | 30 @ 1a, 1,5 V. | - - - | ||||||||
![]() | KSC2756YMTF | - - - | ![]() | 8752 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | KSC2756 | 150 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 15 dB ~ 23 dB | 20V | 30 ma | Npn | 120 @ 5ma, 10 V. | 850 MHz | 6,5 dB bei 200 MHz | |||||||
![]() | PMBS3906,215 | - - - | ![]() | 2870 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PMBS3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | PhD13005,127 | 0,1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PhD13 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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