SIC
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Bipolar (BJT) (35082)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
2DA1774QQ-7 Diodes Incorporated 2DA1774QQ-7 0,0685
RFQ
 ECAD 4754 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-523 2da1774 150 MW SOT-523 Herunterladen 31-2DA1774QQ-7 Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50 mA 120 @ 1ma, 6v 140 MHz
2N5487-1 Microchip Technology 2N5487-1 17.5500
RFQ
 ECAD 9035 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N5487-1 1
BCP52-16 Infineon Technologies BCP52-16 0,0400
RFQ
 ECAD 7597 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa 1,4 w SOT-223 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0075 1,128 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 2V 50 MHz
TIP47 SL Central Semiconductor Corp TIP47 SL - - -
RFQ
 ECAD 9478 0.00000000 Central Semiconductor Corp - - - Rohr Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 40 w To-220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 250 V 1 a 1ma Npn 1v @ 200 Ma, 1a 30 @ 300 mA, 10V 10 MHz
2SD2261-TD-E onsemi 2SD2261-TD-e 0,2400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1.000
MJD32CTF Fairchild Semiconductor MJD32CTF - - -
RFQ
 ECAD 6296 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 1,56 w To-252-3 (dpak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 0000.00.0000 833 100 v 3 a 50 µA PNP 1,2 V @ 375 Ma, 3a 25 @ 1a, 4V 3MHz
BC847,235 Nexperia USA Inc. BC847,235 0,1400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BC847 250 MW To-236ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) Npn 400mv @ 5 mA, 100 mA 110 @ 2MA, 5V 100 MHz
BC817-25QA147 NXP USA Inc. BC817-25QA147 0,0300
RFQ
 ECAD 134 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BC817 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 1
BC847BWT1 onsemi BC847BWT1 0,0200
RFQ
 ECAD 465 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet BC847 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000
DP0150ADJ-7 Diodes Incorporated DP0150ADJ-7 - - -
RFQ
 ECAD 4692 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-963 DP0150 300 MW SOT-963 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 PNP (Dual) 300mv @ 10 mA, 100 mA 120 @ 2MA, 6V 80MHz
FJPF13007H1 onsemi FJPF13007H1 - - -
RFQ
 ECAD 1177 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack FJPF13007 40 w To-220f-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 200 400 V 8 a - - - Npn 3v @ 2a, 8a 15 @ 2a, 5v 4MHz
PBSS4160PANPS115 NXP USA Inc. PBSS4160PANPS115 0,1300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 2,423
SMMBTA56WT3G onsemi SMMBTA56WT3G 0,0396
RFQ
 ECAD 7859 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 SMMBTA56 150 MW SC-70-3 (SOT323) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 80 v 500 mA 100na PNP 250mv @ 10 mA, 100 mA 100 @ 100 mA, 1V 50 MHz
MMBTA42 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd MMBTA42 0,1900
RFQ
 ECAD 6559 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 3.000 300 V 500 mA 500NA (ICBO) Npn 500 mv @ 2MA, 20 mA 40 @ 30 ma, 10V 50 MHz
2SB1188-Q-TP Micro Commercial Co 2SB1188-Q-TP 0,2049
RFQ
 ECAD 2287 0.00000000 Micro Commercial co - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 2SB1188 500 MW SOT-89 Herunterladen 353-2SB1188-Q-TP Ear99 8541.21.0095 1 32 v 2 a 1 µA (ICBO) PNP 800mv @ 200 Ma, 2a 82 @ 500 mA, 3V 80MHz
NTE2581 NTE Electronics, Inc NTE2581 5.1300
RFQ
 ECAD 138 0.00000000 NTE Electronics, Inc. - - - Tasche Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 1,75 w To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 2368-NTE2581 Ear99 8541.29.0095 1 400 V 12 a 10 µA (ICBO) Npn 800mv @ 1,6a, 8a 20 @ 1,6a, 5V 20MHz
PBHV9560Z115 NXP USA Inc. PBHV9560Z115 1.0000
RFQ
 ECAD 4271 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 1.000
PDTC124XM,315 NXP Semiconductors PDTC124XM, 315 - - -
RFQ
 ECAD 2391 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 PDTC124 250 MW DFN1006-3 Herunterladen 0000.00.0000 1 50 v 100 ma 1 µA NPN - VORGEPANNT 150 mV @ 500 µA, 10 mA 80 @ 5ma, 5V 22 Kohms 47 Kohms
BSS5130T116 Rohm Semiconductor BSS5130T116 - - -
RFQ
 ECAD 5851 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 200 MW SST3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 30 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 380mv @ 25ma, 500 mA 270 @ 100 mA, 2V 320 MHz
PMBT3946YPN/ZLX Nexperia USA Inc. PMBT3946YPN/ZLX - - -
RFQ
 ECAD 7892 0.00000000 Nexperia USA Inc. - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PMBT3946 350 MW 6-tssop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1 40V 200 ma 50na (ICBO) NPN, PNP 300mv @ 5 mA, 50 mA / 400 mv @ 5 mA, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 300 MHz, 250 MHz
PHPT60610PY115 NXP USA Inc. PHPT60610PY115 - - -
RFQ
 ECAD 2238 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen 0000.00.0000 1
BCP52-16TF Nexperia USA Inc. BCP52-16TF 0,4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa BCP52 1,3 w SOT-223 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 4.000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 2V 140 MHz
2PA1576S,115 NXP USA Inc. 2pa1576s, 115 0,0200
RFQ
 ECAD 7813 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv 2pa15 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000
PDTA143XK,115 NXP USA Inc. PDTA143XK, 115 - - -
RFQ
 ECAD 1945 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PDTA143 250 MW SMT3; Mpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 1 µA PNP - VoreInensmen 150 mV @ 500 µA, 10 mA 50 @ 10ma, 5v 4.7 Kohms 10 Kohms
BC856BW Diotec Semiconductor BC856BW 0,0317
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 DITEC -halbleiter - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BC856 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2796-BC856BWTR 8541.21.0000 3.000 65 V 100 ma 15NA (ICBO) PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 220 @ 2MA, 5V 100 MHz
PMBT2222,215 NXP USA Inc. PMBT2222,215 - - -
RFQ
 ECAD 2040 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PMBT2222 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000
JANKCCR2N3500 Microchip Technology JANKCCR2N3500 - - -
RFQ
 ECAD 9246 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jankccr2N3500 Ear99 8541.29.0095 1 150 v 300 ma 10 µA (ICBO) Npn 400mv @ 15ma, 150 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
BCW60A Infineon Technologies BCW60A 0,0400
RFQ
 ECAD 1922 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 Herunterladen Nicht Anwendbar Ear99 8541.21.0075 366 32 v 100 ma 20na Npn 550 MV @ 1,25 mA, 50 mA 120 @ 2MA, 5V 125 MHz
FF300R12ME4BDLA1 Infineon Technologies FF300R12ME4BDLA1 - - -
RFQ
 ECAD 7329 0.00000000 Infineon -technologien * Schüttgut Aktiv FF300R12 Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-FF300R12ME4BDLA1-448 Ear99 0000.00.0000 2
PBLS6024D,115 NXP USA Inc. PBLS6024D, 115 0,1200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PBLS60 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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