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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Dta143zua | 0,0240 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Dta143 | 200 MW | SOT-323 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-DTA143ZUATR | Ear99 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VORGEPANNT + DIODE | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | ||||||||
![]() | TSC5304EDCP ROG | - - - | ![]() | 5632 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | TSC5304 | 35 w | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V | 4 a | 250 µA | Npn | 1,5 V @ 500 Ma, 2,5a | 17 @ 1a, 5v | - - - | ||||||
BF820-QVL | 0,0787 | ![]() | 9849 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-BF820-Qvltr | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 300 V | 50 ma | 10NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 30 mA | 50 @ 25ma, 20V | 60 MHz | ||||||||
![]() | MMBT2907A_R1_00001 | 0,1600 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT2907 | 225 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-MMBT2907A_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | |||||
![]() | 2N6076 | - - - | ![]() | 7676 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 2N6076 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 25 v | 500 mA | 100na | PNP | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | - - - | |||||||
JantX2N5679 | 25.8020 | ![]() | 1240 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/582 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 10 µA | 10 µA | PNP | 1v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 250 mA, 2V | - - - | ||||||||||
![]() | MJD350T4 | - - - | ![]() | 6785 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MJD35 | 15 w | Dpak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 300 V | 500 mA | 100 µA | PNP | - - - | 30 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||
![]() | PDTC144TMB315 | 0,0200 | ![]() | 189 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MMBTA05LT1 | - - - | ![]() | 6405 | 0.00000000 | Onsemi | * | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | MMBTA05 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | AT-41532-BLKG | - - - | ![]() | 4694 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | AT-41532 | 225 MW | SC-70-3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 100 | 9 dB ~ 15,5 dB | 12V | 50 ma | Npn | 30 @ 5ma, 5v | - - - | 1 db ~ 1,9 db bei 900 MHz ~ 2,4 GHz | |||||||
![]() | DTC043ZUBTL | 0,3000 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-85 | DTC043 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||
![]() | 2SAR293P5T100 | 0,3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SAR293 | 500 MW | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 30 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 350 MV @ 25ma, 500 mA | 270 @ 100 mA, 2V | 320 MHz | ||||||
![]() | 2SA1015-G-BP | - - - | ![]() | 5797 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 2SA1015 | 400 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 353-2SA1015-GR-BP | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 200 @ 2ma, 6v | 80MHz | |||||||
Jan2N3439L | - - - | ![]() | 3826 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/368 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 800 MW | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 350 V | 1 a | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - | ||||||||
![]() | Emt1dxv6t5g | 0,4700 | ![]() | 84 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | Emt1dxv6 | 500 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 60 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 500mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 140 MHz | ||||||
![]() | 2N2443 | 32.2800 | ![]() | 7466 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N2443 | 1 | ||||||||||||||||||||||
BCX53TX | 0,4000 | ![]() | 950 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BCX53 | 500 MW | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 140 MHz | |||||||
BD180 | - - - | ![]() | 8678 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | BD180 | 30 w | To-126 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 80 v | 3 a | 1ma (ICBO) | PNP | 800mv @ 100 mA, 1a | 40 @ 150 mA, 2V | 3MHz | |||||||
TTA003, L1NQ (o | 0,6900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | TA003 | 10 w | Pw-mold | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 80 v | 3 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mA, 1a | 100 @ 500 mA, 2V | 100 MHz | ||||||||
![]() | NTE2342 | 3.7400 | ![]() | 128 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 1 w | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE2342 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 500NA | PNP - Darlington | 1,8 V @ 1ma, 1a | 2000 @ 500 mA, 10V | 200 MHz | ||||||||
BC817-25-7 | - - - | ![]() | 3355 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC817 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100na | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||
![]() | 2n2222a | - - - | ![]() | 7714 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N2222 | 500 MW | To-18 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 500 | 40 v | 800 mA | - - - | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||
![]() | BC547B, 112 | - - - | ![]() | 1307 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC54 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
![]() | MPSA14 | - - - | ![]() | 1203 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | MPSA14 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 30 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100ma, 5V | 125 MHz | ||||||
2N2722 | - - - | ![]() | 1244 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2n272 | 600 MW | To-78-6 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 40 ma | - - - | 2 NPN (Dual) | - - - | 50 @ 1 µa, 5 V | 100 MHz | |||||||
![]() | 2N1506 | 34.3500 | ![]() | 1856 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 3 w | To-5aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N1506 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 500 mA | - - - | PNP | 1,5 V @ 50 µA, 100 µA | - - - | - - - | ||||||||
![]() | ADA123JUQ-13 | - - - | ![]() | 5967 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | ADA123 | 270 MW | SOT-363 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ADA123JUQ-13DI | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2ko | 47kohm | ||||
JANSR2N2906AL | 104.7502 | ![]() | 2681 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/291 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N2906 | 500 MW | To-18 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansr2N2906Al | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||
![]() | MJ15002 | - - - | ![]() | 7164 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Veraltet | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | MJ150 | 200 w | To-204 (to-3) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 140 v | 15 a | 250 µA | PNP | 1V @ 400 mA, 4a | 25 @ 4a, 2v | 2MHz | ||||||
![]() | BC53PAS115 | 0,0600 | ![]() | 48 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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