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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2pd1820as, 115 | 0,0300 | ![]() | 16 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10,724 | 50 v | 500 mA | 10NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 170 @ 150 mA, 10V | 150 MHz | ||||||||
![]() | 2SA1566jietr-e | - - - | ![]() | 1234 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | |||||||||||||||||||
![]() | Pmmt591a, 215 | - - - | ![]() | 7320 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PMMMMT5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | BF550,215 | - - - | ![]() | 6379 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BF550 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | Fjl4315otu | 2.5900 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-264-3, to-264aa | 150 w | HPM F2 | Herunterladen | Ear99 | 8542.39.0001 | 126 | 250 V | 17 a | 5 µA (ICBO) | Npn | 3v @ 800 mA, 8a | 80 @ 1a, 5V | 30 MHz | |||||||
![]() | PBSS4230PANP, 115 | 0,1600 | ![]() | 21 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-UFDFN exponiert Pad | PBSS4230 | 510 MW | 6-Ehemann (2x2) | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,868 | 30V | 2a | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 290mv @ 200 Ma, 2a | 200 @ 1a, 2v | 120 MHz | ||||||
![]() | SMBT3904E-6327 | 1.0000 | ![]() | 8988 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | PHPT610030NK, 115 | 1.0000 | ![]() | 4313 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | PMP5501V, 115 | - - - | ![]() | 6787 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PMP5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 4.000 | ||||||||||||||||
![]() | BCX51-10115 | 1.0000 | ![]() | 3209 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | FJE3303H2TU | 0,2500 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | 20 w | To-126-3 | Herunterladen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,212 | 400 V | 1,5 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 3v @ 500 mA, 1,5a | 14 @ 500 mA, 2V | 4MHz | |||||||
![]() | BC807K-40,235 | 1.0000 | ![]() | 1954 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | BCX70J | 0,0300 | ![]() | 7992 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 490 | 45 V | 200 ma | 20na | Npn | 550 MV @ 1,25 mA, 50 mA | 250 @ 2MA, 5V | 125 MHz | ||||
![]() | BC807K-25,215 | 1.0000 | ![]() | 3106 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | KSC1008cyta | 0,0600 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 800 MW | To-92-3 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 5,207 | 60 v | 700 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400 mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 50 Ma, 2V | 50 MHz | ||||||||
![]() | NSVT1418LT1G | 0,6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | NSVT1418 | 420 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 160 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 25ma, 250 mA | 100 @ 100 Ma, 5V | 120 MHz | |||
![]() | NSV60201SMTWTBG | 0,2218 | ![]() | 9297 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-WDFN Exponierte Pad | NSV60201 | 1,8 w | 6-WDFN (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 60 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 200 Ma, 2a | 150 @ 100 mA, 2V | 180 MHz | |||
![]() | Umz1nfhatr | 0,4800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Umz1 | 150 MW | Umt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 400mv @ 5 mA, 50 mA / 500mv @ 5 mA, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz, 140 MHz | |||
![]() | RN2708, LF | 0,3100 | ![]() | 1502 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | RN2708 | 200 MW | USV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 22kohm | 47kohm | |||
![]() | RN2418, LF | 0,1800 | ![]() | 7742 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | RN2418 | 200 MW | S-mini | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 50 @ 10ma, 5v | 200 MHz | 47 Kohms | 10 Kohms | |||
![]() | 2SA2154MFVGR, L3F | 0,1900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-723 | 2SA2154 | 150 MW | VESM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 200 @ 2ma, 6v | 80MHz | ||||
![]() | 2SC6026MFV-y, L3F | 0,1900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-723 | 2SC6026 | 150 MW | VESM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 120 @ 2MA, 6V | 60 MHz | ||||
![]() | 2SC6100, lf | 0,5300 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Flache Leitungen | 2SC6100 | 500 MW | UFM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 2,5 a | 100NA (ICBO) | Npn | 140mv @ 20 mA, 1a | 400 @ 300 mA, 2 V | - - - | ||||
![]() | MBT3904DW1T1G-M01 | - - - | ![]() | 7436 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MBT3904 | 150 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 200 ma | 50na | 2 NPN (Dual) | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | |||
![]() | SMMBT6520LT1 | 0,0700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | NZT6729 | 1.0000 | ![]() | 6805 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | NZT67 | 1 w | SOT-223-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 4.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10 mA, 250 mA | 50 @ 250 mA, 1V | - - - | |||
![]() | 2SB560E-MP-AE | 0,1500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | UPA1456H (2) -AZ | 1.9100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | KSP2222ATF | 1.0000 | ![]() | 8252 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | KSP22 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 2.000 | 40 v | 600 mA | 10NA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10mV | 300 MHz | |||
![]() | D45H2A | 0,7500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | D45H | 60 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 30 v | 8 a | 10 µA (ICBO) | PNP | 1v @ 400 mA, 8a | 100 @ 8a, 5V | 25 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus