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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2stc5200 | - - - | ![]() | 1926 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-264-3, to-264aa | 2stc | 150 w | To-264 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 25 | 230 V | 15 a | 5 µA (ICBO) | Npn | 3v @ 800 mA, 8a | 80 @ 1a, 5V | 30 MHz | |||||||
![]() | BD249-S | - - - | ![]() | 4593 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-218-3 | BD249 | 3 w | SOT-93 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 300 | 45 V | 25 a | 1ma | Npn | 4v @ 5a, 25a | 10 @ 15a, 4V | - - - | |||||||
![]() | RN1968 (TE85L, F) | 0,4700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN1968 | 200 MW | US6 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 22kohm | 47kohm | ||||||
![]() | SMBTA14E6327 | 0,1000 | ![]() | 210 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23-3-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.112 | 30 v | 300 ma | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100ma, 5V | 125 MHz | |||||||
![]() | JANSM2N3637L | 129.5906 | ![]() | 6483 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 1 w | To-5aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansm2N3637L | 1 | 175 v | 1 a | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||||||
![]() | BCR 142f E6327 | - - - | ![]() | 8942 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-723 | BCR 142 | 250 MW | PG-TSFP-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 150 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | ||||||
![]() | NMB2227AF | 0,3600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | NMB2227 | 300 MW | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 40V | 600 mA | 10NA (ICBO) | NPN, PNP | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | ||||||
![]() | 2SA1962-O (q) | - - - | ![]() | 6598 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Tablett | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | 2SA1962 | 130 w | To-3p (n) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 230 V | 15 a | 5 µA (ICBO) | PNP | 3v @ 800 mA, 8a | 80 @ 1a, 5V | 30 MHz | |||||||
![]() | BCX52-10-TP | - - - | ![]() | 1686 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BCX52 | 500 MW | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 50 MHz | |||||||
![]() | MMBT2907A | 0,0170 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-MMBT2907ATR | Ear99 | 3.000 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | ||||||||
![]() | BSR 30.115 | 0,6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BSR30 | 1,35 w | SOT-89 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 100 Ma, 5V | 100 MHz | ||||||
![]() | BC549C, 112 | - - - | ![]() | 3670 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC54 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
![]() | 2SC2235-y, T6F (j | - - - | ![]() | 7291 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | 2SC2235 | 900 MW | To-92mod | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 v | 800 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 80 @ 100ma, 5V | 120 MHz | ||||||||
BC546A B1G | - - - | ![]() | 3874 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC546 | 500 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | - - - | 110 @ 2MA, 5V | - - - | |||||||
![]() | BC817DPN, 115 | 0,4800 | ![]() | 133 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | BC817 | 600 MW | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 1V | 100 MHz, 80 MHz | ||||||
![]() | KSC1008OTA | 0,1500 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 800 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 60 v | 700 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400 mv @ 50 mA, 500 mA | 70 @ 50 Ma, 2V | 50 MHz | |||||||||
![]() | 2SA1371d | 0,1000 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | SS8550-C-BP | - - - | ![]() | 7404 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | SS8050 | 1 w | To-92 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 353-SS8550-C-BP | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 25 v | 1,5 a | 100na | PNP | 800mv @ 80 mA, 800 mA | 120 @ 100 mA, 1V | 190 MHz | ||||||
![]() | BCP51-16,135 | 0,5000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP51 | 1 w | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 145 MHz | ||||||
![]() | BC856S/ZLF | - - - | ![]() | 4140 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC856 | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | |||||||||||||||
![]() | 2N4401RLRA | - - - | ![]() | 3021 | 0.00000000 | Onsemi | * | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | 2N4401 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | ||||||||||||||||||
![]() | 2N5781 | 16.9974 | ![]() | 2293 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 2N5781 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | NE68133-T1B-R35-A | - - - | ![]() | 1281 | 0.00000000 | Cel | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | NE68133 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 13 dB | 10V | 65 Ma | Npn | 125 @ 20 Ma, 8v | 9GHz | 1,2 dB @ 1 GHz | |||||||
![]() | DME375A | - - - | ![]() | 9385 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | 200 ° C (TJ) | Chassis -berg | 55AW | 375W | 55AW | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6,5 dB | 55 v | 30a | Npn | 10 @ 300 mA, 5V | 1.025 GHz ~ 1,15 GHz | - - - | ||||||||
JANSD2N3439 | 270.2400 | ![]() | 3352 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/368 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 800 MW | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JansD2N3439 | 1 | 350 V | 1 a | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - | |||||||||||
![]() | BFG93A/X, 215 | - - - | ![]() | 4423 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BFG93 | 300 MW | SOT-143b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 12V | 35 Ma | Npn | 40 @ 30 Ma, 5V | 6GHz | 1,7 dB ~ 2,3 dB @ 1 GHz ~ 2GHz | ||||||
![]() | NTE160 | 5.1800 | ![]() | 777 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | 90 ° C (TJ) | K. Loch | To-206af, bis 72-4 Metall Kann | 60 MW | To-72 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2368-NTE160 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 14db | 20V | 10 ma | PNP | 50 @ 2MA, 10V | 700 MHz | 5db @ 800MHz | ||||||||
![]() | BCW65CLT1G | 0,2200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCW65 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 32 v | 800 mA | 20na | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | ||||||
TIP32A-BP | 0,4950 | ![]() | 3630 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP32 | 2 w | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 60 v | 3 a | 300 µA | PNP | 1,2 V @ 375 Ma, 3a | 10 @ 3a, 4V | 3MHz | |||||||
![]() | RN1971TE85LF | 0,0618 | ![]() | 6883 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN1971 | 200 MW | US6 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 120 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10kohm | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus