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Bipolar (BJT) (35082)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CMUT5551E TR | - - - |  | 9501 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | 250 MW | SOT-523 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 220 V | 600 mA | 50na | Npn | 100 mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 10 Ma, 5V | 300 MHz | ||||||||
 | BCM847DS, 135 | 0,5000 | | 47 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | BCM847 | 380 MW | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) Matchieres Paar | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 250 MHz | ||||||
 | ST13003D-K | 0,7100 | | 1 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Tasche | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | ST13003 | 40 w | SOT-32-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 400 V | 1,5 a | 1ma | Npn | 3v @ 500 mA, 1,5a | 5 @ 1a, 2v | - - - | ||||||
 | 15GN01MA-TL-E | - - - | | 9096 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Möwenflügel | 15GN01 | 400 MW | 3-MCP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 8v | 50 ma | Npn | 200 @ 10ma, 5V | 1,5 GHz | - - - | |||||||
 | BC857,215 | 0,1400 | | 115 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC857 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 125 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
 | PBLS4004V, 115 | - - - | | 8002 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | PBLS4004 | 300 MW | SOT-666 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50 V, 40 V | 100 mA, 500 mA | 1 µA | 1 NPN Voreingensmen, 1 PNP | 150 mV @ 500 µA, 10 mA / 350 mV @ 50 mA, 500 mA | 60 @ 5ma, 5v / 150 @ 100 mA, 2 V. | 300 MHz | 22kohm | 22kohm | |||||
| MS2200A | - - - | | 6040 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | XP0121700L | - - - | | 2338 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | XP0121 | 150 MW | Smini5-G1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | 150 MHz | 22kohm | - - - | |||||||
 | NTE100 | 6.5500 | | 17 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | 85 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 150 MW | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2368-NTE100 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 24 v | 100 ma | 5 µA (ICBO) | PNP | 200mv @ 1ma, 24 mA | 30 @ 12 Ma, 150mV | - - - | ||||||||
 | ZX3CD1S1M832TA | 0,5700 | | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1034-Zx3CD1S1M832TADKR | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||
 | BC547C B1G | - - - | | 6052 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC547 | 500 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | - - - | 420 @ 2MA, 5V | - - - | ||||||
 | MJD31C | - - - | | 6680 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MJD31 | 15 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 100 v | 3 a | 50 µA | Npn | 1,2 V @ 375 Ma, 3a | 10 @ 3a, 4V | - - - | ||||||
 | TSC5802DCP ROG | - - - | | 1747 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | TSC5802 | 30 w | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 450 V | 2,5 a | 250 µA | Npn | 3v @ 600 mA, 2a | 50 @ 100 mA, 5V | - - - | ||||||
 | Ztx857stz | 1.2000 | | 675 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | Ztx857 | 1,2 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 300 V | 3 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 250mv @ 600 mA, 3a | 100 @ 500 mA, 10V | 80MHz | ||||||
 | TIP31a | 0,8800 | | 20 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 2 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-tip31a | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 3 a | 300 µA | Npn | 1,2 V @ 375 Ma, 3a | 10 @ 3a, 4V | - - - | ||||||||
 | KSP55TA | - - - | | 9254 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 60 v | 500 mA | 100na | PNP | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 50 @ 100 mA, 1V | 50 MHz | ||||||||||
 | BC847C-7-F | 0,1700 | | 18 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC847 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15na | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 300 MHz | ||||||
 | QST2TR | 0,7000 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | QST2 | 1,25 w | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 12 v | 6 a | 100NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 60 mA, 3a | 270 @ 500 mA, 2V | 250 MHz | ||||||
 | 2SA949-y, ONK-1F (j | - - - | | 3985 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | 2SA949 | 800 MW | To-92mod | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 150 v | 50 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 800mv @ 1ma, 10a | 70 @ 10ma, 5V | 120 MHz | ||||||||
 | PDTD143EU115 | 0,0400 | | 103 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | BC858CW-7-F | 0,2000 | | 16 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC858 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 200 MHz | ||||||
| Fmmta64ta | - - - | | 6366 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmta64 | 330 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100ma, 5V | 125 MHz | ||||||
 | 2SD16330p | - - - | | 2489 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | 2SD163 | 2 w | To-220f-a1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 100 v | 5 a | 100 µA | NPN - Darlington | 1,5 V @ 3ma, 3a | 5000 @ 3a, 3v | 15 MHz | ||||||||
 | BC847BW, 115 | 0,1700 | | 192 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BC847XW | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC847 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
 | JANSG2N2221AL | 100.3204 | | 7182 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/255 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 500 MW | To-18 (to-206aa) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansg2N2221Al | 1 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||
 | BCX41E6433HTMA1 | 0,1068 | | 7418 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCX41 | 330 MW | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 125 v | 800 mA | 10 µA | Npn | 900mv @ 30 mA, 300 mA | 40 @ 200 Ma, 1V | 100 MHz | ||||||
 | BC856BW_R1_00001 | 0,1900 | | 6 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC856 | 250 MW | SOT-323 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-BC856BW_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 200 MHz | |||||
 | FJMA790 | 1.0000 | | 2286 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-VDFN-Exponiertebad | FJMA79 | 1,56 w | 6-microfet (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 35 V | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 450 MV @ 50 Ma, 2a | 100 @ 1,5a, 1,5 V. | - - - | ||||||
 | BC 846BW H6327 | - - - | | 3606 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC 846 | 250 MW | Pg-SOT323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 250 MHz | |||||||
| BD711 | - - - | | 1577 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BD711 | 75 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-6963-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 12 a | 100 ma | Npn | 1V @ 400 mA, 4a | 15 @ 4a, 4V | 3MHz |
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