Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Uma7ntr | 0,0848 | ![]() | 3160 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | Uma7 | 150 MW | Umt5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7kohm | 10kohm | |||||
![]() | 2N5401RLRAG | - - - | ![]() | 6641 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | 2N5401 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 150 v | 600 mA | 50na (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 60 @ 10ma, 5V | 300 MHz | |||||||
![]() | MPSA63 | - - - | ![]() | 6736 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | MPSA63 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 30 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | 125 MHz | ||||||
![]() | NTE11 | 1.7500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 750 MW | To-92 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2368-NTE11 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 v | 5 a | 100NA (ICBO) | Npn | 1v @ 100 mA, 3a | 340 @ 500 mA, 2V | 150 MHz | ||||||||
![]() | MMBT3906WT1G | 0,1600 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMBT3906 | 150 MW | SC-70-3 (SOT323) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 200 ma | - - - | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | ||||||
![]() | 2SB0956grl | - - - | ![]() | 9624 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SB0956 | 1 w | Minip3-F2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 20 v | 1 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 Ma, 1a | 130 @ 500 mA, 2V | 200 MHz | ||||||||
FZT653ta | 0,6800 | ![]() | 238 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT653 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 100 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | 100 @ 500 mA, 2V | 175MHz | |||||||
Fmmta13ta | - - - | ![]() | 3667 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmta13 | 330 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 v | 300 ma | 100na | NPN - Darlington | 900 mV @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | - - - | |||||||
![]() | NSVT3906DXV6T1G | 0,1154 | ![]() | 4920 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | NSVT3906 | 500 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 40V | 200 ma | - - - | 2 PNP (Dual) | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | ||||||
![]() | Emb75T2R | 0,4700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | Emb75 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 4.7kohm | 47kohm | |||||
![]() | PH3135-65m | 511.3800 | ![]() | 7867 | 0.00000000 | Macom Technology Solutions | - - - | Tablett | Aktiv | 200 ° C (TJ) | - - - | - - - | PH3135 | 65W | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1465-1207 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 8.23db ~ 9.09db | 65 V | 7.7a | Npn | - - - | - - - | - - - | ||||||
![]() | 2N336LT2 | 65.1035 | ![]() | 3973 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 2N336 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | SLA4030 | - - - | ![]() | 9329 | 0.00000000 | Sanken | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 12-SIP-Exponierte RegisterKarte | SLA40 | 5W | 12-sip | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SLA4030 DK | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 100V | 4a | 10 µA (ICBO) | 4 NPN Darlington (Quad) | 1,5 V @ 10ma, 2a | 2000 @ 2a, 4V | - - - | ||||||
![]() | BCR 162T E6327 | - - - | ![]() | 8568 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | BCR 162 | 250 MW | PG-SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 5ma, 5V | 200 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||
![]() | 2SA1798S | - - - | ![]() | 7879 | 0.00000000 | Sanyo | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-2SA1798S-600057 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | DTC123EE | 0,0210 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | DTC123 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-DTC123EETR | Ear99 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | KSA910YSHTA | - - - | ![]() | 9330 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | - - - | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | KSA910 | 800 MW | To-92-3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 150 v | 50 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 800mv @ 1ma, 10 mA | 120 @ 10 Ma, 5V | 100 MHz | |||||||
![]() | MPS2369G | - - - | ![]() | 2299 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | MPS236 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MPS2369GOS | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 15 v | 200 ma | 400na | Npn | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 40 @ 10 Ma, 1V | - - - | ||||||
![]() | 2SC536F-Spa-AC | 0,2700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
FZT489ta | 0,6400 | ![]() | 347 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT489 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 30 v | 1 a | 100na | Npn | 600mv @ 200 Ma, 2a | 100 @ 1a, 2v | 150 MHz | |||||||
![]() | XN0111300L | - - - | ![]() | 9739 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | Xn0111 | 300 MW | Mini5-G1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 80MHz | 47kohm | 47kohm | |||||||
![]() | BFG325/XR, 215 | - - - | ![]() | 2389 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-143R | BFG32 | 210 MW | SOT-143R | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 18.3db | 6v | 35 Ma | Npn | 60 @ 15ma, 3v | 14GHz | 1.1db @ 2ghz | ||||||
![]() | BC546BRL1G | - - - | ![]() | 7360 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | BC546 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 65 V | 100 ma | 15na | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||
![]() | KST05MTF | - - - | ![]() | 5786 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | KST05 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 500 mA | 100na | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 50 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||
![]() | PMSS3904,115 | 0,0200 | ![]() | 236 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PMSS3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | TIP32C | 1.0800 | ![]() | 1800 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 2 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-tip32c | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 3 a | 300 µA | PNP | 1,2 V @ 375 Ma, 3a | 10 @ 3a, 4V | 3MHz | ||||||||
![]() | Jan2N336LT2 | - - - | ![]() | 6702 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | To-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 10 ma | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | ||||||||||
![]() | RN2301, LXHF | 0,3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | RN2301 | 100 MW | SC-70 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 30 @ 10ma, 5v | 200 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||
![]() | Emb60t2r | 0,3900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | Emb60 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP Voreeinnensmen (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 2kohm | 47kohm | |||||
JantX2N3439 | 10.8262 | ![]() | 9820 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/368 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N3439 | 800 MW | To-39 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 350 V | 1 a | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus