- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Bipolar (BJT) (35082)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMBT4403-On | - - - |  | 4175 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 100na | PNP | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 200 MHz | |||||
 | 2SCR554PHZGT100 | 0,6900 | | 175 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 500 MW | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 80 v | 1,5 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 300 mv @ 25 mA, 500 mA | 120 @ 100 mA, 3V | 300 MHz | |||||
 | Emb52t2r | 0,3900 | | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | Emb52 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP Voreeinnensmen (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 47kohm | 47kohm | |||
 | Dta124ecahzgt116 | 0,3700 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta124 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||
 | Janhcc2N6193 | - - - | | 6465 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/561 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-205ad (to-39) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhcc2N6193 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 5 a | 100 µA | PNP | 1,2 V @ 500 mA, 5a | 60 @ 2a, 2v | - - - | |||||
 | JANS2N3501UB/Tr | 35.4402 | | 8704 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 500 MW | UB | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans2N3501UB/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 150 v | 300 ma | 10 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 15ma, 150 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||
 | Jantxv2N5153U3/Tr | 92.9138 | | 6626 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/545 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1,16 w | U3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv2N5153U3/Tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 1 Ma | 1ma | PNP | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 70 @ 2,5a, 5V | - - - | |||||
 | JanHCB2N2222A | 8.9376 | | 9513 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 500 MW | To-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-JanHCB2N2222A | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||
 | JANSR2N2920U/Tr | 273.4718 | | 3363 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/355 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | 2n2920 | 350 MW | 6-smd | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansr2N2920U/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 30 ma | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 300 @ 1ma, 5v | - - - | ||||
 | 2n5796u/tr | 63.1883 | | 3134 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/496 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | 2N5796 | 6-smd | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N5796U/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||
| JantX2N2945Aub/tr | 434.6922 | | 3371 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/382 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 400 MW | UB | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx2N2945Aub/tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 v | 100 ma | 10 µA (ICBO) | PNP | - - - | 70 @ 1ma, 500mV | - - - | |||||
 | JANSL2N2906AUB/Tr | 148.3710 | | 8116 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/291 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C. | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 2N2906 | 500 MW | UB | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansl2N2906AUB/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||
 | MMBT5551 | 0,1200 | | 617 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 160 v | 600 mA | 50na (ICBO) | Npn | 200mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10ma, 5V | 300 MHz | |||||
 | NTE342 | 19.7200 | | 420 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 1,5 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 2368-NTE342 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 17 v | 2 a | 500 µA (ICBO) | Npn | - - - | 10 @ 100 mA, 10 V. | - - - | ||||
 | NTE2699 | 2.1500 | | 372 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 2 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 2368-NTE2699 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 15 a | 1ma | Npn | 500mv @ 600 mA, 12a | 150 @ 3a, 2v | - - - | ||||
| JantX2N4033UB/Tr | 25.9350 | | 5360 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/512 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 500 MW | To-39 (bis 205ad) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx2N4033UB/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10 µA (ICBO) | PNP | 1v @ 100 mA, 1a | 100 @ 100 Ma, 5V | - - - | |||||
| Jantxv2N5416U4/Tr | - - - | | 5956 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/485 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | U4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv2N5416U4/Tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 1 a | 1ma | PNP | 2v @ 5ma, 50 mA | 30 @ 50 Ma, 10 V | - - - | |||||
| Janhcc2n5153 | 25.8685 | | 2748 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/545 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-JanHCC2N5153 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | 50 µA | PNP | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 70 @ 2,5a, 5V | - - - | |||||
| JANSD2N3501UB/Tr | 94.4906 | | 1920 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | UB | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-JansD2N3501UB/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 150 v | 300 ma | 10 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 15ma, 150 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||
 | JANSL2N3440UA | - - - | | 9350 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/368 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 800 MW | Ua | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansl2N3440UA | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 250 V | 1 a | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - | |||||
| JANSP2N2369AUA/Tr | 166.8512 | | 4739 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/317 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 2n2369a | 360 MW | Ua | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-JANSP2N2369AUA/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 400na | Npn | 450 mV @ 10 mA, 100 mA | 20 @ 100 mA, 1V | - - - | |||||
| Jantxv2N2906AUA/Tr | 29.7388 | | 1017 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/291 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 2N2906 | 500 MW | 4-smd | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv2N2906AUA/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||
| CMXT2907A BK PBFREE | - - - | | 3790 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | CMXT2907 | 350 MW | SOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1514-CMXT2907ABKPBFREE | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.500 | 60 v | 600 mA | 10na | 2 PNP (Dual) | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | ||||
| Jan2n2907Aub/tr | 5.7456 | | 7790 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/291 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 2n2907 | 500 MW | UB | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan2N2907Aub/tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||
| JANS2N3635UB/Tr | 112.6504 | | 4106 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 1,5 w | UB | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans2N3635UB/Tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 10 µA | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 mA, 10 V. | - - - | |||||
| Janhca2N2369a | 11.3449 | | 7686 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/317 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2n2369a | 360 MW | To-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca2N2369a | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 400na | Npn | 450 mV @ 10 mA, 100 mA | 20 @ 100 mA, 1V | - - - | |||||
| 2C3716 | 39.8069 | | 2802 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-2C3716 | 1 | |||||||||||||||||||
| JANSF2N2222AUB/Tr | 146.9710 | | 3677 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/255 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 500 MW | UB | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansf2N2222AUB/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||
 | MMBT2222A | 0,0885 | | 510 | 0.00000000 | Mdd | SOT-23 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT2222 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3372-MMBT2222ATR | Ear99 | 8541.21.0075 | 12.000 | 40 v | 100NA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | ||||
| MMBT5401 | 0,0855 | | 4 | 0.00000000 | Mdd | SOT-23 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3372-MMBT5401TR | Ear99 | 8541.21.0075 | 12.000 | 160 v | 100NA (ICBO) | PNP | 1v @ 5 ma, 50 mA | 80 @ 1ma, 5v | 100 MHz |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)