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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTE252 | 9.3400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 160 w | To-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE252 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 20 a | 1ma | PNP - Darlington | 3v @ 200 Ma, 20a | 750 @ 10a, 3v | - - - | ||||||||
![]() | EMH25FHAT2R | 0,0572 | ![]() | 7518 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMH25 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | - - - | 100 ma | - - - | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7kohm | 47kohm | |||||
![]() | DTC143TETL | 0,3500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC143 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | ||||||
![]() | MPSA92_D81Z | - - - | ![]() | 1247 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | MPSA92 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 300 V | 500 mA | 250na (ICBO) | PNP | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 25 @ 30 Ma, 10V | 50 MHz | |||||||
D44H11 | 1.1600 | ![]() | 6179 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | D44H11 | 50 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 10 a | 10 µA | Npn | 1v @ 400 mA, 8a | 40 @ 4a, 1V | - - - | |||||||
![]() | FJNS3206RBU | - - - | ![]() | 4954 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper | Fjns32 | 300 MW | To-92s | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | ||||||
![]() | MMBT2222AHLT1G | - - - | ![]() | 7339 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | - - - | - - - | MMBT2222 | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||
![]() | MPSW42RLRAG | - - - | ![]() | 5865 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | MPSW42 | 1 w | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 40 @ 30 ma, 10V | 50 MHz | |||||||
![]() | DDTA144VKA-7-F | - - - | ![]() | 9303 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA144 | 200 MW | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 10 Kohms | |||||
![]() | Jan2N5152U3 | 344.9887 | ![]() | 7512 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/544 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | U3 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 1 Ma | 1ma | Npn | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 30 @ 2,5a, 5V | - - - | ||||||||
![]() | 2SD21390pa | - - - | ![]() | 1188 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 3-sip | 2SD2139 | 2 w | MT-4-A1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 3 a | 100 µA | Npn | 1v @ 50 Ma, 2a | 800 @ 500 mA, 4V | 50 MHz | ||||||||
![]() | MT3S113 (TE85L, F) | 0,7000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MT3S113 | 800 MW | S-mini | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 11.8db | 5.3V | 100 ma | Npn | 200 @ 30ma, 5V | 12,5 GHz | 1,45 dB @ 1 GHz | |||||||
![]() | 2SA1943OTU | 5.1500 | ![]() | 2638 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-264-3, to-264aa | 2SA1943 | 150 w | To-264-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 25 | 250 V | 17 a | 5 µA (ICBO) | PNP | 3v @ 800 mA, 8a | 80 @ 1a, 5V | 30 MHz | ||||||
Fmmt493atc | - - - | ![]() | 3338 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt493a | 500 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 60 v | 1 a | 100na | Npn | 500mv @ 100 mA, 1a | 300 @ 250 mA, 10V | 150 MHz | ||||||||
![]() | 2N5830_D26Z | - - - | ![]() | 4621 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2n5830 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 100 v | 200 ma | 50na (ICBO) | Npn | 250mv @ 5 mA, 50 mA | 80 @ 10ma, 5V | - - - | |||||||
![]() | BC848B, 215 | 0,0200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BC84 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | BC857C | 0,0170 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC857 | 150 MW | SOT-23 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-BC857Ctr | Ear99 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 1ma | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||
![]() | 2SB1588 | - - - | ![]() | 7770 | 0.00000000 | Sanken | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | 80 w | To-3Pf | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2SB1588 DK | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 150 v | 10 a | 100 µA (ICBO) | PNP - Darlington | 2,5 V @ 7ma, 7a | 5000 @ 7a, 4V | 50 MHz | |||||||
![]() | NSBC114TDXV6T1G | 0,5100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | NSBC114 | 500 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | - - - | 10kohm | - - - | |||||
![]() | PMBT3904raz | 0,4000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-xfdfn exponiert Pad | PMBT3904 | 480 MW | DFN1412-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 40V | 200 ma | 50na (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | ||||||
![]() | BD435S | - - - | ![]() | 9366 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | BD435 | 36 w | To-126-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 32 v | 4 a | 100 µA | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | 40 @ 10ma, 5V | 3MHz | ||||||
![]() | CP127-2N6301-CT | - - - | ![]() | 2249 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Tablett | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0040 | 1 | 80 v | 8 a | 500 ähm | NPN - Darlington | 3v @ 80 Ma, 8a | 750 @ 4a, 3v | 4MHz | ||||||||
![]() | 2SD2695 (T6cano, F, M. | - - - | ![]() | 9371 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | 2SD2695 | 900 MW | To-92mod | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 60 v | 2 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 1,5 V @ 1ma, 1a | 2000 @ 1a, 2v | 100 MHz | ||||||||
![]() | 2SB1321A0A | - - - | ![]() | 3093 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 3-sip | 2SB1321 | 600 MW | MT-1-A1 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 50 v | 500 mA | 1 µA | PNP | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 85 @ 10ma, 10V | 200 MHz | |||||||
![]() | NE68530-T1 | - - - | ![]() | 5925 | 0.00000000 | Cel | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | NE68530 | 150 MW | SOT-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 7db | 6v | 30 ma | Npn | 75 @ 10ma, 3v | 12GHz | 1,5 dB ~ 2,5 dB @ 2GHz | ||||||
![]() | PMST4403,115 | 0,2200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PMST4403 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 50na (ICBO) | PNP | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 200 MHz | ||||||
![]() | KSH45H11TF | 1.0000 | ![]() | 4431 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | KSH45 | 1,75 w | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 0000.00.0000 | 2.000 | 80 v | 8 a | 10 µA | PNP | 1v @ 400 mA, 8a | 40 @ 4a, 1V | 40 MHz | ||||||
![]() | STX93003-AP | - - - | ![]() | 5351 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | STX93003 | 1,5 w | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 400 V | 1 a | 1ma | PNP | 500 mv @ 100 mA, 500 mA | 16 @ 350 Ma, 5V | - - - | ||||||
Fmmta42qta | 0,0648 | ![]() | 7207 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-fmmta42qtatr | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 300 V | 200 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 40 @ 30 ma, 10V | 50 MHz | |||||||||
![]() | PBSS5240ZX | 0,1563 | ![]() | 5363 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | PBSS5240 | 650 MW | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934068447115 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 40 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 650 MV @ 200 Ma, 2a | 300 @ 1ma, 5v | 150 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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