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Optoisolatoren (15749)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | Feuchtigitesempfindlich (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ISP281GB | 0,5700 |  | 5 | 0.00000000 | ISOCOM -Komponenten 2004 Ltd. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | ISP281 | DC | 1 | Transistor | 4-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,4 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | NTE3043 | 3.1000 | | 68 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE3043 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | - - - | - - - | 80V | 1,5 V (max) | 60 mA | 4000VDC | 70% @ 10 mA | 210% @ 10 mA | 4,5 µs, 3,5 µs | 400mV | |||||||||||||||||
 | 6N138 | 0,8000 | | 2 | 0.00000000 | Lite-on Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | -20 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 6N138 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | - - - | 7v | 1.1V | 20 ma | 5000 VRMs | 300% @ 1,6 mA | 2600% @ 1,6 mA | 1,6 µs, 10 µs | - - - | ||||||||||||||||
 | IL4117-X007 | - - - | | 5551 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd | IL4117 | BSI, CSA, CUR, FIMKO, UR | 1 | Triac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,3 v | 60 mA | 5300 VRMs | 700 V | 300 ma | 200 µA | Ja | 10kV/µs | 1,3 ma | 35 µs | |||||||||||||||||
| RF-817S*-*-f | 0,3100 | | 1188 | 0.00000000 | Refond | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | 4-Sop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2.000 | 5000 VRMs | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HCPL-2211-360E | 1.9545 | | 8414 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL-2211 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 20V | 8-DIP-Möwenflügel | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 ma | 5mb | 30ns, 7ns | 1,5 v | 10 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 5kV/µs, 10kV/µs | 300 ns, 300 ns | |||||||||||||||
 | CNY171 | - - - | | 3015 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 70V | 1,35 v | 100 ma | 5300 VRMs | 40% @ 10 mA | 80% @ 10ma | 2 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||||
 | 4n26s | 0,0900 | | 6 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 100 ma | 5300 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 500mv | ||||||||||||||||||
 | SFH601-3X001 | - - - | | 4521 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | SFH601 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 100V | 1,25 V. | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | |||||||||||||||
| OLH7000.0026 | - - - | | 1925 | 0.00000000 | Skyworks Solutions Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | OLH7000 | - - - | 863-olh7000.0026 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP750 (D4-O-TP1, F) | - - - | | 5978 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP750 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP750 (D4-O-TP1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP188 (GB, e | 0,8300 | | 4747 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP188 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 350 V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||
 | FOD4218V | 6.1300 | | 8588 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | FOD4218 | Ul, vde | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-FOD4218V | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,28 v | 30 ma | 5000 VRMs | 800 V | 300 ma | 500 ähm | NEIN | 10kV/µs | 1,3 ma | 60 µs | ||||||||||||||
| TLP127 (Cano-U, F) | - - - | | 6413 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP127 | DC | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Blei | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP127 (Cano-UF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 ma | 2500 VRMs | 1000% @ 1ma | - - - | 50 µs, 15 µs | 1,2 v | ||||||||||||||||
| OR-MOC3073 (l) | 0,6200 | | 6878 | 0.00000000 | Shenzhen Orient Components Co., Ltd. | - - - | Rohr | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 5007-Oder-MOC3073 (L) | 3.300 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 4n28x | 0,5700 | | 3664 | 0.00000000 | ISOCOM -Komponenten 2004 Ltd. | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 65 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 30V | 1,2 v | 60 mA | 5300 VRMs | 10% @ 10 mA | - - - | - - - | 500mv | ||||||||||||||||
 | H11A817BW | 0,0600 | | 16 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2,4 µs, 2,4 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5300 VRMs | 130% @ 5ma | 260% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||||
| 4n36_nl | 0,0900 | | 6490 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.49.8000 | 32 | - - - | - - - | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | 10 µs, 9 µs | 300mV | ||||||||||||||||
 | ACPL-M62L-500E | 3.4800 | | 11 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads | ACPL-M62 | DC | 1 | Offene Abfluss | 2,7 V ~ 5,5 V. | 5-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 10 ma | 10 MB | 12ns, 12ns | 1,3 v | 8ma | 3750 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 80ns, 80ns | |||||||||||||||
 | PS2561DL-1Y-VWA | - - - | | 8459 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.49.8000 | 400 | 50 ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1,2 v | 40 ma | 5000 VRMs | 130% @ 5ma | 260% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||||||||||||||
 | VOT8025AB-VT2 | 0,4600 | | 4737 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (5 Leads), Möwenflügel | VOT8025 | CQC, Cul, UL, VDE | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 751-VOT8025AB-VT2TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 v | 50 ma | 5300 VRMs | 800 V | 100 ma | 400 µA (Typ) | Ja | 1kV/µs | 5ma | - - - | |||||||||||||||
 | SFH601-2X007 | - - - | | 7703 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | SFH601 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 100V | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | |||||||||||||||
| PS2525L-1-E3-A | - - - | | 8098 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | AC, DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1,3 v | 150 Ma | 5000 VRMs | 20% @ 100 mA | 80% @ 100 mA | - - - | 300mV | |||||||||||||||||
 | PS2565L1-1Y-A | 1.4600 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | PS2565 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 559-PS2565L1-1Y-A | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMs | 80% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||||||||||||
 | PS2561-1-A | 0,6700 | | 5 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Nepoc | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | PS2561 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 559-1082 | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMs | 80% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||||||||||||
| Tlp632 (y, f) | - - - | | 2810 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP632 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP632 (YF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP620-2 (gr, f) | - - - | | 6523 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP620 | AC, DC | 2 | Transistor | 8-DIP | Herunterladen | 264-TLP620-2 (GRF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 55 v | 1,15 V | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||
| MOC3042TVM | 0,6600 | | 3 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | Moc304 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 496 | 1,25 V. | 60 mA | 4170 VRMs | 400 V | 400 µA (Typ) | Ja | 1kV/µs | 10 ma | - - - | |||||||||||||||||||
| TLP5772H (D4TP4, e | 2.6700 | | 6851 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP5772 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 15 V ~ 30 V | 6-so | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - - - | 56ns, 25ns | 1,55 v | 8ma | 5000 VRMs | 1/0 | 35 kV/µs | 150ns, 150ns | ||||||||||||||||||
| TLP781F (D4-GR-SD, f | - - - | | 2574 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP781f | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781F (D4-GR-SDF | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 300% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV |
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