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Optoisolatoren (15749)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Moc119m | - - - |  | 7923 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Darlington | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | - - - | 30V | 1,15 V | 60 mA | 5300 VRMs | 300% @ 10ma | - - - | 3,5 µs, 95 µs | 1V | ||||||||||||||||||
 | SFH601-2 | 1.3400 | | 546 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | SFH601 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 100V | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | Tlp512 (tojs, f) | - - - | | 5010 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP512 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP512 (TOJSF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Hwxx58238 | - - - | | 8105 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | Hwxx5 | - - - | 751-HWXX58238 | Veraltet | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BRT21M-X016 | - - - | | 1013 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | BRT21 | Cul, ur, vde | 1 | Triac | 6-DIP | - - - | 751-BRT21M-X016 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1.16V | 60 mA | 5300 VRMs | 400 V | 300 ma | 500 ähm | Ja | 10kV/µs | 3ma | 35 µs | |||||||||||||||||
| LTV-814-A | 0,1695 | | 7539 | 0.00000000 | Lite-on Inc. | LTV-8x4 | Rohr | Aktiv | -50 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | LTV-814 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 160-LTV-814-A | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 35 V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 20% @ 1ma | 300% @ 1ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||
 | MOC223VM | 0,3600 | | 2 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 8µs, 110 µs | 30V | 1,08 v | 60 mA | 2500 VRMs | 500% @ 1ma | - - - | 10 µs, 125 µs | 1V | ||||||||||||||||||
| VOT8125AG | 0,3990 | | 3735 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm), 5 Leads | VOT8125 | CQC, Cul, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 751-VOT8125AG | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 800 V | 100 ma | 400 µA (Typ) | NEIN | 1kV/µs | 5ma | - - - | |||||||||||||||
 | TLP291 (GB-TP, E) | - - - | | 5477 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP291 | DC | 1 | Transistor | 4-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50 ma | 4 µs, 7 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 400% @ 5ma | 7 µs, 7 µs | 300mV | ||||||||||||||||
 | 4n263s | - - - | | 5161 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n26 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4N263S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 100 ma | 5300 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 500mv | |||||||||||||||
 | SFH615A-3X006 | 0,8900 | | 4077 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | SFH615 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 70V | 1,35 v | 60 mA | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP750 (D4-SANYD, F) | - - - | | 6698 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP750 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP750 (D4-SANYDF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ISQ74 | 0,6787 | | 3349 | 0.00000000 | ISOCOM -Komponenten 2004 Ltd. | ISQ74 | Rohr | Aktiv | -25 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 16-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 58-Isq74 | Ear99 | 8541.49.8000 | 25 | 50 ma | 2,6 µs, 2,2 µs | 50V | 1,2 v | 50 ma | 5300 VRMs | 12,5% @ 16 Ma | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||
 | Fod617bsd | - - - | | 9346 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,35 v | 50 ma | 5000 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | - - - | 400mV | ||||||||||||||||||
| ACFL-5211U-060E | 2.6710 | | 1596 | 0.00000000 | Broadcom Limited | R²couper ™ | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 12-BSOP (0,295 ", 7,50 mm Breit) | ACFL-5211 | DC | 2 | Transistor | 12-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 80 | 8ma | - - - | 20V | 1,55 v | 20 ma | 5000 VRMs | 32% @ 10 mA | 100% @ 10ma | 150ns, 500 ns | - - - | |||||||||||||||
 | PS9821-2-F4-A | - - - | | 4086 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DC | 2 | Offener Sammler | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-SSOP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 25 ma | 15 mbit / s | 20ns, 5ns | 1,65 v | 15 Ma | 2500 VRMs | 2/0 | 15kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||
| 5962-8957201yc | 182.0700 | | 4618 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-smd, Hinterngelenk | 5962-8957201 | DC | 2 | Open Collector, Schottky Klemmte | 4,5 V ~ 5,5 V. | 16-SMD-Buttfuge | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 ma | 10 mbit / s | 30ns, 24ns | - - - | 60 mA | 1500VDC | 2/0 | 1kV/µs | 100 ns, 100 ns | |||||||||||||||
| OCI934 | 0,5900 | | 14 | 0.00000000 | Texas Instrumente | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PC847XIJ000F | - - - | | 5950 | 0.00000000 | Scharfe Mikroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | -30 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-SMD, Möwenflügel | DC | 4 | Transistor | 16-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 25 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||||
 | TIL111VM | 1.0000 | | 6233 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 2ma | 10 µs, 10 µs (max) | 30V | 1,2 v | 60 mA | 7500vpk | - - - | - - - | - - - | 400mV | |||||||||||||||||||
 | VO3023-X017T | 0,3432 | | 1588 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | VO3023 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | CQC, CSA, Cul, Fimko, UL, VDE | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | 751-VO3023-X017TTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,3 v | 50 ma | 5000 VRMs | 400 V | 100 ma | 200 µA (Typ) | NEIN | 100 V/µs | 5ma | - - - | ||||||||||||||||||
 | FODM121FR2 | - - - | | 9376 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM12 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 400mV | ||||||||||||||||
| SFH628A-4x016 | 1.4100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | SFH628 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 3,5 µs, 5 µs | 55 v | 1.1V | 50 ma | 5300 VRMs | 160% @ 1ma | 500% @ 1ma | 6 µs, 5,5 µs | 400mV | |||||||||||||||
| JantX4N24U | 34.5292 | | 8339 | 0.00000000 | TT Electronics/optek -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-lcc | Jantx4 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-LCC (4,32 x 6,22) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 10 ma | 20 µs, 20 µs (max) | 35 V | 1,3 V (max) | 50 ma | 1000vdc | 100% @ 10ma | - - - | - - - | 300mV | |||||||||||||||
| TLP785 (D4-LF6, f | - - - | | 5826 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP785 (D4-LF6F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
| H11AG1VM | 0,4400 | | 7 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 732 | 50 ma | - - - | 30V | 1,25 V. | 50 ma | 4170 VRMs | 100% @ 1ma | - - - | 5 µs, 5 µs | 400mV | |||||||||||||||||||
| TLP750 (Nemic-LF2, f | - - - | | 4421 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP750 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP750 (Nemic-LF2F | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP9104 (SND-TPL, F) | - - - | | 5940 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | 264-TLP9104 (SND-TPLF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HCPL-0370-060E | 2.1533 | | 2282 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | HCPL-0370 | AC, DC | 1 | Darlington | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 30 ma | 20 µs, 0,3 µs | 20V | - - - | 3750 VRMs | - - - | - - - | 4 µs, 10 µs | - - - | ||||||||||||||||
| VOH1016AD | 1.1000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | VOH1016 | DC | 1 | Offener Sammler | 16V | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 2MHz | 50ns, 40ns | 1.1V | 50 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 10kV/µs | 2 µs, 1,2 µs |
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