SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Genehmigungsbehörde Anzahl der Kanäle Ausgangstyp SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS Feuchtigitesempfindlich (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Strom - Ausgang / Kanal DatEnrate Aufstieg / Fallzeit (Typ) Spannung - Ausgang (max) Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) Strom - DC Forward (if) (max) Spannung - Isolation Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Strom - Hold (ih) Eingänge - SETE 1/SETE 2 Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) Strom Halbertragungsverhöltnis (min) Strom Halbertragungsverhöltnis (max) Einschalen / Ausschalten (Typ) VCE -Sättigung (max) NULL -KREUZungskreis Statischer DV/DT (min) Strom - LED -Tigger (IFT) (max) Zeit Drehen
PS9814-1-A CEL PS9814-1-A - - -
RFQ
ECAD 9834 0.00000000 Cel - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DC 1 Offener Sammler 4,5 V ~ 5,5 V. 8-SSOP Herunterladen 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.49.8000 100 25 ma 10 mbit / s 20ns, 10ns 1,65 v 20 ma 2500 VRMs 1/0 10kV/µs 75ns, 75ns
TLP9114B(PED-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B (PED-TL, F) - - -
RFQ
ECAD 8768 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Schüttgut Veraltet - - - 264-TLP9114B (PED-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP781(D4GRL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4grl-LF6, f - - -
RFQ
ECAD 8041 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP781 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781 (D4grl-LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 5ma 200% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
ACPL-827-W0BE Broadcom Limited ACPL-827-W0BE 0,3395
RFQ
ECAD 5179 0.00000000 Broadcom Limited - - - Rohr Aktiv -30 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 0,400 ", 10,16 mm) ACPL-827 DC 2 Transistor 8-DIP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 50 50 ma 4 µs, 3 µs 70V 1,2 v 50 ma 5000 VRMs 130% @ 5ma 260% @ 5ma - - - 200mv
TLP2468(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2468 (f) - - -
RFQ
ECAD 5641 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) TLP2468 DC 1 Offener Sammler 2,7 V ~ 5,5 V. 8-so Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) TLP2468f Ear99 8541.49.8000 100 25 ma 20mb 30ns, 30ns 1,57 v 25ma 3750 VRMs 1/0 15kV/µs 60ns, 60 ns
TLP750(D4-O-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (D4-O-TP4, F) - - -
RFQ
ECAD 1204 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP750 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP750 (D4-O-TP4F) Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP552(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552 (f) - - -
RFQ
ECAD 7108 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP552 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP552 (f) Ear99 8541.49.8000 50
TLP732(D4GRH-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4grH-LF2, f - - -
RFQ
ECAD 1476 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP732 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP732 (D4grH-LF2F Ear99 8541.49.8000 50
TLP626(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (LF5, F) - - -
RFQ
ECAD 2264 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP626 AC, DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 264-TLP626 (LF5F) Ear99 8541.49.8000 1 50 ma 8 µs, 8 µs 55 v 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 1ma 1200% @ 1ma 10 µs, 8 µs 400mV
TLP291(BL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (BL-TP, SE 0,6100
RFQ
ECAD 7938 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) TLP291 DC 1 Transistor 4-so Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 2.500 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,25 V. 50 ma 3750 VRMs 200% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 300mV
EL4502S1(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL4502S1 (TA) 0,7503
RFQ
ECAD 3664 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 8-smd, Möwenflügel EL4502 DC 1 Transistor 8-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) C170000069 Ear99 8541.49.8000 1.000 8ma - - - 20V 1,45 v 25 ma 5000 VRMs 19% @ 16ma 50% @ 16 ma 350ns, 300 ns - - -
140817144400 Würth Elektronik 140817144400 0,2900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Würdh Elektronik WL-OCPT Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel DC 1 Transistor 4-DIP-SLM Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.500 50 ma 3 µs, 4 µs 35 V 1,24 v 60 mA 5000 VRMs 300% @ 5ma 600% @ 5ma - - - 200mv
HCPL-2219#060 Broadcom Limited HCPL-2219#060 - - -
RFQ
ECAD 1490 0.00000000 Broadcom Limited - - - Rohr Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) DC 1 Tri-staat 4,5 V ~ 20V 8-DIP Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 50 25 ma 2,5 MBD 55ns, 15ns 1,5 v 10 ma 3750 VRMs 1/0 2,5 kV/µs 300 ns, 300 ns
EL817(B)-G Everlight Electronics Co Ltd EL817 (B) -G 0,1659
RFQ
ECAD 5716 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) EL817 DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 3908171504 Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 6 µs, 8 µs 80V 1,2 v 60 mA 5000 VRMs 130% @ 5ma 260% @ 5ma - - - 200mv
TLP785F(LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (LF7, f - - -
RFQ
ECAD 9999 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP785 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP785F (LF7F Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP552(MAT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552 (MAT, F) - - -
RFQ
ECAD 3433 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP552 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP552 (MATF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP781F(D4FUNBLL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4funbll, f - - -
RFQ
ECAD 3703 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) TLP781f DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781F (D4funbllf Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 200% @ 5ma 400% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
PS2561D-1Y-V-W-A CEL PS2561D-1Y-VWA - - -
RFQ
ECAD 4560 0.00000000 Cel Nepoc Rohr Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen PS2561D1YVWA Ear99 8541.49.8000 400 50 ma 3 µs, 5 µs 80V 1,2 v 40 ma 5000 VRMs 130% @ 5ma 260% @ 5ma - - - 300mV
TLP9104A(NCN-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A (NCN-TL, F) - - -
RFQ
ECAD 1211 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Schüttgut Veraltet - - - 264-TLP9104A (NCN-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
CNY17F-4X Isocom Components 2004 LTD CNY17F-4X 0,5700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ISOCOM -Komponenten 2004 Ltd. - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) CNY17 DC 1 Transistor 6-DIP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 65 50 ma 2 µs, 2 µs 70V 1,2 v 60 mA 5300 VRMs 160% @ 10 mA 320% @ 10 mA 3 µs, 2,3 µs 400mV
LTV-355T-C Lite-On Inc. LTV-355T-C - - -
RFQ
ECAD 2208 0.00000000 Lite-on Inc. LTV-355T Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel LTV-355 DC 1 Darlington 4-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 80 Ma 60 µs, 53 µs 35 V 1,2 v 50 ma 3750 VRMs 600% @ 1ma 7500% @ 1ma - - - 1V
VOA300-DEFG-X007T Vishay Semiconductor Opto Division VOA300-Defg-X007T - - -
RFQ
ECAD 2479 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division Automobil, AEC-Q102 Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 8-smd, Möwenflügel VOA300 DC 3 Photovoltaik, linearissiert 8-smd Herunterladen 751-VOA300-Defg-X007T Ear99 8541.49.8000 1.000 - - - 800 ns, 800 ns - - - 1,4 v 60 mA 5300 VRMs - - - - - - - - - - - -
TLP2662(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2662 (TP1, F) 1.8800
RFQ
ECAD 8329 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 8-smd, Möwenflügel TLP2662 DC 2 Offener Sammler 2,7 V ~ 5,5 V. 8-smd Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 1.500 25 ma 10 MB 12ns, 3ns 1,55 v 20 ma 5000 VRMs 2/0 20 kV/µs 75ns, 75ns
HCPL-0720-560E Broadcom Limited HCPL-0720-560E 3.3017
RFQ
ECAD 7883 0.00000000 Broadcom Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) HCPL-0720 Logik 1 Push-Pull, Totem Pole 4,5 V ~ 5,5 V. 8 Also Groß Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.500 10 ma 25mb 9ns, 8ns - - - - - - 3750 VRMs 1/0 10kV/µs 40ns, 40ns
LTV-816S-TA1-C Lite-On Inc. LTV-816S-TA1-C 0,1043
RFQ
ECAD 2258 0.00000000 Lite-on Inc. LTV-816 Band & Rollen (TR) Aktiv -50 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel LTV-816 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 4 µs, 3 µs 80V 1,2 v 50 ma 5000 VRMs 200% @ 5ma 400% @ 5ma - - - 200mv
TLP750(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (D4-TP1, F) - - -
RFQ
ECAD 8800 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP750 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP750 (D4-TP1F) Ear99 8541.49.8000 1.500
HCC1000 TT Electronics/Optek Technology HCC1000 94.9025
RFQ
ECAD 2170 0.00000000 TT Electronics/optek -technologie - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C. K. Loch Bis 78-6 Metalldose DC 1 - - - To-78-6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 50 50 ma 20 µs, 20 µs (max) 40V 1,9 V (max) 40 ma 1000vdc - - - - - - - - - 300mV
EL3051S1(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd EL3051S1 (TB) -V 0,4452
RFQ
ECAD 3947 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel EL3051 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL, VDE 1 Triac 6-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 3903510015 Ear99 8541.49.8000 1.000 1,18 v 60 mA 5000 VRMs 600 V 100 ma 250 µA (Typ) NEIN 1kV/µs 15 Ma - - -
VOT8024AD-V Vishay Semiconductor Opto Division VOT8024AD-V 1.3000
RFQ
ECAD 5282 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) VOT8024 CQC, Cul, UL, VDE 1 Triac 4-DIP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 100 1,2 v 50 ma 5300 VRMs 800 V 100 ma 400 µA (Typ) Ja 1kV/µs 5ma - - -
PC123X1YIP1B SHARP/Socle Technology PC123X1YIP1B - - -
RFQ
ECAD 5403 0.00000000 Sharp/Socle -technologie PC123 Rohr Aktiv -30 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel PC123X1 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen Ear99 8541.49.8000 5.000 50 ma 4 µs, 3 µs 80V 1,2 v 50 ma 890vpk 50% @ 5ma 400% @ 5ma - - - 200mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerlager