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Optoisolatoren (15749)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | Feuchtigitesempfindlich (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTE3085 | 6.1000 |  | 431 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Mosfet | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE3085 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | - - - | - - - | - - - | 1,3 v | 60 mA | 7500vpk | - - - | - - - | 25 µs, 25 µs | - - - | |||||||||||||||||
 | EL3032S (TA) | - - - | | 7211 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | EL3032 | CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3903320004 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,5 V (max) | 60 mA | 5000 VRMs | 250 V | 100 ma | 280 µA (Typ) | Ja | 1kV/µs | 10 ma | - - - | |||||||||||||||
 | TLP781F (D4grt7fd, f | - - - | | 4341 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP781f | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781F (D4grt7fdftr | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 300% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | CNY17-1X007T | 0,8000 | | 290 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | CNY17 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 70V | 1,39 v | 60 mA | 5000 VRMs | 40% @ 10 mA | 80% @ 10ma | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | HCPL-0738-060 | - - - | | 3890 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DC | 2 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8 Also Groß | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 2 Ma | 15mb | 20ns, 25ns | 1,5 v | 20 ma | 3750 VRMs | 2/0 | 10kV/µs | 60ns, 60 ns | ||||||||||||||||
 | 5962-9085501KXA | 517.4838 | | 4552 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | 5962-9085501 | DC | 1 | Open Collector, Schottky Klemmte | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-DIP-Möwenflügel | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 ma | 10 MB | 35ns, 35ns | 1,5 v | 20 ma | 1500VDC | 1/0 | 1kV/µs | 100 ns, 100 ns | |||||||||||||||
| BRT22H-X001 | - - - | | 2703 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Brt22 | Cul, ur, vde | 1 | Triac | 6-DIP | - - - | 751-BRT22H-X001 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1.16V | 60 mA | 5300 VRMs | 600 V | 300 ma | 500 ähm | Ja | 10kV/µs | 2ma | 35 µs | |||||||||||||||||
| 8269050000 | - - - | | 2199 | 0.00000000 | Weidmüller | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 40 ° C. | Din -schien | Modul | AC, DC | 1 | Transistor | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 5 | 2a | - - - | 24 v | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||
| RV1S2211ACCSP-10YC#KC0 | 0,6700 | | 2597 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 115 ° C. | Oberflächenhalterung | 0,295 ", 7,50 mm Breit) | RV1S2211 | DC | 1 | Transistor | 4-lssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 40 ma | 4 µs, 5 µs | 40V | 1,15 V | 30 ma | 5000 VRMs | 100% @ 1ma | 400% @ 1ma | - - - | 300mV | |||||||||||||||
| TLP120 (GB-TPR, F) | - - - | | 6747 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP120 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-mfsop, 4 Blei | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP120 (GB-TPRF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | IL4116-X016 | - - - | | 7970 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | IL4116 | BSI, CSA, CUR, FIMKO, UR, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,3 v | 60 mA | 5300 VRMs | 600 V | 300 ma | 200 µA | Ja | 10kV/µs | 1,3 ma | 35 µs | ||||||||||||||||
 | 6n138m | 0,2562 | | 7361 | 0.00000000 | Lite-on Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | -20 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | 6N138 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | - - - | 7v | 1.1V | 20 ma | 5000 VRMs | 300% @ 1,6 mA | 2600% @ 1,6 mA | 1,6 µs, 10 µs | - - - | ||||||||||||||||
 | TLP291 (gr-tp, e) | - - - | | 7257 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP291 | DC | 1 | Transistor | 4-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50 ma | 4 µs, 7 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 300% @ 5ma | 7 µs, 7 µs | 300mV | ||||||||||||||||
 | APC-817B1-SL | 0,4500 | | 1 | 0.00000000 | American Bright Optoelectronics Corporation | APC-817 | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | APC-817 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 ma | 3 µs, 4 µs | 35 V | 1,24 v | 60 mA | 5000 VRMs | 130% @ 5ma | 260% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||
 | FODM121R2V | 1.0000 | | 8227 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 400mV | |||||||||||||||||||
| TLP759 (D4MB3F4, J, F. | - - - | | 6129 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP759 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-DIP | Herunterladen | 264-TLP759 (D4MB3F4JF | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 8ma | - - - | - - - | 1,65 v | 25 ma | 5000 VRMs | 20% @ 16 ma | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||
| TLX9185 (pedgbtlf (o | - - - | | 2766 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | 264-TLX9185 (Pedgbtlf (o | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17-4SM | 0,2012 | | 7970 | 0.00000000 | ISOCOM -Komponenten 2004 Ltd. | CNY17-4 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 58-CNY17-4SM | Ear99 | 8541.49.8000 | 65 | 50 ma | 4,6 µs, 15 µs | 70V | 1,2 v | 60 mA | 5300 VRMs | 160% @ 10 mA | 320% @ 10 mA | 6 µs, 25 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | PS2706-1-A | 1.0905 | | 4677 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Nepoc | Streiflen | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | PS2706 | AC, DC | 1 | Darlington | 4-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.49.8000 | 20 | 200 ma | 200 US, 200 µs | 40V | 1.1V | 50 ma | 3750 VRMs | 200% @ 1ma | - - - | - - - | 1V | |||||||||||||||
| TLP2958F (TP4, F) | - - - | | 9421 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 3v ~ 20V | 8-smd | Herunterladen | 264-TLP2958F (TP4F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 ma | 5 mbit / s | 15ns, 10ns | 1,55 v | 25ma | 5000 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||
 | H11A8173S | 0,0600 | | 1304 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50 ma | 2,4 µs, 2,4 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5300 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||||
 | PS2561AL2-1-VA | 0,3425 | | 7305 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Nepoc | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | PS2561 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 559-1295 | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 30 ma | 3 µs, 5 µs | 70V | 1,2 v | 30 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||||||||||||
 | PS9317L-V-E3-AX | 4.0200 | | 5129 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) | PS9317 | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 6-sdip-möwenflügel | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 25 ma | 10 mbit / s | 20ns, 5ns | 1,56 v | 20 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 15kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
 | TLP781F (D4-Y-LF7, f | - - - | | 9772 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP781f | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781F (D4-Y-LF7F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 150% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | FOD8173TR2 | 1.4543 | | 5568 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) | FOD8173 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 3 V ~ 5,5 V. | 6-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 10 ma | 20 mbit / s | 7ns, 7ns | 1,35 v | 20 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 55ns, 55ns | |||||||||||||||
 | EL817S2 (A) (TA) -G | - - - | | 4838 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 6 µs, 8 µs | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 80% @ 5ma | 160% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||||
| TLP127 (TEE-TPR, F) | - - - | | 8429 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP127 | DC | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Blei | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP127 (TEE-TPRF) TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 ma | 2500 VRMs | 1000% @ 1ma | - - - | 50 µs, 15 µs | 1,2 v | ||||||||||||||||
| LDA203S | - - - | | 6880 | 0.00000000 | Ixys Integrierte SchaltungsabeLung | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | LDA203 | DC | 2 | Transistor | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | - - - | - - - | 30V | 1,2 v | 1 Ma | 3750 VRMs | 33% @ 1ma | 1000% @ 1ma | 7 µs, 20 µs | 500mv | |||||||||||||||
 | HMA2701AR1 | - - - | | 9466 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMA270 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 40V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 150% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||||||||||||||
| Tlp785f (grl-t7, f | - - - | | 8075 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP785F (grl-t7ftr | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 200% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV |
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