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Optoisolatoren (15749)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgabe / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (Max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP781F (D4grt7fd, f | - - - |  | 4341 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP781f | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781F (D4grt7fdftr | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 300% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
| PC123X2YUP1B | - - - | | 7429 | 0.00000000 | Sharp/Socle -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -30 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | - - - | - - - | - - - | 200mv | |||||||||||||||||
 | ACPL-824-360E | 0,4583 | | 6190 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -30 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | ACPL-824 | AC, DC | 2 | Transistor | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 20% @ 1ma | 300% @ 1ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||
 | PS2706-1-A | 1.0905 | | 4677 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Nepoc | Streiflen | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | PS2706 | AC, DC | 1 | Darlington | 4-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.49.8000 | 20 | 200 ma | 200 US, 200 µs | 40V | 1.1V | 50 ma | 3750 VRMs | 200% @ 1ma | - - - | - - - | 1V | |||||||||||||||
 | FODM121R2V | 1.0000 | | 8227 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 400mV | |||||||||||||||||||
| EL816 (S1) (Y) (TD) | - - - | | 1961 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | EL816 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 150% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||
| TLP759 (D4MB3F4, J, F. | - - - | | 6129 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP759 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-DIP | Herunterladen | 264-TLP759 (D4MB3F4JF | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 8ma | - - - | - - - | 1,65 v | 25 ma | 5000 VRMs | 20% @ 16 ma | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||
 | TLP3073 (LF1, f | 2.0100 | | 2749 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (5 Leads), Möwenflügel | TLP3073 | CQC, cur, ur | 1 | Triac | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,15 V | 50 ma | 5000 VRMs | 800 V | 100 ma | 1 Ma (Typ) | NEIN | 2kV/µs (Typ) | 5ma | - - - | ||||||||||||||||
| TLP785 (GRH-LF6, f | - - - | | 5475 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP785 (GRH-LF6F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 150% @ 5ma | 300% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
| TLP628M (LF5, e | 0,9100 | | 9981 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP628 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP628M (LF5E | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 5,5 µs, 10 µs | 350 V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 10 µs, 10 µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | EL3H7 (J) (TA) -G | 0,1500 | | 8780 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | EL3H7 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | C110001327 | Ear99 | 8541.49.8000 | 5.000 | 50 ma | 5 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||
 | H11A1VM | 1.0000 | | 5228 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 50% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 400mV | |||||||||||||||||||
 | EL3083S1 (TA) | 0,6467 | | 2000 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | EL3083 | CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3903830006 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,5 V (max) | 60 mA | 5000 VRMs | 800 V | 100 ma | 280 µA (Typ) | Ja | 600 V/µs | 5ma | - - - | |||||||||||||||
 | ACPL-M72U-000E | 3.2200 | | 124 | 0.00000000 | Broadcom Limited | R²couper ™ | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads | ACPL-M72 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 3 V ~ 5,5 V. | 5-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | - - - | 10ns, 10ns | 1,5 v | 20 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 25kV/µs | 100 ns, 100 ns | ||||||||||||||||
 | EL215 (TB) -V | - - - | | 7142 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | EL215 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | - - - | 1,6 µs, 2,2 µs | 80V | 1,3 v | 60 mA | 3750 VRMs | 20% @ 1ma | - - - | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
| CNY17-3S1 (TA) -V | 0,2154 | | 2598 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | CNY17-3 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3907171764 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 6 µs, 8 µs | 80V | 1,65 V (max) | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 10 µs, 9 µs | 300mV | |||||||||||||||
 | TLP183 (yh, e | 0,5100 | | 1248 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP183 (YHE | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 75% @ 5ma | 150% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||
| H11a3 | 0,0900 | | 3666 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 25 | - - - | - - - | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||||
 | 4n24utx | - - - | | 4795 | 0.00000000 | TT Electronics/optek -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6,22 x 4,32) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | - - - | 20 µs, 20 µs | 35 V | 1,3 V (max) | 40 ma | 1000vdc | 100% @ 10ma | - - - | - - - | 300mV | ||||||||||||||||
 | VO2223 | 2.2600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm), 7 Leads | VO2223 | cur, ur | 1 | Triac, macht | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,3 V (max) | 50 ma | 5300 VRMs | 600 V | 900 Ma | 25ma | NEIN | 210 V/µs (Typ) | 10 ma | - - - | ||||||||||||||||
| TLP9121A (MBHAGBTLF | - - - | | 1213 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | 264-TLP9121A (MBHAGBTLF | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785F (D4TEET7F | - - - | | 5501 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP785F (D4TEET7FTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | H11l1TVM_F132 | - - - | | 3394 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | H11l | DC | 1 | Offener Sammler | 3v ~ 15 V | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1MHz | 100 ns, 100 ns | 1,2 v | 30 ma | 4170 VRMs | 1/0 | - - - | 4 µs, 4 µs | ||||||||||||||||
| EL816 (S1) (y) (TA) | - - - | | 6973 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 150% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||||
 | TLP785 (Bll-TP6, f | - - - | | 3089 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP785 (BLL-TP6FTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
| IL252-X007T | 1.9100 | | 900 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | IL252 | AC, DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,2 v | 60 mA | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | - - - | 400mV | ||||||||||||||||
 | TLP785 (TP6, F) | 0,6400 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | APC-817B1-SL | 0,4500 | | 1 | 0.00000000 | American Bright Optoelectronics Corporation | APC-817 | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | APC-817 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 ma | 3 µs, 4 µs | 35 V | 1,24 v | 60 mA | 5000 VRMs | 130% @ 5ma | 260% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||
| TLP2958F (TP4, F) | - - - | | 9421 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 3v ~ 20V | 8-smd | Herunterladen | 264-TLP2958F (TP4F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 ma | 5 mbit / s | 15ns, 10ns | 1,55 v | 25ma | 5000 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||
 | H11A8173S | 0,0600 | | 1304 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50 ma | 2,4 µs, 2,4 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5300 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 200mv |
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