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Optoisolatoren (15749)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | Feuchtigitesempfindlich (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen | Grad | Qualifikation |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP781F (D4-Y-LF7, f | - - - |  | 9772 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP781f | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781F (D4-Y-LF7F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 150% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||||
 | FOD8173TR2 | 1.4543 | | 5568 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) | FOD8173 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 3 V ~ 5,5 V. | 6-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 10 ma | 20 mbit / s | 7ns, 7ns | 1,35 v | 20 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 55ns, 55ns | |||||||||||||||||
 | EL817S2 (A) (TA) -G | - - - | | 4838 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 6 µs, 8 µs | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 80% @ 5ma | 160% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||||||
 | TLP127 (TEE-TPR, F) | - - - | | 8429 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP127 | DC | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Blei | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP127 (TEE-TPRF) TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 ma | 2500 VRMs | 1000% @ 1ma | - - - | 50 µs, 15 µs | 1,2 v | ||||||||||||||||||
 | LDA203S | - - - | | 6880 | 0.00000000 | Ixys Integrierte SchaltungsabeLung | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | LDA203 | DC | 2 | Transistor | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | - - - | - - - | 30V | 1,2 v | 1 Ma | 3750 VRMs | 33% @ 1ma | 1000% @ 1ma | 7 µs, 20 µs | 500mv | |||||||||||||||||
 | HMA2701AR1 | - - - | | 9466 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMA270 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 40V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 150% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||||||||||||||||
| Tlp785f (grl-t7, f | - - - | | 8075 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP785F (grl-t7ftr | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 200% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||||
| TLX9291 (FDKGBTLF (o | - - - | | 7115 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | 264-TLX9291 (FDKGBTLF (o | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 4N38SM | 0,7900 | | 227 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n38 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100 ma | - - - | 80V | 1,15 V | 80 Ma | 4170 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 5 µs | 1V | |||||||||||||||||
 | FOD817DW | - - - | | 8092 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | FOD817 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 300% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||||
 | ISP827SM | 0,2757 | | 8751 | 0.00000000 | ISOCOM -Komponenten 2004 Ltd. | ISP827 | Rohr | Aktiv | -30 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 2 | Transistor | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 58-SISP827SM | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 35 V | 1,2 v | 50 ma | 5300 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||||
| FOD4216SV | - - - | | 9711 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | FOD4216 | Cul, Fimko, UL, VDE | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 40 | 1,28 v | 30 ma | 5000 VRMs | 600 V | 500 ähm | NEIN | 10kV/µs | 1,3 ma | 60 µs | |||||||||||||||||||||
| TLP512 (LF1, F) | - - - | | 7502 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP512 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP512 (LF1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Fod2711asd | 1.6800 | | 855 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | FOD2711 | DC | 1 | Transistor | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1,5 V (max) | 5000 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | - - - | 400mV | ||||||||||||||||||
 | SFH6286-4X001T | 1.4100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | SFH6286 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 3,5 µs, 5 µs | 55 v | 1.1V | 50 ma | 5300 VRMs | 160% @ 1ma | 500% @ 1ma | 6 µs, 5,5 µs | 400mV | |||||||||||||||||
 | MOC8111TM | 0,1900 | | 2 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 2 µs, 11 µs | 70V | 1,15 V | 90 Ma | 7500vpk | 20% @ 10 mA | - - - | 3 µs, 18 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | CNY17-3s (TA) | 0,7700 | | 623 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | CNY17-3 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 6 µs, 8 µs | 80V | 1,65 V (max) | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 10 µs, 9 µs | 300mV | ||||||||||||||||||
| ISP281GB | 0,5700 | | 5 | 0.00000000 | ISOCOM -Komponenten 2004 Ltd. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | ISP281 | DC | 1 | Transistor | 4-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,4 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||
 | NTE3043 | 3.1000 | | 68 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE3043 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | - - - | - - - | 80V | 1,5 V (max) | 60 mA | 4000VDC | 70% @ 10 mA | 210% @ 10 mA | 4,5 µs, 3,5 µs | 400mV | |||||||||||||||||||
 | 6N138 | 0,8000 | | 2 | 0.00000000 | Lite-on Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | -20 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 6N138 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | - - - | 7v | 1.1V | 20 ma | 5000 VRMs | 300% @ 1,6 mA | 2600% @ 1,6 mA | 1,6 µs, 10 µs | - - - | ||||||||||||||||||
 | Tlx9905 (tpl, f | 4.0500 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLX9905 | DC | 1 | Photovoltaik | 6-Sop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | - - - | - - - | 7v | 1,65 v | 30 ma | 3750 VRMs | - - - | - - - | 300 µs, 1 ms | - - - | Automobil | AEC-Q101 | |||||||||||||||||
 | IL4117-X007 | - - - | | 5551 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd | IL4117 | BSI, CSA, CUR, FIMKO, UR | 1 | Triac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,3 v | 60 mA | 5300 VRMs | 700 V | 300 ma | 200 µA | Ja | 10kV/µs | 1,3 ma | 35 µs | |||||||||||||||||||
| RF-817S*-*-f | 0,3100 | | 1188 | 0.00000000 | Refond | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | 4-Sop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2.000 | 5000 VRMs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-2211-360E | 1.9545 | | 8414 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL-2211 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 20V | 8-DIP-Möwenflügel | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 ma | 5mb | 30ns, 7ns | 1,5 v | 10 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 5kV/µs, 10kV/µs | 300 ns, 300 ns | |||||||||||||||||
| CNY171 | - - - | | 3015 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 70V | 1,35 v | 100 ma | 5300 VRMs | 40% @ 10 mA | 80% @ 10ma | 2 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| 4n26s | 0,0900 | | 6 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 100 ma | 5300 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 500mv | ||||||||||||||||||||
 | SFH601-3X001 | - - - | | 4521 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | SFH601 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 100V | 1,25 V. | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | |||||||||||||||||
| OLH7000.0026 | - - - | | 1925 | 0.00000000 | Skyworks Solutions Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | OLH7000 | - - - | 863-olh7000.0026 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HCPL2611V | 1.2300 | | 1 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 10 mbit / s | 50ns, 12ns | 1,4 v | 50 ma | 2500 VRMs | 1/0 | 10kV/µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||||||
| TLP750 (D4-O-TP1, F) | - - - | | 5978 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP750 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP750 (D4-O-TP1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 |
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