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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | R1ex24512asas0i#S1 | 6.0100 | ![]() | 896 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0051 | 250 | ||||||||||||||||||
![]() | R1QAA7236RBG-22RB0 | 29.2300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
GS82582D38GE-550i | 492.0000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | GS82582D38 | SRAM - Quad -Port, Synchron, Qdr II+ | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FPBGA (15x17) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 2364-GS82582D38GE-550i | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 550 MHz | Flüchtig | 288mbit | Sram | 8m x 36 | Parallel | - - - | ||||
![]() | NM93C46MT8X | 0,5900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | 93c46 | Eeprom | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-soic | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 1kbit | Eeprom | 64 x 16 | Mikrowire | 10 ms | ||||
![]() | MT53D512M32D2DS-046 IT: d | 19.0000 | ![]() | 1723 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | MT53D512M32D2DS-046it: d | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 512 mx 32 | - - - | - - - | |||
![]() | MT58L32L32PT-6 | 10.9700 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | SRAM - Standard | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 166 MHz | Flüchtig | 1Mbit | 3,5 ns | Sram | 32k x 32 | Parallel | - - - | ||||
![]() | CY7C1460AV25-200BZXC | 62.5100 | ![]() | 330 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Nobl ™ | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | Cy7C1460 | SRAM - Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2,625 V. | 165-FBGA (15x17) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 5 | 200 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 3.2 ns | Sram | 1m x 36 | Parallel | - - - | Nicht Verifiziert | ||||
![]() | LC3564CM-70U-TLM-E | 1.4000 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 0000.00.0000 | 1.000 | |||||||||||||||||||
![]() | M10042040054x0pway | 13.8276 | ![]() | 6756 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | M10042040054 | MRAM (Magnetoresistiver Ram) | 1,71v ~ 2 V | 8-dfn (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 800-M10042040054x0pway | Ear99 | 8542.32.0071 | 225 | 54 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | RAM | 1m x 4 | - - - | - - - | ||||
![]() | 5962-8687512YA | 179.7756 | ![]() | 5281 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Lets Kaufen | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-lcc | 5962-8687512 | SRAM - Dual -Port, Synchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-LCC (14.22 x 14,22) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 800-5962-8687512YA | 8542.32.0041 | 34 | Flüchtig | 8kbit | 45 ns | Sram | 1k x 8 | Parallel | 45ns | ||||
![]() | 5962-3829414mxa | - - - | ![]() | 1352 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | K. Loch | 28-CDIP (0,600 ", 15,24 mm) | 5962-3829414 | SRAM - Synchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-cdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 800-5962-3829414mxa | Veraltet | 13 | Flüchtig | 64Kbit | 25 ns | Sram | 8k x 8 | Parallel | 25ns | ||||
![]() | 5962-8687507UA | - - - | ![]() | 4830 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-Flatpack | 5962-8687507 | SRAM - Dual -Port, Synchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-Fpack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 800-5962-8687507UA | Veraltet | 9 | Flüchtig | 8kbit | 55 ns | Sram | 1k x 8 | Parallel | 55ns | |||||
![]() | 5962-8687504xa | - - - | ![]() | 3673 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | K. Loch | 48-DIP (0,600 ", 15,24 mm) | 5962-8687504 | SRAM - Dual -Port, Synchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-Seitig | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 800-5962-8687504XA | Veraltet | 8 | Flüchtig | 8kbit | 45 ns | Sram | 1k x 8 | Parallel | 45ns | ||||
![]() | 8403611ja | - - - | ![]() | 5135 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | K. Loch | 24-CDIP (0,600 ", 15,24 mm) | 840361 | SRAM - Synchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 24-CDIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 800-8403611ja | Veraltet | 15 | Flüchtig | 16Kbit | 55 ns | Sram | 2k x 8 | Parallel | 55ns | ||||
![]() | 5962-8976404mxa | - - - | ![]() | 3534 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | K. Loch | 48-DIP (0,600 ", 15,24 mm) | 5962-8976404 | SRAM - Dual -Port, Synchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-Seitig | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 800-5962-8976404mxa | Veraltet | 8 | Flüchtig | 32Kbit | 55 ns | Sram | 4k x 8 | Parallel | 55ns | ||||
![]() | M30082040108x0iway | 20.3740 | ![]() | 2257 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | M30082040108 | MRAM (Magnetoresistiver Ram) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-dfn (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 800-m30082040108x0iway | Ear99 | 8542.32.0071 | 225 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | RAM | 2m x 4 | - - - | - - - | ||||
![]() | M30082040108x0isay | 20.3740 | ![]() | 5954 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | M30082040108 | MRAM (Magnetoresistiver Ram) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 800-m30082040108x0isay | Ear99 | 8542.32.0071 | 150 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | RAM | 2m x 4 | - - - | - - - | ||||
![]() | 04184Arlac-5n | 43,2000 | ![]() | 841 | 0.00000000 | IBM | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 4mbit | Sram | 256k x 18 | ||||||||||||||
![]() | MT58L64L36PT-7,5 | 4.2600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | SRAM - Standard | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | Flüchtig | 2mbit | 4 ns | Sram | 64k x 36 | Parallel | - - - | ||||
![]() | CY7C1471V25-133AXC | 148.8400 | ![]() | 569 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Nobl ™ | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | Cy7C1471 | SRAM - Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2,625 V. | 100-TQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 72Mbit | 6,5 ns | Sram | 2m x 36 | Parallel | - - - | Nicht Verifiziert | ||||
![]() | CAT28LV256G25 | - - - | ![]() | 4148 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-LCC (J-Lead) | CAT28LV256 | Eeprom | 3v ~ 3,6 V | 32-PLCC (13.97x11.43) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | Nicht Flüchtig | 256Kbit | 250 ns | Eeprom | 32k x 8 | Parallel | 10 ms | ||||
![]() | MT57W2MH8CF-4 | 28.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | SRAM - Synchron | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (13x15) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 250 MHz | Flüchtig | 18mbit | 450 ps | Sram | 2m x 8 | Hstl | - - - | ||||
![]() | MT58L64L18FT-8.5 | 5.4600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | MT58L64L18 | SRAM - Synchron | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 100 MHz | Flüchtig | 1Mbit | 8.5 ns | Sram | 64k x 18 | Parallel | - - - | |||
![]() | CY7C1665KV18-450BZXC | 316.6300 | ![]() | 245 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | Cy7C1665 | SRAM - Synchron, Qdr II+ | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (15x17) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 1 | 450 MHz | Flüchtig | 144mbit | Sram | 4m x 36 | Parallel | - - - | Nicht Verifiziert | |||||
![]() | INT70P1784 | - - - | ![]() | 8356 | 0.00000000 | IBM | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | Cat24c04lgi | - - - | ![]() | 5711 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CAT24C04 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | 8-Pdip | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 kHz | Nicht Flüchtig | 4kbit | 900 ns | Eeprom | 512 x 8 | I²c | 5 ms | |||
![]() | 3229L7640 | - - - | ![]() | 3241 | 0.00000000 | IBM | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 1 | ||||||||||||||||||||
Cat93C66vgi-1.8-T3 | 0,1000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Cat93c66 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V. | 8-soic | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 2 MHz | Nicht Flüchtig | 4kbit | Eeprom | 512 x 8, 256 x 16 | Mikrowire | - - - | |||||
![]() | MT54V1MH18EF-7,5 | - - - | ![]() | 4730 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | QDR® | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | SRAM - Synchron | 2,4 V ~ 2,6 V. | 165-FBGA (13x15) | Herunterladen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 18mbit | 3 ns | Sram | 1m x 18 | Hstl | - - - | |||||||
![]() | S29GL128N90ffar20 | - - - | ![]() | 3310 | 0.00000000 | Infineon -technologien | GL-n | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | S29GL128 | Flash - Nor | 3v ~ 3,6 V | 64-FBGA (13x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 90 ns | Blitz | 16m x 8, 8m x 16 | Parallel | 90ns |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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