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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
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![]() | 70V05S12Pfi | - - - | ![]() | 1870 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-LQFP | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 64-TQFP (14x14) | - - - | 800-70V05S12PFI | 1 | Flüchtig | 64Kbit | 12 ns | Sram | 8k x 8 | Parallel | 12ns | |||||||||
![]() | 7143SA55GB | - - - | ![]() | 8419 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | K. Loch | 68-BPGA | 7143SA | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 68-PGA (29.46x29.46) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3a001a2c | 8542.32.0041 | 3 | Flüchtig | 32Kbit | 55 ns | Sram | 2k x 16 | Parallel | 55ns | ||||
![]() | S29PL127J80BFI010 | 16.5339 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | PL-J | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 80-VFBGA | S29PL127 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 80-FBGA (8x11) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | Nicht Anwendbar | Verkäfer undefiniert | 3a991b1a | 8542.32.0070 | 16 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 80 ns | Blitz | 8m x 16 | Parallel | 80ns | Nicht Verifiziert | |||
![]() | GD25LQ32ETIGY | 0,6080 | ![]() | 4126 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-Sop | Herunterladen | 1970-GD25LQ32ETIGY | 4,320 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 6 ns | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 60 µs, 2,4 ms | ||||||||
Cat24aa01wi-g | 0,1700 | ![]() | 6414 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Cat24aa01 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 1kbit | 400 ns | Eeprom | 128 x 8 | I²c | 5 ms | ||||
![]() | S34ML04G100TFV000 | - - - | ![]() | 9186 | 0.00000000 | SkyHigh Memory Limited | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | S34ML04 | - - - | ROHS -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 2120-S34ML04G100TFV000 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Verifiziert | ||||||||||||||||
![]() | CY7C1011CV33-10ZXI | 4.3400 | ![]() | 7079 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-Soic (0,400 ", 10,16 mm Breit) | Cy7c1011 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 32-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 2mbit | 10 ns | Sram | 128k x 16 | Parallel | 10ns | ||||
![]() | LE25S20XATAG | - - - | ![]() | 1366 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFBGA, WLCSP | LE25S20 | Blitz | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-WLCSP (1,55x1,53) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 5.000 | 40 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | Blitz | 256k x 8 | Spi | 3,5 ms | ||||
![]() | Sm671pxelbfss | 77.2400 | ![]() | 2180 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1984-sm671pxelbfss | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | Fm25v02-g | 4.5600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | F-RAM ™ | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FM25V02 | Fram (Ferroelektrischer Ram) | 2v ~ 3,6 V | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2832-fm25v02-g | Ear99 | 8542.32.0071 | 110 | 40 MHz | Nicht Flüchtig | 256Kbit | Fram | 32k x 8 | Spi | - - - | |||||
![]() | S29GL01GP12FAI010 | 13.0000 | ![]() | 236 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | GL-P | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | S29GL01 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (13x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2832-S29GL01GP12FAI010 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 39 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 120 ns | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | 120ns | |||||
![]() | MT53E2G64D8EG-046 WT: c | - - - | ![]() | 5062 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT53E2G64D8EG-046WT: c | 1.260 | |||||||||||||||||||
![]() | 71V30L25TF8 | - - - | ![]() | 7688 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-LQFP | 71v30 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 64-TQFP (10x10) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 500 | Flüchtig | 8kbit | 25 ns | Sram | 1k x 8 | Parallel | 25ns | ||||
W631gu6nb15i tr | 4.8100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-VFBGA | W631gu6 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V, 1.425 V ~ 1,575 V. | 96-VFBGA (7,5x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 3.000 | 667 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | ||||
![]() | SST26VF040A-80E/MF | 1.5600 | ![]() | 588 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | SST26 SQI® | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | SST26VF040 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-WDFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 150-SSST26VF040A-80E/MF | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 98 | 80 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | Blitz | 512k x 8 | Spi - quad i/o | 1,5 ms | |||
![]() | P770020CF5C000 | - - - | ![]() | 8985 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | - - - | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | DK280531 | - - - | ![]() | 5035 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
IS61LV25616AL-10TLI | 4.7200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS61LV25616 | SRAM - Asynchron | 3,135 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 135 | Flüchtig | 4mbit | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 10ns | |||||
![]() | S99GL128S90TFI010 | 3.6700 | ![]() | 141 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2832-S99GL128S90TFI010 | Ear99 | 8542.39.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | Mem3800-256u1024d-c | 37,5000 | ![]() | 5151 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-MEM3800-256U1024D-C | Ear99 | 8473.30.9100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CY7C1312SV18-167BZC | 39.9400 | ![]() | 792 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | Cy7C1312 | SRAM - Synchron, Qdr II | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (13x15) | - - - | Nicht Anwendbar | 3a991b2a | 8 | 167 MHz | Flüchtig | 18mbit | Sram | 1m x 18 | Parallel | - - - | Nicht Verifiziert | ||||||
IS46DR16640C-3DBLA2-TR | 5.9400 | ![]() | 1230 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | IS46DR16640 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-TWBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 2.500 | 333 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 450 ps | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | ||||
![]() | S34ML04G200TFI900 | 1.6700 | ![]() | 714 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | ML-2 | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | S34ML04 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1 | Nicht Flüchtig | 4Gbit | Blitz | 512 MX 8 | Parallel | 25ns | |||||||
![]() | IDT71T75902S80BGGI | - - - | ![]() | 1924 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 119-Bga | IDT71T75 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 2.375 V ~ 2,625 V. | 119-PBGA (14x22) | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 71T75902S80BGGI | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 84 | Flüchtig | 18mbit | 8 ns | Sram | 1m x 18 | Parallel | - - - | ||||
![]() | AT28HC64BF-70JU | - - - | ![]() | 3488 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 32-LCC (J-Lead) | AT28HC64 | Eeprom | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-PLCC (13.97x11.43) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 32 | Nicht Flüchtig | 64Kbit | 70 ns | Eeprom | 8k x 8 | Parallel | 10 ms | ||||
![]() | NLQ26PFS-8NAT | 8.8663 | ![]() | 7230 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 200-FBGA (10x14,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 1982-NLQ26PFS-8NAT | 136 | 1,2 GHz | Flüchtig | 2Gbit | 3,5 ns | Dram | 128 MX 16 | LVSTL | 18ns | ||||||
![]() | S25FS064SDSNFV033 | 2.6075 | ![]() | 8846 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Fs-s | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-wlga | S25FS064 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 8-lga (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 4.000 | 80 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | - - - | ||||
![]() | IDT71V416L10YI | - - - | ![]() | 5791 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IDT71V416 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 44-soj | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 71v416l10yi | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 16 | Flüchtig | 4mbit | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 10ns | |||
![]() | S29WS064RABBHI010 | - - - | ![]() | 2029 | 0.00000000 | Infineon -technologien | WS-R | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-VFBGA | S29WS064 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 1,95 V. | 84-FBGA (11,6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 200 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 80 ns | Blitz | 4m x 16 | Parallel | 60ns | |||
![]() | 7005SJ | - - - | ![]() | 9559 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Lets Kaufen | - - - | Oberflächenhalterung | 68-LCC (J-Lead) | SRAM - Dual -Port, Asynchron | - - - | 68-PLCC (24.21x24.21) | - - - | 800-7005SJ | 1 | Flüchtig | 64Kbit | Sram | 8k x 8 | Parallel | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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