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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT45W512KW16PEGA-70 WT TR | - - - |  | 2698 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 48-VFBGA | MT45W512KW16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 48-VFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 8mbit | 70 ns | Psram | 512k x 16 | Parallel | 70ns | ||||
 | IS43TR16128B-093NBL-TR | - - - | | 4315 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43TR16128 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-TWBGA (9x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43TR16128B-093NBL-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 1.066 GHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | ||
 | 707288L15Pfi | - - - | | 3661 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 100-TQFP (14x14) | - - - | 800-707288L15PFI | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 15 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 15ns | |||||||||
| MT62F1G32D2DS-023 AAT: c | 31.9350 | | 2429 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C. | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1,05 v | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | 557-MT62F1G32D2DS-023AAT: c | 1 | 3,2 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | Parallel | - - - | |||||||||
 | W25Q64JVzesq | - - - | | 3361 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | W25Q64 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (8x6) | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W25Q64JVzesq | 1 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 6 ns | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 3 ms | |||||
 | R1EX25512ATA00I#S0 | 6.7700 | | 5934 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | R1ex25xxx | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V. | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3A991B1B2 | 8542.32.0051 | 3.000 | 5 MHz | Nicht Flüchtig | 512Kbit | 60 ns | Eeprom | 64k x 8 | Spi | 5 ms | |||||
 | 7130SA35J8 | - - - | | 6717 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 52-LCC (J-Lead) | 7130SA | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 52-PLCC (19.13x19.13) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 400 | Flüchtig | 8kbit | 35 ns | Sram | 1k x 8 | Parallel | 35ns | ||||
| 7016S25J8 | - - - | | 6746 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 68-LCC (J-Lead) | 7016S25 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 68-PLCC (24.21x24.21) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 250 | Flüchtig | 144Kbit | 25 ns | Sram | 16k x 9 | Parallel | 25ns | ||||
 | MEM-DR440L-CL01-SO21-C | 25.7500 | | 5745 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-MEM-DR440L-Cl01-SO21-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | BR25S128FV-WE2 | 1.0627 | | 2722 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-LSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | BR25S128 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | 8-SSOP-B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 20 MHz | Nicht Flüchtig | 128Kbit | Eeprom | 16k x 8 | Spi | 5 ms | ||||
| Cat93C56YGI-T3 | 0,1200 | | 9 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | Cat93C56 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-tssop | Herunterladen | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-CAT93C56YGI-T3-488 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 2 MHz | Nicht Flüchtig | 2kbit | 250 ns | Eeprom | 128 x 16, 256 x 8 | Mikrowire | - - - | |||
 | 11AA080T-I/SN | 0,3600 | | 4421 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | 11AA080 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 3.300 | 100 kHz | Nicht Flüchtig | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | Einzelkabel | 5 ms | ||||
 | R1EX24032ASA00I#S0 | 1.7100 | | 12 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.31.0001 | 2.500 | ||||||||||||||||||
 | MT48H8M16LFB4-75: k | - - - | | 8209 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT48H8M16 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 54-VFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | 15ns | |||
 | IS25LP040E-JNLE-TR | 0,4000 | | 3 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | IS25LP040 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | 8 ns | Blitz | 512k x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 1,2 ms | |||
 | DS1265AB-70+ | - - - | | 7666 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrierert | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | K. Loch | 36-Dip-Modul (0,610 ", 15,49 mm) | DS1265AB | NVSRAM (NICTFLÜCHTIGES SRAM) | 4,75 V ~ 5,25 V. | 36-EDIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 9 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 70 ns | NVSRAM | 1m x 8 | Parallel | 70ns | ||||
| 7025S35GI | - - - | | 3400 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | K. Loch | 84-BPGA | 7025S35 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 84-PGA (27,94 x 27,94) | - - - | 800-7025S35GI | Veraltet | 1 | Flüchtig | 128Kbit | 35 ns | Sram | 8k x 16 | Parallel | 35ns | |||||||
| MT29F4T08EULEEM4-QC: e | 105.9150 | | 3388 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | 557-MT29F4T08EULEEM4-QC: e | 1 | ||||||||||||||||||||||
| S27KL0643GABHI020 | 4.2525 | | 7973 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hyperram ™ Kl | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-vbga | Psram (pseudo sram) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-FBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3a991b2 | 8542.32.0041 | 3.380 | 200 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 35 ns | Psram | 8m x 8 | Spi - oktal i/o | 35ns | ||||||
 | 7130SA20PF | - - - | | 7959 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-LQFP | 7130SA | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 64-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 45 | Flüchtig | 8kbit | 20 ns | Sram | 1k x 8 | Parallel | 20ns | ||||
| 70V26L15JI8 | - - - | | 5124 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-LCC (J-Lead) | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 84-PLCC (29,31 x 29,31) | - - - | 800-70V26L15JI8TR | 1 | Flüchtig | 256Kbit | 15 ns | Sram | 16k x 16 | Parallel | 15ns | |||||||||
| S80KS2563GABHV023 | 11.1650 | | 6336 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hyperram ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-vbga | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 2 V | 24-FBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.500 | 200 MHz | Flüchtig | 256mbit | 35 ns | Psram | 32m x 8 | Spi - oktal i/o | 35ns | ||||||
| MTFC4GLWDM-4M AAT A TR | 11.0850 | | 8067 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | MTFC4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | MTFC4GLWDM-4MAATATR | 0000.00.0000 | 2.000 | |||||||||||||||||
 | CY7C144-55JC | - - - | | 6106 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 68-LCC (J-Lead) | Cy7C144 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 68-PLCC (24,23 x 24,23) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 64Kbit | 55 ns | Sram | 8k x 8 | Parallel | 55ns | Nicht Verifiziert | |||
 | 70V3589S133BCI8 | 197.0600 | | 4903 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 256-lbga | 70V3589 | SRAM - Dual -Port, Synchron | 3,15 V ~ 3,45 V. | 256-Cabga (17x17) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 4 (72 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 2mbit | 4.2 ns | Sram | 64k x 36 | Parallel | - - - | |||
 | W25X16VZPIG T & R | - - - | | 2554 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | W25X16 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.500 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi | 3 ms | ||||
 | MX25V1606FM1I03 | 0,4900 | | 13 | 0.00000000 | MACRONIX | MXSMIO ™ | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MX25V1606 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 98 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi - dual i/o | 75 µs, 4 ms | ||||
| IS25LE01G-RILE-TR | 11.3848 | | 2500 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24 lbga | Flash - Nor (SLC) | 2,3 V ~ 3,6 V. | 24-LFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25LE01G-RILE-TR | 2.500 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 8 ns | Blitz | 128 MX 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 50 µs, 1 ms | ||||||
 | N25Q128A21BF840E | - - - | | 6945 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | N25Q128A21 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 320 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 32m x 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | |||||
 | IDT71256SA12YI8 | - - - | | 1181 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm Breit) | IDT71256 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-soj | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 71256SA12YI8 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 256Kbit | 12 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 12ns |
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