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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 881901-B21-C | 615.0000 |  | 5216 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-881901-B21-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | IS46TR16128B-125KBLA1-TR | - - - | | 3135 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS46TR16128 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 800 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | |||
 | S28HL01GTFPBHI030 | 22.9700 | | 2 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hl-t | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-vbga | S28HL01 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-FBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 260 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Spi - oktal i/o | - - - | ||||
 | W25N02JWZIC | 5.1852 | | 2972 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | W25N02 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 8-Wson (8x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W25N02JWZIC | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 480 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 2Gbit | 8 ns | Blitz | 256 mx 8 | Spi - quad i/o, dtr | 700 µs | ||
 | MT29C4G48MAZAPAKQ-5 IT | - - - | | 9155 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 168-WFBGA | MT29C4G48 | Flash - NAND, Mobile LPDRam | 1,7 V ~ 1,95 V. | 168-WFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) | Blitz, Ram | 256 MX 16 (NAND), 64 MX 32 (LPDRAM) | Parallel | - - - | ||||
 | IS49NLC96400A-18WBL | 52.0065 | | 8723 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-TWBGA (11x18.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS49NLC96400A-18WBL | 104 | 533 MHz | Flüchtig | 576mbit | 15 ns | Dram | 64m x 9 | Hstl | - - - | |||||
 | SST39VF1602C-70-4I-B3KE | 1.9350 | | 5836 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | SST39 MPF ™ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | SST39VF1602 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 480 | Nicht Flüchtig | 16mbit | 70 ns | Blitz | 1m x 16 | Parallel | 10 µs | ||||
| MT53E4D1BHJ-DC | 22.5000 | | 8794 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | MT53E4 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT53E4D1BHJ-DC | 1.360 | ||||||||||||||||||||
| CG8404AAT | - - - | | 8700 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 750 | ||||||||||||||||||
 | CY7C1550KV18-450BZC | 228.9200 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | Cy7C1550 | SRAM - Synchron, DDR II+ | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (13x15) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 136 | 450 MHz | Flüchtig | 72Mbit | Sram | 2m x 36 | Parallel | - - - | Nicht Verifiziert | |||||
| M29F800FT55M3F2 TR | - - - | | 7551 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) | M29F800 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 44 Also | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 500 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 55 ns | Blitz | 1m x 8, 512k x 16 | Parallel | 55ns | ||||
 | Cat93C57V-26528 | 0,1700 | | 1 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Cat93C57 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V. | 8-soic | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 2kbit | Eeprom | 256 x 8, 128 x 16 | Mikrowire | - - - | ||||
| MX25S6473FZCI42 | 1.8684 | | 2868 | 0.00000000 | MACRONIX | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 3 (168 Stunden) | 1092-MX25S6473FZCI42TR | 9.000 | |||||||||||||||||||||
 | Ndt18pfh-8kit tr | - - - | | 2628 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-VFBGA | NDT18 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 78-FBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 2.500 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | |||
 | CY7C1366C-166AXC | 14.1600 | | 144 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | Cy7C1366 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 72 | 166 MHz | Flüchtig | 9mbit | 3,5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | |||
 | AT27BV512-70RU | - - - | | 7407 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 28-SOIC (0,342 ", 8,69 mm Breit) | AT27BV512 | Eprom - OTP | 2,7 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B1B2 | 8542.32.0061 | 26 | Nicht Flüchtig | 512Kbit | 70 ns | Eprom | 64k x 8 | Parallel | - - - | ||||
 | 71321la55j | - - - | | 6032 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 52-LCC (J-Lead) | 71321la | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 52-PLCC (19.13x19.13) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 24 | Flüchtig | 16Kbit | 55 ns | Sram | 2k x 8 | Parallel | 55ns | ||||
 | MX25V40066M1I02 | 0,2657 | | 5327 | 0.00000000 | MACRONIX | MXSMIO ™ | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | - - - | 3 (168 Stunden) | 1092-MX25V40066M1I02 | 98 | 80 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | 8 ns | Blitz | 2m x 2, 4m x 1 | Spi | 200 µs, 5 ms | |||||||
| W971GG8NB-18I TR | 2.7826 | | 8170 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-VFBGA | W971GG8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-VFBGA (8x9,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W971GG8NB-18itr | Ear99 | 8542.32.0032 | 2.500 | 533 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 350 ps | Dram | 128 MX 8 | SSTL_18 | 15ns | ||
 | BQ4011LYMA-70N | - - - | | 2473 | 0.00000000 | Texas Instrumente | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | K. Loch | 28-Dip-Modul (0,61 ", 15,49 mm) | BQ4011 | NVSRAM (NICTFLÜCHTIGES SRAM) | 3v ~ 3,6 V | 28-Dip-Modul (18.42x37.72) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8473.30.1180 | 12 | Nicht Flüchtig | 256Kbit | 70 ns | NVSRAM | 32k x 8 | Parallel | 70ns | ||||
 | IDT71V416VS10Y8 | - - - | | 8315 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IDT71V416 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 44-soj | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 71V416VS10Y8 | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 500 | Flüchtig | 4mbit | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 10ns | |||
 | IDT71V416VS10PH | - - - | | 5635 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IDT71V416 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 44-tsop II | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 71V416VS10PH | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 26 | Flüchtig | 4mbit | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 10ns | |||
| 7005S35JG8 | - - - | | 8708 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 68-LCC (J-Lead) | 7005S35 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 68-PLCC (24.21x24.21) | - - - | 800-7005S35JG8TR | Veraltet | 250 | Flüchtig | 64Kbit | 35 ns | Sram | 8k x 8 | Parallel | 35ns | |||||||
| MT53D4DAKA-DC Tr | - - - | | 1203 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | - - - | - - - | MT53D4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 2.000 | Flüchtig | Dram | ||||||||||||
 | CY62158GE30-45BVXI | 15.4000 | | 1801 | 0.00000000 | Infineon -technologien | MBL® | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-VFBGA | Cy62158 | SRAM - Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V. | 48-VFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 8mbit | 45 ns | Sram | 1m x 8 | Parallel | 45ns | ||||
 | Upd44645184af5-e50-FQ1 | 71.5600 | | 11 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
 | 7005L35PFG8 | - - - | | 6188 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-LQFP | 7005L35 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 64-TQFP (14x14) | - - - | 800-7005L35PFG8TR | Veraltet | 250 | Flüchtig | 64Kbit | 35 ns | Sram | 8k x 8 | Parallel | 35ns | |||||||
 | CAT24C08YI-GT3 | 0,2800 | | 37 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | CAT24C08 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 400 kHz | Nicht Flüchtig | 8kbit | 900 ns | Eeprom | 1k x 8 | I²c | 5 ms | |||
 | 24fc01-e/st | 0,3200 | | 14 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | 24FC01 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 1kbit | 450 ns | Eeprom | 128 x 8 | I²c | 5 ms | |||
 | 2102-1n | 21.7700 | | 328 | 0.00000000 | Rochester Electronics, LLC | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 |
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