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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | STK14C88-5L35M | - - - |  | 1289 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-LCC (J-Lead) | STK14C88 | NVSRAM (NICTFLÜCHTIGES SRAM) | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-PLCC (11.43x13.97) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a001a2c | 8542.32.0041 | 68 | Nicht Flüchtig | 256Kbit | 35 ns | NVSRAM | 32k x 8 | Parallel | 35ns | ||||
 | S99JL064J60TFI000 | - - - | | 1425 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 | ||||||||||||||||||||
 | W77Q32JWSFIO | 1.4299 | | 5883 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | W77Q32 | Blitz | 1,7 V ~ 1,95 V. | 16-soic | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 256-W77Q32JWSFIO | 176 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | - - - | Spi - quad i/o, qpi | - - - | ||||||
 | IS25WP256D-JMLE | 5.3900 | | 263 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | IS25WP256 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 800 µs | ||||
 | 70V658S10BF | 188.0752 | | 8508 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 208-LFBGA | 70v658 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 3,15 V ~ 3,45 V. | 208-Cabga (15x15) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 7 | Flüchtig | 2mbit | 10 ns | Sram | 64k x 36 | Parallel | 10ns | ||||
| 70V07S45PFI8 | - - - | | 1671 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 80-LQFP | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 80-TQFP (14x14) | - - - | 800-70V07S45PFI8TR | 1 | Flüchtig | 256Kbit | 45 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 45ns | |||||||||
| AS4C256M16MD4V-062BAN | 20.5900 | | 136 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 200-FBGA (10x14,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 1450-AS4C256M16MD4V-062BAN | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 1,6 GHz | Flüchtig | 2Gbit | 3,5 ns | Dram | 128 MX 16 | LVSTL | 18ns | ||||
 | AT93C66B-MAHM-E | 0,3600 | | 5 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-UFDFN Exposed Pad | 93c66b | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | 8-udfn (2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 15.000 | 2 MHz | Nicht Flüchtig | 4kbit | Eeprom | 512 x 8, 256 x 16 | 3-Draht-Serie | 5 ms | ||||
 | Ft24c04a-kdr-b | - - - | | 6267 | 0.00000000 | Fremont Micro Devices Ltd. | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Ft24c04 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V. | 8-DIP | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 4kbit | 550 ns | Eeprom | 512 x 8 | I²c | 5 ms | |||
 | 882344-B21-C | 166.2500 | | 2569 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-882344-B21-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 70T3599S166BC | 224.9656 | | 2156 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 256-lbga | 70T3599 | SRAM - Dual -Port, Synchron | 2,4 V ~ 2,6 V. | 256-Cabga (17x17) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 6 | 166 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 3.6 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | |||
 | CY7C1148KV18-450BZXC | - - - | | 5232 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | Cy7C1148 | SRAM - Synchron, DDR II+ | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 136 | 450 MHz | Flüchtig | 18mbit | Sram | 1m x 18 | Parallel | - - - | ||||
 | IDT71V67603S133PF | - - - | | 8177 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IDT71V67603 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 71V67603S133PF | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | Flüchtig | 9mbit | 4.2 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | ||
 | W25X40VSSIG | - - - | | 5153 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | W25x40 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | Blitz | 512k x 8 | Spi | 3 ms | ||||
 | AT27LV256A-90JU | 2.9600 | | 2703 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 32-LCC (J-Lead) | AT27LV256 | Eprom - OTP | 3 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-PLCC (13.97x11.43) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | AT27LV256A90JU | Ear99 | 8542.32.0061 | 32 | Nicht Flüchtig | 256Kbit | 90 ns | Eprom | 32k x 8 | Parallel | - - - | |||
| M28W160ECB70ZB6U TR | - - - | | 3552 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 46-tfbga | M28W160 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 46-TFBGA (6.39x6.37) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.500 | Nicht Flüchtig | 16mbit | 70 ns | Blitz | 1m x 16 | Parallel | 70ns | ||||
 | BR24T256FV-WE2 | 0,9900 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-LSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | BR24T256 | Eeprom | 1,6 V ~ 5,5 V. | 8-SSOP-B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 400 kHz | Nicht Flüchtig | 256Kbit | Eeprom | 32k x 8 | I²c | 5 ms | ||||
| S34MS01G200TFI900 | - - - | | 9522 | 0.00000000 | SkyHigh Memory Limited | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | S34ms01 | - - - | ROHS -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 2120-S34MS01G200TFI900 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Verifiziert | ||||||||||||||||
 | C-32C12864-PC400 | 17.5000 | | 9426 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-C-32C12864-PC400 | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MX66L1G45GXDI-08G | 18.0400 | | 11 | 0.00000000 | MACRONIX | MXSMIO ™ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MX66L1 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-CSPBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 480 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Spi - quad i/o, dtr | 60 µs, 3 ms | ||||
 | MX25U1633FM2I | 0,7500 | | 19 | 0.00000000 | MACRONIX | MXSMIO ™ | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | MX25U1633 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2 V | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1092-mx25U1633fm2i | Ear99 | 8542.32.0071 | 92 | 80 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o | 100 µs, 4 ms | |||
| IDT71V3578S150PF | - - - | | 2179 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IDT71V3578 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 71V3578S150PF | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 72 | 150 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 3.8 ns | Sram | 256k x 18 | Parallel | - - - | ||
| MTFC32GLUDM-WT | - - - | | 5751 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Schüttgut | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | - - - | MTFC32G | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | MMC | - - - | ||||||
| IS25WP256D-RMLE-TY | 4.2121 | | 7731 | 0.00000000 | Vishay Vitramon | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS25WP256D-RMLE-TY | 176 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | ||||||
 | S-24CS02ADP-G | - - - | | 5481 | 0.00000000 | Ablic Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | S-24CS02 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V. | 8-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 400 kHz | Nicht Flüchtig | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²c | 10 ms | ||||
 | CAT24C128LGI | 0,3400 | | 1702 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CAT24C128 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V. | 8-Pdip | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 128Kbit | 400 ns | Eeprom | 16k x 8 | I²c | 5 ms | |||
| EDFB232A1MA-GD-FD | - - - | | 8640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | - - - | - - - | EDFB232 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1,14 V ~ 1,95 V. | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.680 | 800 MHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | Parallel | - - - | |||||
 | IS25LP016D-JULE-TR | 0,7583 | | 3691 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-UFDFN Exposed Pad | IS25LP016 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-uson (2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 5.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | 7 ns | Blitz | 2m x 8 | SPI, QPI | 800 µs | |||
 | AT25DN011-SSHF-T | 0,5300 | | 25 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | AT25DN011 | Blitz | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 1Mbit | Blitz | 128k x 8 | Spi | 8µs, 1,75 ms | ||||
 | CAT28C64BKI-15 | - - - | | 1669 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) | Cat28c64 | Eeprom | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-soic | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-cat28c64bki-15-488 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | Nicht Flüchtig | 64Kbit | 150 ns | Eeprom | 8k x 8 | 5 ms | Nicht Verifiziert |
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