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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IDT71V67603S150PF8 | - - - |  | 5419 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IDT71V67603 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 71V67603S150PF8 | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | 150 MHz | Flüchtig | 9mbit | 3.8 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | ||
 | Cy62146esl-45zsxit | 11.1800 | | 25 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MBL® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | Cy62146 | SRAM - Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V. | 44-tsop II | Herunterladen | Rohs Nick Konform | Nicht Anwendbar | Verkäfer undefiniert | 2832-cy62146esl-45zsxittr | 3a991b2a | 8542.32.0040 | 45 | Flüchtig | 4mbit | 45 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 45ns | Nicht Verifiziert | ||
 | Cat24C08Li-g | - - - | | 5126 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CAT24C08 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | 8-Pdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 400 kHz | Nicht Flüchtig | 8kbit | 900 ns | Eeprom | 1k x 8 | I²c | 5 ms | |||||
 | CAT24C128HU3I-GT3 | - - - | | 1024 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-UFDFN Exposed Pad | CAT24C128 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V. | 8-udfn (2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 128Kbit | 400 ns | Eeprom | 16k x 8 | I²c | 5 ms | |||
 | CY7C1470V25-167AXC | 129.4200 | | 120 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Nobl ™ | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | Cy7C1470 | SRAM - Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2,625 V. | 100-TQFP (14x20) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 72 | 167 MHz | Flüchtig | 72Mbit | 3.4 ns | Sram | 2m x 36 | Parallel | - - - | Nicht Verifiziert | ||||
 | Cat93C46BWI-GT3 | - - - | | 6348 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Cat93c46b | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 4 MHz | Nicht Flüchtig | 1kbit | Eeprom | 128 x 8, 64 x 16 | Mikrowire | 5 ms | ||||
 | RM25C256C-LSNI-B | - - - | | 8039 | 0.00000000 | Adesto Technologies | Mavriq ™ | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RM25C256 | Cbram | 1,65 V ~ 3,6 V. | 8-soic | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0051 | 98 | 10 MHz | Nicht Flüchtig | 256Kbit | CBRAM® | 64 Bytes Seitengröße | Spi | 100 µs, 5 ms | ||||
 | 70V631S10PRFI8 | - - - | | 8828 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 128-LQFP | 70v631 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 3,15 V ~ 3,45 V. | 128-TQFP (14x20) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 4,5mbit | 10 ns | Sram | 256k x 18 | Parallel | 10ns | |||||
 | CAT24C16YI-G | - - - | | 6470 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | Cat24C16 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 kHz | Nicht Flüchtig | 16Kbit | 900 ns | Eeprom | 2k x 8 | I²c | 5 ms | |||
 | DS28E01P-BOS+T | - - - | | 1506 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrierert | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 6-smd, J-Lead | DS28E01 | Eeprom | 2,85 V ~ 5,25 V | 6-tSoc | - - - | ROHS3 -KONFORM | 175-ds28e01p-bos+ttr | Veraltet | 4.000 | Nicht Flüchtig | 1kbit | 2 µs | Eeprom | 256 x 4 | 1-Wire® | - - - | ||||||
 | SST38VF6401-90-5C-B3KE | 6.5800 | | 6079 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | SST38 | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | SST38VF6401 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 480 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 90 ns | Blitz | 4m x 16 | Parallel | 10 µs | ||||
 | Sm671pxc-adss | - - - | | 6968 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-UFS ™ | Tablett | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 153-tfbga | SM671 | Flash - Nand (SLC), Flash - Nand (TLC) | - - - | 153-BGA (11,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 1984-sm671pxc-adss | Veraltet | 1 | Nicht Flüchtig | 160gbit | Blitz | 20g x 8 | UFS2.1 | - - - | ||||||
 | STK14D88-NF45itr | - - - | | 2990 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) | STK14D88 | NVSRAM (NICTFLÜCHTIGES SRAM) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 32-soic | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 256Kbit | 45 ns | NVSRAM | 32k x 8 | Parallel | 45ns | ||||
 | UCSV-MR-1X162RY-AC | 62,5000 | | 4551 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-UCSV-MR-1X162RY-AC | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | W631GG6MB11J Tr | - - - | | 4766 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-VFBGA | W631GG6 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-VFBGA (7,5x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W631GG6MB11JTR | 3.000 | 933 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | ||||
 | A2887204-C | 17.5000 | | 4357 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-A2887204-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | IS61NLP51236-200B3LI | - - - | | 5751 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61NLP51236 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | Flüchtig | 18mbit | 3.1 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | |||
| IS25LP01GG-RHLE | 13.1000 | | 7587 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | * | Tablett | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25LP01GG-RHLE | 480 | ||||||||||||||||||||
| C-4800D5SR8S/8G | 82,5000 | | 6972 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-C-4800D5SR8S/8G | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | IS42S81600E-7TL-TR | - - - | | 8381 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S81600 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 143 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 16 mx 8 | Parallel | - - - | |||
 | W25Q32JWSNIQ | - - - | | 5989 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | W25Q32 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 1,95 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W25Q32JWSNIQ | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 100 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 6 ns | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 5 ms | ||
| AS7C31026B-15Tin | 4.0100 | | 300 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 44-tsop2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1450-AS7C31026B-15tin | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | Flüchtig | 1Mbit | 15 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 15ns | ||||
| FM25V05-PGC | - - - | | 3633 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Fram (Ferroelektrischer Ram) | 2v ~ 3,6 V | 8-soic | - - - | Veraltet | 1 | 40 MHz | Nicht Flüchtig | 512Kbit | 9 ns | Fram | 64k x 8 | Spi | - - - | ||||||||
| AT45DB041E-SSHN-T | 1.3700 | | 2722 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | AT45DB041 | Blitz | 1,65 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 85 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | Blitz | 264 Bytes x 2048 Sitzen | Spi | 8µs, 3 ms | ||||
 | IDT71V416S15YI | - - - | | 6089 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IDT71V416 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 44-soj | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 71V416S15YI | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 16 | Flüchtig | 4mbit | 15 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 15ns | |||
| MT62F1G32D2DS-023 AAT: b | 31.9350 | | 2628 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Kasten | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1,05 v | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | 557-MT62F1G32D2DS-023AAT: b | 1 | 4,266 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | Parallel | - - - | |||||||||
 | CY7C1170KV18-400BZXC | 38.8100 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | Cy7C1170 | SRAM - Synchron, DDR II+ | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 8 | 400 MHz | Flüchtig | 18mbit | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | Nicht Verifiziert | |||||
| 70V9389L6PRF8 | - - - | | 4507 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 128-LQFP | 70v9389 | SRAM - Dual -Port, Synchron | 3v ~ 3,6 V | 128-TQFP (14x20) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 1.125mbit | 6,5 ns | Sram | 64k x 18 | Parallel | - - - | ||||
 | S25FS512SDSBHM210 | 15.5700 | | 3844 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q100, FS-S | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | S25FS512 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 24-bga (8x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 338 | 80 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | - - - | ||||
 | A2810658-C | 17.5000 | | 8763 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-A2810658-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
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