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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS43LR16160H-6BLI | 5.3162 | ![]() | 3927 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 60-TFBGA (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LR16160H-6BLI | 300 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.5 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | 15ns | ||||||
![]() | NDQ48PFQ-8NIT | 7.9800 | ![]() | 5104 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDQ48P | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (7,5 x 10,6) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 1982-NDQ48PFQ-8nit | 242 | 1,2 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 18 ns | Dram | 512 MX 8 | Pod | 15ns | ||||||
S25FL128SAGBHV200 | - - - | ![]() | 5239 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Fl-s | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | S25FL128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-bga (8x6) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2832-S25FL128SAGBHV200 | 1 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o | - - - | Nicht Verifiziert | ||||||
![]() | CY7C1355C-133AXIT | 7.3000 | ![]() | 325 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Nobl ™ | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | CY7C1355 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20) | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 750 | 133 MHz | Flüchtig | 9mbit | 6,5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | |||
![]() | 71V547S100PFG | 7.1841 | ![]() | 5537 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v547 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 72 | Flüchtig | 4,5mbit | 10 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | ||||
24LC02BHT-E/ST | 0,4350 | ![]() | 7686 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | 24LC02BH | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 400 kHz | Nicht Flüchtig | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²c | 5 ms | ||||
![]() | 70V18S12Pfi | - - - | ![]() | 9598 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Lets Kaufen | - - - | 800-70V18S12PFI | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MT60B2G8HB-48B: a | 16.5750 | ![]() | 4524 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 82-VFBGA | SDRAM - DDR5 | - - - | 82-VFBGA (9x11) | - - - | 557-MT60B2G8HB-48B: a | 1 | 2,4 GHz | Flüchtig | 16gbit | 16 ns | Dram | 2g x 8 | Parallel | - - - | ||||||||
![]() | 71016S15Phi | - - - | ![]() | 9649 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | 71016s | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 44-tsop II | - - - | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 15 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 15ns | ||||
![]() | 670034-001-C | 24.5000 | ![]() | 8024 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-670034-001-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 5962-9166207MXA | 508.6652 | ![]() | 7499 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Lets Kaufen | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | K. Loch | 84-BPGA | 5962-9166207 | SRAM - Dual -Port, Synchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 84-PGA (27,94 x 27,94) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 800-5962-9166207MXA | 3 | Flüchtig | 64Kbit | 35 ns | Sram | 4k x 16 | Parallel | 35ns | |||||
![]() | S-24C128CI-J8T1U3 | 0,4993 | ![]() | 8850 | 0.00000000 | Ablic Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | S-24C128 | Eeprom | 1,6 V ~ 5,5 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.32.0051 | 4.000 | 400 kHz | Nicht Flüchtig | 128Kbit | 900 ns | Eeprom | 16k x 8 | I²c | 5 ms | ||||
![]() | 71V65903S85BG | 26.1188 | ![]() | 8034 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 119-Bga | 71v65903 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 3,135 V ~ 3,465V | 119-PBGA (14x22) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 84 | Flüchtig | 9mbit | 8.5 ns | Sram | 512k x 18 | Parallel | - - - | ||||
![]() | FM25C160LM8X | 0,5100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.500 | ||||||||||||||||||
![]() | Mem3800-64u512cf-c | 85.0000 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-MEM3800-64U512CF-C | Ear99 | 8473.30.9100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MT53E1536M32D4DE-046 AIT: b | 44.2350 | ![]() | 8780 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V. | 200-TFBGA (10x14,5) | - - - | 557-MT53E1536M32D4DE-046AIT: b | 1 | 2.133 GHz | Flüchtig | 48Gbit | 3,5 ns | Dram | 1,5 GX 32 | Parallel | 18ns | ||||||||
![]() | GD25LB512MEF2RR | 7.0523 | ![]() | 3698 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 16-so-sop | - - - | 1970-GD25LB512MEF2RRTR | 1.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | - - - | |||||||||
![]() | GD25LR128ESIGR | 1.6523 | ![]() | 7709 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LR | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-Sop | - - - | 1970-GD25LR128ESIGRTR | 2.000 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o | - - - | |||||||||
![]() | CAT25C08LGI-26736 | 0,1400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CAT25C08 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-Pdip | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 2156-CAT25C08LGI-26736-488 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 10 MHz | Nicht Flüchtig | 8kbit | 40 ns | Eeprom | 1k x 8 | Spi | 5 ms | |||
AT25040A-10TI-1.8 | - - - | ![]() | 5537 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | AT25040 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V. | 8-tssop | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 20 MHz | Nicht Flüchtig | 4kbit | Eeprom | 512 x 8 | Spi | 5 ms | |||||
![]() | MX25V40066ZUI02 | 0,3326 | ![]() | 4257 | 0.00000000 | MACRONIX | MXSMIO ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-UFDFN Exposed Pad | Flash - Nor (SLC) | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-uson (2x3) | - - - | 3 (168 Stunden) | 1092-mx25v40066zui02tr | 12.000 | 80 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | 8 ns | Blitz | 2m x 2, 4m x 1 | Spi | 200 µs, 5 ms | |||||||
![]() | 872970-001-C | 162.0000 | ![]() | 8985 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-872970-001-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S25FL512SAGBHBB10 | 10.5875 | ![]() | 5428 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Fl-s | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | S25FL512 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-bga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.690 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - quad i/o | - - - | ||||
S25FL164K0XBHIS20 | - - - | ![]() | 2502 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | FL1-K | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | S25FL164 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-bga (8x6) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2166-S25FL164K0XBHIS20-428 | 1 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 3 ms | Nicht Verifiziert | ||||||
![]() | IS42VM16200C-75BLI-TR | - - - | ![]() | 8564 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS42VM16200 | Sdram - Mobil | 1,7 V ~ 1,95 V. | 54-TFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 133 MHz | Flüchtig | 32Mbit | 6 ns | Dram | 2m x 16 | Parallel | - - - | |||
![]() | IS42S83200B-6TLI-TR | - - - | ![]() | 9552 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S83200 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 32m x 8 | Parallel | - - - | |||
![]() | AT21CS01-STUM13-T | - - - | ![]() | 7097 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AT21CS01 | Eeprom | 1,7 V ~ 3,6 V. | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 5.000 | 125 kbit / s | Nicht Flüchtig | 1kbit | Eeprom | 128 x 8 | I²C, Einzelkabel | 5 ms | ||||
![]() | GVT71256D36T-5 | 4.4500 | ![]() | 9444 | 0.00000000 | Galvantech | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | GVT71256D | SRAM - Standard | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Flüchtig | 9mbit | 3 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT53E768M64D4HJ-046 AIT: b | 44.2350 | ![]() | 9484 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 556-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V. | 556-WFBGA (12,4x12,4) | - - - | 557-MT53E768M64D4HJ-046AIT: b | 1 | 2.133 GHz | Flüchtig | 48Gbit | 3,5 ns | Dram | 768m x 64 | Parallel | 18ns | ||||||||
![]() | CY7C026AV-25AI | - - - | ![]() | 1177 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Tasche | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | CY7C026 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 256Kbit | 25 ns | Sram | 16k x 16 | Parallel | 25ns | Nicht Verifiziert |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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