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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S27KL0643GABHI020 | 4.2525 |  | 7973 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hyperram ™ Kl | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-vbga | Psram (pseudo sram) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-FBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3a991b2 | 8542.32.0041 | 3.380 | 200 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 35 ns | Psram | 8m x 8 | Spi - oktal i/o | 35ns | ||||||
 | 71321SA35J8 | - - - | | 6226 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 52-LCC (J-Lead) | 71321SA | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 52-PLCC (19.13x19.13) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 400 | Flüchtig | 16Kbit | 35 ns | Sram | 2k x 8 | Parallel | 35ns | ||||
| S25HL512TFAMHM013 | 13.7200 | | 6626 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Semper ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-soic | Herunterladen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.450 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | - - - | ||||||||
 | 24FC1026-i/sn | 4.3000 | | 5978 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | 24FC1026 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 24fc1026isn | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 1Mbit | 400 ns | Eeprom | 128k x 8 | I²c | 5 ms | ||
 | MX75U25690FXDR02 | - - - | | 5236 | 0.00000000 | MACRONIX | MXSMIO ™ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MX75U25690 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2 V | 24-CSPBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1092-1267 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 480 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 64m x 4 | Spi | - - - | |||
 | N25Q016A11ESC40G | - - - | | 6902 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | N25Q016A11 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 8-Sop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.000 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 4m x 4 | Spi | 8 ms, 1 ms | |||||
| S25FL256LAGBHB030 | - - - | | 2450 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | 2156-S25FL256LAGBHB030 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | BR24T04NUX-WTR | 0,3500 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-UFDFN Exposed Pad | BR24T04 | Eeprom | 1,6 V ~ 5,5 V. | VSON008X2030 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 4.000 | 400 kHz | Nicht Flüchtig | 4kbit | Eeprom | 512 x 8 | I²c | 5 ms | ||||
 | IS66WVE4M16ALL-7010BLI-TR | - - - | | 1687 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS66WVE4M16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Psram | 4m x 16 | Parallel | 70ns | ||||
 | CY7C1041DV33-10BVIT | - - - | | 5508 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-VFBGA | CY7C1041 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | - - - | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | Flüchtig | 4mbit | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 10ns | ||||
 | CY7C1481BV25-133AXI | 190.7800 | | 348 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | CY7C1481 | SRAM - Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2,625 V. | 100-TQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | Flüchtig | 72Mbit | 6,5 ns | Sram | 2m x 36 | Parallel | - - - | Nicht Verifiziert | ||||
| MT46H64M32LFKQ-5 IT: c | - - - | | 5935 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | - - - | MT46H64M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 168-WFBGA (12x12) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,008 | 167 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 5 ns | Dram | 64m x 32 | Parallel | 15ns | |||
 | 24AA024HT-I/ST | 0,4050 | | 3736 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | 24AA024 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 400 kHz | Nicht Flüchtig | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²c | 5 ms | |||
 | CY7C1520AV18-200BZI | 102.2300 | | 217 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | CY7C1520 | SRAM - Synchron, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (15x17) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Flüchtig | 72Mbit | Sram | 2m x 36 | Parallel | - - - | ||||
 | 71V65903S85BG | 26.1188 | | 8034 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 119-Bga | 71v65903 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 3,135 V ~ 3,465V | 119-PBGA (14x22) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 84 | Flüchtig | 9mbit | 8.5 ns | Sram | 512k x 18 | Parallel | - - - | ||||
| CG8348AA | - - - | | 4081 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
| HX-ML-X64G4RT-HC | 835.0000 | | 6434 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-HX-ML-X64G4RT-HC | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | STK14C88-5L35M | - - - | | 7215 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-STK14C88-5L35M-428 | 3a001a2c | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
| CG8276AAT | - - - | | 1302 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.500 | ||||||||||||||||||
| SM662PAA-BESS | - - - | | 7888 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-emmc® | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C. | Oberflächenhalterung | 100 lbga | SM662 | Flash - Nand (SLC), Flash - Nand (TLC) | - - - | 100-bga (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1984-SM662PAA-BESS | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1 | Nicht Flüchtig | 40Gbit | Blitz | 5g x 8 | EMMC | - - - | ||||
| 7025S25PFI8 | - - - | | 5054 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 7025S25 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0041 | 750 | Flüchtig | 128Kbit | 25 ns | Sram | 8k x 16 | Parallel | 25ns | |||||
 | IDT71V416YS15Y8 | - - - | | 8864 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IDT71V416 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 44-soj | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 71v416ys15y8 | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 500 | Flüchtig | 4mbit | 15 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 15ns | |||
 | JS28F256P33B95A | - - - | | 7808 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | JS28F256P33 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 96 | 40 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 95 ns | Blitz | 16m x 16 | Parallel | 95ns | |||
 | SM662PXC Bess | 26.9600 | | 5 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-emmc® | Tablett | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | 100 lbga | Flash - Nand (TLC) | - - - | 100-bga (14x18) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.520 | Nicht Flüchtig | - - - | Blitz | EMMC | - - - | |||||||
 | CAT28F020LI12 | - - - | | 3549 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | K. Loch | 32 Dip (0,600 ", 15,24 mm) | CAT28F020 | Blitz | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-Pdip | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 11 | Nicht Flüchtig | 2mbit | 120 ns | Blitz | 256k x 8 | Parallel | 120ns | |||||
 | EMMC128-TY29-5B111 | 16.8700 | | 45 | 0.00000000 | Kingston | - - - | Tablett | Aktiv | -25 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 153-WFBGA | EMMC128 | Flash - Nand (TLC) | 1,8 V, 3,3 V. | 153-WFBGA (11,5x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3217-EMMC128-TY29-5B111 | Ear99 | 8542.31.0001 | 1 | Nicht Flüchtig | 1Tbit | Blitz | 128g x 8 | EMMC | |||||
 | AT45DB321C-ru | - - - | | 5748 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 28-SOIC (0,342 ", 8,69 mm Breit) | AT45DB321 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 28-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 26 | 40 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 528 Bytes x 8192 Sitzen | Spi | 15 ms | ||||
 | CY7C11501KV18-400BZXI | 45.8800 | | 655 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | CY7C11501 | SRAM - Synchron, DDR II+ | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 7 | 400 MHz | Flüchtig | 18mbit | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | Nicht Verifiziert | |||||
 | MT29F4G01AAADDHC-IT: D Tr | - - - | | 5656 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F4G01 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-VFBGA (10,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 4Gbit | Blitz | 4g x 1 | Spi | - - - |
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