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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | R1WV6416RSD-7SI#B0 | 110.7100 |  | 377 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1 | ||||||||||||||||||||
 | 7x77a01302-c | 162.0000 | | 7201 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-7x77a01302-c | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| K6E0808C1E-JC12T | 1.1000 | | 26 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | SRAM - Asynchron | 5v | 28-soj | - - - | 3277-K6E0808C1E-JC12TTR | Ear99 | 8542.32.0041 | 2.000 | Flüchtig | 256Kbit | Sram | 32k x 8 | Parallel | 12ns | Nicht Verifiziert | ||||||||
 | 7024L45J | - - - | | 2766 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-LCC (J-Lead) | 7024L45 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 84-PLCC (29,31 x 29,31) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 15 | Flüchtig | 64Kbit | 45 ns | Sram | 4k x 16 | Parallel | 45ns | ||||
 | W25Q128JVFSQ | - - - | | 6038 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | W25Q128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-soic | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W25Q128JVFSQ | 1 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | 6 ns | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o | 3 ms | |||||
 | A4501458-C | 30.0000 | | 1705 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-A4501458-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | CY62128DV30LL-70SI | 2.4500 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MBL® | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-Soic (0,445 ", 11,30 mm Breit) | Cy62128 | SRAM - Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V. | 32-soic | Herunterladen | Rohs Nick Konform | Ear99 | 8542.32.0041 | 123 | Flüchtig | 1Mbit | 70 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 70ns | Nicht Verifiziert | |||||
| 95Y4808-C | 110.0000 | | 4599 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-95Y4808-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| M58WR064ET70ZB6T | - - - | | 4349 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-VFBGA | M58WR064 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2,2 V. | 56-VFBGA (7,7x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 66 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Blitz | 4m x 16 | Parallel | 70ns | |||
| CY7C1019DV33-8ZSXI | 2.4200 | | 4324 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-Soic (0,400 ", 10,16 mm Breit) | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 32-tsop II | - - - | 2156-cy7c1019dv33-8zsxi | 11 | Flüchtig | 1Mbit | 8 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 8ns | |||||||||
 | CY7C1320KV18-333BZXC | - - - | | 5058 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | CY7C1320 | SRAM - Synchron, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 680 | 333 MHz | Flüchtig | 18mbit | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | ||||
| CY7C12681KV18-400BZC | - - - | | 1015 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | CY7C12681 | SRAM - Synchron, DDR II+ | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (13x15) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 136 | 400 MHz | Flüchtig | 36Mbit | Sram | 2m x 18 | Parallel | - - - | ||||
| CG7872AA | - - - | | 1052 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Nicht Anwendbar | 1 | Nicht Verifiziert | |||||||||||||||||||||
 | MT58L128L36P1T-10 | 7.1600 | | 11 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | MT58L128L36 | Sram | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 4mbit | 5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | |||
 | IS43TR16512AL-107MBLI-TR | - - - | | 5090 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-LFBGA | IS43TR16512 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-LFBGA (10x14) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43TR16512AL-107MBLI-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 933 MHz | Flüchtig | 8gbit | 20 ns | Dram | 512 mx 16 | Parallel | 15ns | ||
| 00D4981-C | 72,5000 | | 5097 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-00D4981-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| GD25WQ64EWIGR | 0,8999 | | 4534 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (5x6) | Herunterladen | 1970-GD25WQ64EWIGRTR | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 12 ns | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 120 µs, 4 ms | ||||||||
| M30162040054x0iway | 34.1348 | | 4385 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | M30162040054 | MRAM (Magnetoresistiver Ram) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-dfn (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 800-M30162040054x0iway | Ear99 | 8542.32.0071 | 225 | 54 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | RAM | 4m x 4 | - - - | - - - | ||||
 | MEM-DR316L-HL01-ER13-C | 37.0000 | | 3855 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-MEM-DR316L-HL01-ER13-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| W25Q64CVSFBG | - - - | | 8263 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | W25Q64 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-soic | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W25Q64CVSFBG | Veraltet | 1 | 80 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 6 ns | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 3 ms | ||||
| E2Q93AA-C | 68.7500 | | 7627 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-e2q93aa-c | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | CY7C037V-15AC | 24.2500 | | 36 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Tasche | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | CY7C037 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 13 | Flüchtig | 576Kbit | 15 ns | Sram | 32k x 18 | Parallel | 15ns | Nicht Verifiziert | |||||
| NDS63PT9-16ET TR | 3.0982 | | 2482 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 1982-NDS63PT9-16ettr | 1.000 | ||||||||||||||||||||
 | AT24C1024B-TH-T. | - - - | | 4124 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | AT24C1024 | Eeprom | 1,8 V ~ 3,6 V. | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 5.000 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 1Mbit | 550 ns | Eeprom | 128k x 8 | I²c | 5 ms | |||
 | MR4A08BUYS45R | 48.8400 | | 5792 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MR4A08 | MRAM (Magnetoresistiver Ram) | 3v ~ 3,6 V | 44-tsop2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 819-MR4A08BUYS45RTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht Flüchtig | 16mbit | 45 ns | RAM | 2m x 8 | Parallel | 45ns | |||
| SM662GBD-BESS | 57.0900 | | 4646 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-emmc® | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 100 lbga | SM662 | Flash - Nand (SLC), Flash - Nand (TLC) | - - - | 100-bga (14x18) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1984-SM662GBD-BESS | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1 | Nicht Flüchtig | 320Gbit | Blitz | 40g x 8 | EMMC | - - - | ||||
 | CY62148BLL-70ZXI | - - - | | 1300 | 0.00000000 | Infineon -technologien | MBL® | Tasche | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-Soic (0,400 ", 10,16 mm Breit) | Cy62148 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-tsop II | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 234 | Flüchtig | 4mbit | 70 ns | Sram | 512k x 8 | Parallel | 70ns | ||||
 | CY7C2665KV18-550BZI | - - - | | 4190 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | Cy7C2665 | SRAM - Synchron, Qdr II+ | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (15x17) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 105 | 550 MHz | Flüchtig | 144mbit | Sram | 4m x 36 | Parallel | - - - | Nicht Verifiziert | |||||||
 | W25Q80EWSNAG | - - - | | 5493 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | W25Q80 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-soic | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W25Q80ewsnag | Veraltet | 1 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | 6 ns | Blitz | 1m x 8 | Spi - quad i/o | 30 µs, 800 µs | ||||
 | W978H2KBVX1I TR | 4.3650 | | 6961 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 134-vfbga | W978H2 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4B | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 134-VFBGA (10x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W978H2KBVX1itr | Ear99 | 8542.32.0024 | 3.500 | 533 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.5 ns | Dram | 8m x 32 | Hsul_12 | 15ns |
2000+
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