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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 70V9079S12PF8 | - - - |  | 1853 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 70v9079 | SRAM - Dual -Port, Synchron | 3v ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 750 | Flüchtig | 256Kbit | 12 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | - - - | ||||
 | 71V67703S80PFGI | - - - | | 6541 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v67703 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 9mbit | 8 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | ||||||
 | 70V639S10BF8 | 188.0754 | | 3181 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 208-LFBGA | 70v639 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 3,15 V ~ 3,45 V. | 208-Cabga (15x15) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 2,25mbit | 10 ns | Sram | 128k x 18 | Parallel | 10ns | ||||
 | CY7C1460AV33-200AXCT | 55.8900 | | 10 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Nobl ™ | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | Cy7C1460 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 750 | 200 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 3.2 ns | Sram | 1m x 36 | Parallel | - - - | Nicht Verifiziert | ||||
 | CY14B116N-Z45XI | 1.0000 | | 8156 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | Cy14b116 | NVSRAM (NICTFLÜCHTIGES SRAM) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | Herunterladen | 1 | Nicht Flüchtig | 16mbit | 45 ns | NVSRAM | 1m x 16 | Parallel | 45ns | Nicht Verifiziert | ||||||||
 | 7140LA100L48B | - - - | | 2261 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-lcc | 7140LA | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-LCC (14.22 x 14,22) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3a001a2c | 8542.32.0041 | 34 | Flüchtig | 8kbit | 100 ns | Sram | 1k x 8 | Parallel | 100ns | ||||
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 | CY7S1041G30-10BVXI | - - - | | 6033 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-VFBGA | Cy7S1041 | SRAM - Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V. | 48-VFBGA (6x8) | Herunterladen | 50 | Flüchtig | 4mbit | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 10ns | Nicht Verifiziert | ||||||||
 | Cy62256-70Sni | - - - | | 9457 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MBL® | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) | Cy62256 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-soic | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 256Kbit | 70 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 70ns | ||||
 | PA3677U-1M4G-C | 30.0000 | | 5388 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-PA3677U-1M4G-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | IDT7164L20YI8 | - - - | | 6996 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm Breit) | IDT7164 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-soj | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 7164L20YI8 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 64Kbit | 20 ns | Sram | 8k x 8 | Parallel | 20ns | |||
 | IS42S32800B-6BLI-TR | - - - | | 7409 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS42S32800 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.5 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | - - - | |||
 | M95320-DRDW8TP/K. | 0,6300 | | 2953 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | M95320 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V. | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 4.000 | 20 MHz | Nicht Flüchtig | 32Kbit | Eeprom | 4k x 8 | Spi | 4 ms | ||||
 | IS41C16100C-50KLI-TR | - - - | | 1027 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 42-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Beitite) | IS41C16100 | Dram - Edo | 4,5 V ~ 5,5 V. | 42-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | Flüchtig | 16mbit | 25 ns | Dram | 1m x 16 | Parallel | - - - | ||||
 | W25Q128JWBIM TR | - - - | | 8196 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | W25Q128 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 1,95 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W25Q128JWBimtr | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o | -, 3 ms | |||
 | S29GL512S12TFIV20 | 8.8900 | | 8651 | 0.00000000 | Infineon -technologien | GL-S | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | S29GL512 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 910 | Nicht Flüchtig | 512mbit | 120 ns | Blitz | 32m x 16 | Parallel | 60ns | ||||
| GD25D80CTIGIGIGR | 0,2783 | | 2411 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25d | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | 1970-GD25D80CTIGRTR | 3.000 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | 6 ns | Blitz | 1m x 8 | Spi - dual i/o | 50 µs, 4 ms | ||||||||
 | S-24C02DI-K8T3U5 | 0,2168 | | 8225 | 0.00000000 | Ablic Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WSSOP, 8-MSOP (0,110 ", 2,80 mm Breit) | S-24C02 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | 8-TMSOP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.32.0051 | 4.000 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 2kbit | 500 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²c | 5 ms | ||||
 | CAT28F001G-12T | - - - | | 9201 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-LCC (J-Lead) | Cat28f001 | Blitz | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-PLCC (11.43x13.97) | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 32 | Nicht Flüchtig | 1Mbit | 120 ns | Blitz | 128k x 8 | Parallel | 120ns | |||||
| 25LC080A-I/W15K | - - - | | 3940 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Sterben | 25LC080 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 5.000 | 10 MHz | Nicht Flüchtig | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | Spi | 5 ms | ||||
 | AS6C1616A-55BIN | - - - | | 3510 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-VFBGA | AS6C1616 | SRAM - Asynchron | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-FPBGA (10x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 16mbit | 55 ns | Sram | 1m x 16 | Parallel | 55ns | ||||
 | AT25128B-MAPDGV-E | - - - | | 1209 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-UFDFN Exposed Pad | AT25128 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-udfn (2x3) | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 15.000 | 5 MHz | Nicht Flüchtig | 128Kbit | Eeprom | 16k x 8 | Spi | 5 ms | |||||
 | SM662GEF BESS | 181.5200 | | 5 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-emmc® | Tablett | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | 100 lbga | Flash - Nand (TLC) | - - - | 100-bga (14x18) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1984-SM662GEFBESS | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 980 | Nicht Flüchtig | - - - | Blitz | EMMC | - - - | ||||||
 | 70V9279S7PRFI | - - - | | 7985 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 128-LQFP | 70v9279 | SRAM - Dual -Port, Synchron | 3v ~ 3,6 V | 128-TQFP (14x20) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 72 | Flüchtig | 512Kbit | 7,5 ns | Sram | 32k x 16 | Parallel | - - - | |||||
 | S29GL256P10FFI010 | 11.1800 | | 6874 | 0.00000000 | Infineon -technologien | GL-P | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | S29GL256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (13x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 180 | Nicht Flüchtig | 256mbit | 100 ns | Blitz | 32m x 8 | Parallel | 100ns | ||||
 | CYDC256B16-55AXI | 8.0900 | | 2 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | Cydc | SRAM - Dual Port, MOBL | 1,7 V ~ 1,9 V, 2,4 V ~ 2,6 V, 3 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8542.32.0041 | 38 | Flüchtig | 256Kbit | 55 ns | Sram | 16k x 16 | Parallel | 55ns | Nicht Verifiziert | |||||
| NDS36PBA-20T | 3.1667 | | 9471 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | Tablett | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 1982-NDS36PBA-20T | 348 | ||||||||||||||||||||
| NLQ83PFS-6NET TR | 24.5100 | | 6862 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 200-FBGA (10x14,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 2.000 | 1,6 GHz | Flüchtig | 8gbit | 3,5 ns | Dram | 256 mx 32 | LVSTL | 18ns | |||||||
| CYD18S18V18-167BBAXC | 93.4900 | | 265 | 0.00000000 | Rochester Electronics, LLC | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 256-lbga | CYD18S18 | SRAM - Dual -Port, Asynchron, Standard | 1,7 V ~ 1,9 V. | 256-FBGA (17x17) | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-CYD18S18V18-167BBAXC-2156 | 3a991 | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | Flüchtig | 18mbit | 4 ns | Sram | 1m x 18 | Parallel | - - - |
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