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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29E256G08CMCDBJ5-6: D Tr | - - - |  | 9478 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-Tbga | MT29E256G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 132-TBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 167 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | Parallel | - - - | ||||
 | 34aaa04t-i/sn | 0,3500 | | 2 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | 34AA04 | Eeprom | 1,7 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 3.300 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 4kbit | 350 ns | Eeprom | 256 x 8 x 2 | I²c | 5 ms | ||
 | 24FC04HT-I/MS | 0,3450 | | 2119 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) | 24FC04 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | 8-msop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 4kbit | 450 ns | Eeprom | 256 x 8 x 2 | I²c | 5 ms | ||
 | 709099L12PF | - - - | | 4818 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 709099l | SRAM - Dual -Port, Synchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | Flüchtig | 1Mbit | 12 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | - - - | |||
 | DS28E01P-BOS+T | - - - | | 1506 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrierert | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 6-smd, J-Lead | DS28E01 | Eeprom | 2,85 V ~ 5,25 V | 6-tSoc | - - - | ROHS3 -KONFORM | 175-ds28e01p-bos+ttr | Veraltet | 4.000 | Nicht Flüchtig | 1kbit | 2 µs | Eeprom | 256 x 4 | 1-Wire® | - - - | |||||
 | 24AA128T-E/ST16KVAO | - - - | | 5648 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | 24AA128 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | 8-tssop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 400 kHz | Nicht Flüchtig | 128Kbit | 900 ns | Eeprom | 16k x 8 | I²c | 5 ms | |||
 | S29GL064S80DHB023 | 4.6550 | | 4687 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q100, GL-S | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | S29GL064 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (9x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.200 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 80 ns | Blitz | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | 60ns | |||
| IS46LQ32128AL-062TBLA1-TR | - - - | | 9240 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 200-TFBGA (10x14,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS46LQ32128AL-062TBLA1-TR | 2.500 | 1,6 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 3,5 ns | Dram | 128 mx 32 | LVSTL | 18ns | |||||
| X28HC256JZ-90 | 38.0823 | | 6140 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-LCC (J-Lead) | Eeprom | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-PLCC (13.97x11.43) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 20-X28HC256JZ-90 | 1 | Nicht Flüchtig | 256Kbit | 90 ns | Eeprom | 32k x 8 | Parallel | 5 ms | ||||||
 | R1LP5256ESA-5SI#B1 | 3.4700 | | 935 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-tssop (0,465 ", 11.80 mm Breit) | R1LP5256 | Sram | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | -1161-R1LP5256esa-5si#B1 | Ear99 | 8542.32.0041 | 234 | Flüchtig | 256Kbit | 55 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 55ns | ||
 | MT25QL01GBBBBB8E12-0SIT | 18.0400 | | 287 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT25QL01 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-T-PBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,122 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | |||
 | MT29F2G01ABBGDWB-IT: G Tr | 2.8500 | | 27 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-udfn | MT29F2G01 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 8-updfn (8x6) (MLP8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 4.000 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 2g x 1 | Spi | - - - | ||||
 | CY7C1061GE30-10BVXI | 38.5000 | | 4349 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-VFBGA | Cy7c1061 | SRAM - Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V. | 48-VFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.400 | Flüchtig | 16mbit | 10 ns | Sram | 1m x 16 | Parallel | 10ns | |||
 | S25FL256SAGMFIR13 | 4.5850 | | 4405 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Fl-s | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | S25FL256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.450 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o | - - - | |||
| AT25SF161-DWFHT | - - - | | 8333 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | Sterben | AT25SF161 | Flash - Nor | 2,5 V ~ 3,6 V. | Wafer | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1265-AT25SF161-DWFHT | Veraltet | 1 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o | 5 µs, 5 ms | ||||
| CY7C1059H30-10ZSXI | 13.8503 | | 6999 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | SRAM - Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | - - - | ROHS3 -KONFORM | 135 | Flüchtig | 8mbit | 10 ns | Sram | 1m x 8 | Parallel | 10ns | ||||||||
 | 71321LA25PF8 | - - - | | 9258 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-LQFP | 71321la | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 64-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 750 | Flüchtig | 16Kbit | 25 ns | Sram | 2k x 8 | Parallel | 25ns | |||
 | CY7C1460KV25-167BZXI | 82.0600 | | 5418 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Nobl ™ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | Cy7C1460 | SRAM - Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2,625 V. | 165-FBGA (15x17) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 105 | 167 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 3.4 ns | Sram | 1m x 36 | Parallel | - - - | ||
| 70V38S20PFI | - - - | | 4274 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Lets Kaufen | - - - | 800-70V38S20PFI | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT29F128G08CECABH1-12: a | - - - | | 1844 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-vbga | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100-VBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | Parallel | - - - | ||||
| 7026L12JI | - - - | | 1179 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-LCC (J-Lead) | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 84-PLCC (29,31 x 29,31) | - - - | 800-7026L12JI | 1 | Flüchtig | 256Kbit | 12 ns | Sram | 16k x 16 | Parallel | 12ns | ||||||||
 | CY62177DV30L-70BAI | 24.0000 | | 26 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MBL® | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | Cy62177 | SRAM - Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V. | 48-FBGA (8x9,5) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | Sram | 2m x 16 | Parallel | 70ns | |||
| 70V27L20PFI8 | - - - | | 2515 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 70v27l | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | Flüchtig | 512Kbit | 20 ns | Sram | 32k x 16 | Parallel | 20ns | |||
 | MX25L12845EMI-10G | 5.2100 | | 395 | 0.00000000 | MACRONIX | MX25XXX45 - MXSMIO ™ | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | MX25L12845 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-so-sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi | 300 µs, 5 ms | |||
| EDW4032BABG-80-FD | - - - | | 9576 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 170-tfbga | EDW4032 | SGRAM - GDDR5 | 1,31 V ~ 1,65 V. | 170-FBGA (12x14) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.440 | 2 GHz | Flüchtig | 4Gbit | RAM | 128 mx 32 | Parallel | - - - | |||
 | SST25VF512A-33-4I-QAE | 0,8500 | | 1 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | SST25 | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | SST25VF512 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | SST25VF512A334IQAE | Ear99 | 8542.32.0051 | 98 | 33 MHz | Nicht Flüchtig | 512Kbit | Blitz | 64k x 8 | Spi | 20 µs | ||
 | IS64LPS204818B-166TQLA3 | 132.3258 | | 9494 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS64LPS204818 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 72 | 166 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 3.8 ns | Sram | 2m x 18 | Parallel | - - - | ||
 | W29GL256SH9B | - - - | | 1191 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | W29GL256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-LFBGA (11x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 171 | Nicht Flüchtig | 256mbit | 90 ns | Blitz | 16m x 16 | Parallel | 90ns | |||
 | IS61C3216AL-12KLI | 2.1754 | | 3281 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS61C3216 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 44-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 16 | Flüchtig | 512Kbit | 12 ns | Sram | 32k x 16 | Parallel | 12ns | |||
 | M5M51008DVP-70HIBT | 6.3000 | | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M5M51008d | Sram | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-tsop | Herunterladen | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 70 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 70ns |
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