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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT58L512Y32DT-6 | 18.9400 | ![]() | 122 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | MT58L512Y32 | Sram | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Flüchtig | 18mbit | 3,5 ns | Sram | 512K x 32 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS39LV040-70VCE | - - - | ![]() | 7245 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-TFSOP (0,488 ", 12,40 mm BreiTe) | IS39LV040 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 32-vsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 208 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 70 ns | Blitz | 512k x 8 | Parallel | 70ns | |||
![]() | MT53E768M32D2FW-046 AAT: C Tr | 32.0250 | ![]() | 3941 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 557-MT53E768M32D2FW-046AAT: Ctr | 2.000 | |||||||||||||||||||||
![]() | 24LC014HT-I/MS | 0,4050 | ![]() | 9878 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) | 24LC014H | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-msop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 1kbit | 400 ns | Eeprom | 128 x 8 | I²c | 5 ms | ||
![]() | GD25LQ32NGR | 0,9545 | ![]() | 9190 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-udfn Exponierte Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-uson (3x4) | Herunterladen | 1970-GD25LQ32Enegrtr | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 6 ns | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 100 µs, 4 ms | |||||||
MX25U1632FBHI02 | 0,6088 | ![]() | 3817 | 0.00000000 | MACRONIX | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFBGA, WLCSP | MX25U1632 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2 V | 8-WLCSP | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1092-MX25U1632FBHI02TR | Ear99 | 8542.32.0071 | 6.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | 6 ns | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 40 µs, 3 ms | ||
![]() | 70V28L20PFG | 111.0550 | ![]() | 5120 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Lets Kaufen | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 70V28 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | Flüchtig | 1Mbit | 20 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 20ns | |||
![]() | CY7C1512AV18-200BZI | - - - | ![]() | 1117 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | Cy7C1512 | SRAM - Synchron, Qdr II | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (15x17) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 105 | 200 MHz | Flüchtig | 72Mbit | Sram | 4m x 18 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT29F2G16ABBEAHC: E Tr | - - - | ![]() | 9183 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F2G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (10,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 128 MX 16 | Parallel | - - - | ||||
![]() | GD55T01GEB2RY | 16.8378 | ![]() | 8172 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55T | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | - - - | 1970-GD55T01GEB2RY | 4.800 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Spi - quad i/o, dtr | - - - | ||||||||
![]() | IS61QDB21M36-250M3 | - - - | ![]() | 2396 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | IS61QDB21 | SRAM - Synchron, Quad | 1,71 V ~ 1,89 V. | 165-LFBGA (15x17) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 7,5 ns | Sram | 1m x 36 | Parallel | - - - | ||
![]() | N25Q00AA13G1241E | - - - | ![]() | 6210 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24 lbga | N25Q00AA13 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-lpbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 256 mx 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | |||
![]() | IS46TR16256BL-107MBLA1 | 8.9696 | ![]() | 8044 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS46TR16256BL-107MBLA1 | 190 | 933 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 16 | Parallel | 15ns | |||||
![]() | MT40A16G4WPF-062H: B Tr | 194.0100 | ![]() | 5362 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT40A16G4 | SDRAM - DDR4 | - - - | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT40A16G4WPF-062H: BTR | 8542.32.0071 | 3.000 | 1,6 GHz | Flüchtig | 64Gbit | Dram | 16g x 4 | - - - | - - - | |||||||
![]() | 24FC64F-I/MS | 0,5700 | ![]() | 9945 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) | 24fc64 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | 8-msop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 24FC64FIMS | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 64Kbit | 400 ns | Eeprom | 8k x 8 | I²c | 5 ms | |
W25Q64JVzpaq | - - - | ![]() | 4091 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | W25Q64 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x5) | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W25Q64JVzpaq | 1 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 6 ns | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 3 ms | |||||
W74M25JWZPIQ Tr | 3.7350 | ![]() | 8226 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | W74M25 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 8-Wson (6x5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W74M25JWZpiqtr | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 5.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | - - - | - - - | |||
![]() | MT58L256L36FS-7,5 | 5.2800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | SRAM - Standard | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 113 MHz | Flüchtig | 8mbit | 7,5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | |||
![]() | 71V416L10YG8 | - - - | ![]() | 5430 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | 71v416l | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 44-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 500 | Flüchtig | 4mbit | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 10ns | |||
CAT25C128V-1.8-26604 | 0,1400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | CAT25C128 | Eeprom | 1,8 V ~ 6 V | 8-soic | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-CAT25C128V-1.8-26604-488 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 5 MHz | Nicht Flüchtig | 128Kbit | 80 ns | Eeprom | 16k x 8 | Spi | 5 ms | |||
![]() | Cat93c46li-ff | - - - | ![]() | 6922 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-cat93c46li-FF-488 | 1 | Mikrowire | ||||||||||||||||||
![]() | NSEC00K008-ITJ | 23.2750 | ![]() | 1015 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 100 lbga | Flash - Nand (PSLC) | 3.3 v | 100-bga (14x18) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 1982-NSEC00K008-ITJ | 98 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | EMMC_5 | - - - | ||||||
![]() | MT40A512M16TB-062E ES: r | - - - | ![]() | 5681 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 96-FBGA (7,5x13) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT40A512M16TB-062EIT: r | 1 | 1,6 GHz | Flüchtig | 8gbit | 19 ns | Dram | 512 mx 16 | Parallel | 15ns | ||||||
![]() | AS4C2M32S-6BCN | 4.2400 | ![]() | 415 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | AS4C2M32 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1450-AS4C2M32S-6BCN | Ear99 | 8542.32.0002 | 190 | 166 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.5 ns | Dram | 2m x 32 | Lvttl | - - - | |
![]() | CY62138FV30LL-45BVXIT | 4.0425 | ![]() | 2566 | 0.00000000 | Infineon -technologien | MBL® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 36-VFBGA | Cy62138 | SRAM - Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V. | 36-VFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | Flüchtig | 2mbit | 45 ns | Sram | 256k x 8 | Parallel | 45ns | |||
![]() | HM3-7610-5 | - - - | ![]() | 2488 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | HX-MR-X64G2RW-C | 705.0000 | ![]() | 9033 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-HX-MR-X64G2RW-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | IS42VM16160E-6BLI-TR | - - - | ![]() | 5681 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS42VM16160 | Sdram - Mobil | 1,7 V ~ 1,95 V. | 54-TFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.5 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | 709089S12PF8 | - - - | ![]() | 3651 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 709089s | SRAM - Dual -Port, Synchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | Flüchtig | 512Kbit | 12 ns | Sram | 64k x 8 | Parallel | - - - | |||
S25FL132K0XBHVS23 | - - - | ![]() | 1332 | 0.00000000 | Infineon -technologien | FL1-K | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | S25FL132 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-bga (8x6) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 3 ms |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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