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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTE2550 | 9.4800 | ![]() | 315 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 50 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE2550 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V | 10 a | 100 µA | NPN - Darlington | 1,5 V @ 70 Ma, 7a | 150 @ 7a, 2v | 10 MHz | ||||||
![]() | 2SD1899-m-tp | - - - | ![]() | 5636 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SD1899 | 1 w | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 353-2SD1899-M-TPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 60 v | 3 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 250 MV @ 150 Ma, 1,5a | 100 @ 600 mA, 2V | 120 MHz | ||||
Jan2N4405 | 193.6480 | ![]() | 9865 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | To-39 (bis 205ad) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | 80 v | 500 mA | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | |||||||||
![]() | BC857BSH-QX | 0,0305 | ![]() | 2153 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC857 | 270 MW | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1727-BC857BSH-QX | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 300 mV @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||
![]() | 2n2920 | 9.0000 | ![]() | 4432 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2n292 | 500 MW | To-78 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-2n2920 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 60 v | 30 ma | 2na | 2 NPN (Dual) | 350 mV @ 100 µA, 1 mA | 300 @ 1ma, 5v | - - - | |||
![]() | Pumd24/zlx | - - - | ![]() | 3292 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Pumd24 | 300 MW | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | 50V | 100 ma | 1 µA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 5ma, 5V | - - - | 100kohm | 100kohm | |||
![]() | D44T8 | 0,7330 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | D44t | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 31,2 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-d44t8 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 300 V | 2 a | 10 µA | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 150 @ 500 mA, 10V | 15 MHz | ||||
![]() | DTA143ZU3HZGT106 | 0,3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Dta143 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||
![]() | KSD362Rtu | - - - | ![]() | 2921 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 40 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 70 V | 5 a | 20 µA (ICBO) | Npn | 1v @ 500 mA, 5a | 40 @ 5a, 5V | 10 MHz | |||||||
![]() | TIP115 | - - - | ![]() | 6927 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | TIP115CS | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 60 v | 2ma | PNP - Darlington | 2,5 V @ 8ma, 2a | 1000 @ 1a, 4V | 25 MHz | ||||||
![]() | 2SD1725T | 0,4000 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | 2SC5775 | 1.2300 | ![]() | 430 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | 2N2605UB/Tr | 81.6300 | ![]() | 7588 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 400 MW | UB | - - - | 100 | 60 v | 30 ma | 10na | PNP | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 150 @ 500 µA, 5 V | - - - | ||||||||||
![]() | 2n5232a | 0,3000 | ![]() | 7318 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | 125 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 360 MW | To-92 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2368-2n5232a | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 100 ma | 30na | Npn | 125mv @ 1ma, 10 mA | 250 @ 2MA, 5V | - - - | ||||||
![]() | 2N3439 pbfree | 1.2173 | ![]() | 2655 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 350 V | 1 a | 20 µA (ICBO) | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 30 @ 2MA, 10V | 15 MHz | |||||
![]() | 2SD774-Az | 0,3300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | IMB2AT110 | 0,1277 | ![]() | 1308 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | IMB2 | 300 MW | SMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47kohm | 47kohm | |||
![]() | DMG564010R | - - - | ![]() | 7202 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | DMG56401 | 150 MW | Smini6-F3-B | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 35 @ 5ma, 10 V. | - - - | 10kohm | 10kohm | ||||
![]() | 2n3019 | 1.0900 | ![]() | 343 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 800 MW | To-39 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-2n3019 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 100 MHz | ||||||
![]() | BCR162E6327 | - - - | ![]() | 1176 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCR162 | 200 MW | PG-SOT23-3-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 6.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 5ma, 5V | 200 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||
![]() | 2SC3956E | - - - | ![]() | 6389 | 0.00000000 | Sanyo | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-2SC3956E-600057 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 2N5416 | 1,5000 | ![]() | 97 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | - - - | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-2N5416 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 1 a | 50 µA | PNP | 2,5 V @ 5 mA, 50 mA | 30 @ 50 Ma, 10 V | 15 MHz | ||||||
![]() | PEMD4-QX | - - - | ![]() | 5881 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | PEMD4 | 200 MW | SOT-666 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-PEMD4-QXTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 1 µA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 200 @ 1ma, 5V | - - - | 10kohm | - - - | |||
![]() | Mmdt3904he3-tp | 0,4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Micro Commercial co | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Mmdt3904 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 353-mmdt3904he3-tptr | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40V | 200 ma | 50na | 2 NPN (Dual) | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | |||
![]() | BCR35PNH6433 | - - - | ![]() | 6305 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCR35 | 250 MW | PG-SOT363-6-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 150 MHz | 10kohm | 47kohm | |||
![]() | RN2607 (TE85L, F) | 0,4800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | RN2607 | 300 MW | Sm6 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 10kohm | 47kohm | ||||
![]() | 2N3447 | 68.7450 | ![]() | 3420 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 115 w | To-204ad (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N3447 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 7 a | - - - | PNP | 1,5 V @ 500 µA, 500 µA | - - - | - - - | ||||||
BCV47QTC | 0,0656 | ![]() | 1104 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCV47 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-BCV47QTCTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 60 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | 170 MHz | ||||||
![]() | BC69PASX | 0,0700 | ![]() | 100 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-udfn exponiert pad | 420 MW | DFN2020D-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 20 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 200 Ma, 2a | 85 @ 500 mA, 1V | 140 MHz | ||||||||
![]() | MSB92AWT1 | 0,0400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 150 MW | SC-70-3 (SOT323) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 300 V | 500 mA | 250na (ICBO) | PNP | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 120 @ 1ma, 10 V. | 50 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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