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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | KSC3488GTA | - - - | ![]() | 9626 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper | KSC3488 | 300 MW | To-92s | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 25 v | 300 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 30 mA, 300 mA | 200 @ 50 Ma, 1V | - - - | |||||||
FZT458ta | 0,6400 | ![]() | 58 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT458 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 400 V | 300 ma | 100na | Npn | 500mv @ 6ma, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | 50 MHz | |||||||
![]() | BC846S-TP | 0,3800 | ![]() | 3718 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC846 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 300 mV @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
![]() | RN1968FE (TE85L, F) | - - - | ![]() | 5591 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | RN1968 | 100 MW | Es6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 22kohm | 47kohm | |||||||
![]() | 2SC2610TZ-e | 0,2200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Dta143z | 0,0200 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Dta143 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | Nsvmmun2135lt1g | 0,3300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Nsvmmun2135 | 246 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||||||
![]() | BC857BWH6327XTSA1 | 0,0587 | ![]() | 3382 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC857 | 250 MW | Pg-SOT323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 250 MHz | ||||||
![]() | 2c3810-mscl | 22.3650 | ![]() | 7070 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2C3810-MSCL | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MPS651RLRB | 0,0700 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | |||||||||||||||||||
![]() | RN49A1 (T5L, F, T) | - - - | ![]() | 6337 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN49A1 | 200 MW | US6 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 2.2ko | 47kohm | |||||||
![]() | DRC5144E0L | - - - | ![]() | 7964 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SC-85 | DRC5144 | 150 MW | Smini3-F2-B | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||
![]() | 2SD1060R-1E | - - - | ![]() | 8067 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 2SD1060 | 1,75 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 50 v | 5 a | 100 µA (ICBO) | Npn | 300mv @ 300 mA, 3a | 100 @ 1a, 2v | 30 MHz | ||||||
![]() | 2SA1037-R | 0,0140 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-2SA1037-RTR | Ear99 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 5 mA | 120 @ 1ma, 6v | 120 MHz | ||||||||
![]() | BC847B | 0,1000 | ![]() | 127 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 100na | Npn | 500 mV @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||
![]() | MMBT3904L3-TP | 0,0322 | ![]() | 3770 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | MMBT3904 | 150 MW | DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 353-MMBT3904L3-TPTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 40 v | 200 ma | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | |||||
![]() | NTE2330 | 3.9500 | ![]() | 195 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | 80 w | To-3p | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE2330 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 55 v | 4 a | - - - | Npn | 3v @ 20 mA, 1a | 500 @ 500 mA, 5V | - - - | ||||||||
![]() | 2n5882 | 3.2800 | ![]() | 32 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 160 w | To-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-2N5882 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 15 a | 1ma | Npn | 4v @ 3.75a, 15a | 35 @ 2a, 4V | 4MHz | ||||||||
![]() | BC846AW, 135 | 0,0240 | ![]() | 6499 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BC846XW | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC846 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
PBRP123YT-QR | 0,0687 | ![]() | 1556 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PBRP123 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-PBRP123YT-QRTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 750 mv @ 6ma, 600 mA | 230 @ 300 mA, 5V | 2.2 Kohms | 10 Kohms | |||||||
![]() | ZXTC4591AMCQTA | 0,4017 | ![]() | 6294 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | ZXTC4591 | 1,5W | W-DFN3020-8 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-ZXTC4591AMCQTATR | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 40V | 2,5a, 2a | 100na | NPN, PNP | 500mv @ 100 mA, 1a | 300 @ 500 mA, 5 V / 300 @ 100 mA, 5 V. | 150 MHz | |||||||
![]() | DTC115ECAT116 | 0,2800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC115 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100 Kohms | 100 Kohms | |||||
![]() | DRA9143E0L | - - - | ![]() | 5019 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DRA9143 | 125 MW | Ssmini3-f3-b | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 5ma, 10V | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||
![]() | 2SB1225 | 0,4300 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | BFP843FH6327XTSA1 | 0,5200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Flache Leitungen | BFP843 | 125 MW | PG-TSFP-4-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 13,5 dB ~ 25 dB | 2,25 v | 55 Ma | Npn | 150 @ 15ma, 1,8 V. | - - - | 0,8 dB ~ 1,7 dB bei 450 MHz ~ 10 GHz | ||||||
![]() | RN2105, LF (CT | 0,2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | RN2105 | 100 MW | SSM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||||||
![]() | MJE13004 | 0,5100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 75 w | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 592 | 300 V | 4 a | 1ma | Npn | 1v @ 1a, 4a | 10 @ 1a, 5V | - - - | |||||||
ZXTP01500BGQTC | 0,2131 | ![]() | 1056 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | ZXTP01500 | 3 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 500 V | 150 Ma | 100na | PNP | 500mv @ 10 mA, 50 mA | 100 @ 1ma, 10V | 60 MHz | ||||||||
![]() | NSBA113EDXV6T1G | 0,0698 | ![]() | 1848 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NSBA113 | 250 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 250mv @ 5ma, 10 mA | 3 @ 5ma, 10V | - - - | 1kohm | 1kohm | |||||
![]() | BC847A | 0,0182 | ![]() | 7959 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2796-BC847atr | 8541.21.0000 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 300 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus