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Bipolar (BJT) (35082)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TIP31B | - - - |  | 6186 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP31 | 2 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.200 | 80 v | 3 a | 300 µA | Npn | 1,2 V @ 375 Ma, 3a | 10 @ 3a, 4V | 3MHz | |||||||
 | NSVBC144EPDXV6T1G | 0,1154 | | 4314 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | NSVBC144 | 500 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | - - - | 47kohm | 47kohm | |||||
 | MMBTA05-7 | - - - | | 2537 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBTA05 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 500 mA | 100na | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | ||||||
 | Jankccg2N3498 | - - - | | 5573 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankccg2N3498 | 100 | 100 v | 500 mA | 10 µA (ICBO) | Npn | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||
 | BC847CW/DG/B4X | - - - | | 8046 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC847 | 200 MW | SOT-323 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069121115 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||
 | XN0421300L | - - - | | 6824 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | Xn0421 | 300 MW | Mini6-G1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 150 MHz | 47kohm | 47kohm | |||||||
 | BCR 148 B6327 | - - - | | 7125 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCR 148 | 200 MW | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 30.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 100 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||
 | FJN3303RBU | - - - | | 4445 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | Fjn330 | 300 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||
| PBSS4160U, 115 | 0,4400 | | 22 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PBSS4160 | 415 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 750 Ma | 100na | Npn | 280 mv @ 100 mA, 1a | 200 @ 500 Ma, 5V | 220 MHz | ||||||
 | CP692-MPS4992-WN | - - - | | 2021 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 9.000 | |||||||||||||||||||||
 | 2SA1761, F (j | - - - | | 6832 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | 2SA1761 | 900 MW | To-92mod | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 3 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 75 mA, 1,5a | 120 @ 100 mA, 2V | 100 MHz | ||||||||
| TSA874CW | 0,2013 | | 6190 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | TSA874 | 1 w | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSA874CWTR | Ear99 | 8541.29.0075 | 5.000 | 500 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10 mA, 50 mA | 150 @ 1ma, 10V | 50 MHz | ||||||
| 2307p | - - - | | 5493 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | NTE386 | 20.3900 | | 124 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 175 w | To-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE386 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 500 V | 20 a | 250 µA | Npn | 5v @ 6.7a, 20a | 10 @ 5a, 5V | - - - | ||||||||
 | BCR08PN | 0,0702 | | 3415 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCR08 | 250 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2796-BCR08PNTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 60 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 170 MHz | 2.2ko | 47kohm | ||||||
 | BCP56-16/DG/B2115 | 0,1800 | | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | |||||||||||||||||||
 | NE67718-T1-A | - - - | | 7573 | 0.00000000 | Cel | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | 200 MW | SOT-343 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 15 dB | 6v | 50 ma | Npn | 75 @ 20 Ma, 3V | 15GHz | 1.7db @ 2ghz | ||||||||
 | BCR 119T E6327 | - - - | | 9386 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | BCR 119 | 250 MW | PG-SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 120 @ 5MA, 5V | 150 MHz | 4.7 Kohms | ||||||
 | NTE2542 | 6.8800 | | 230 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | 120 w | To-3p | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE2542 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 v | 25 a | 10 µA (ICBO) | PNP - Darlington | 1,8 V @ 24ma, 12a | 2000 @ 12a, 4V | - - - | ||||||||
 | IMT18T110 | 0,1676 | | 1051 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | IMT18 | 300 MW | SMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12V | 500 mA | 100NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 250mv @ 10ma, 200 mA | 270 @ 10ma, 2v | 260 MHz | ||||||
| 2N3498U4 | 135.1050 | | 4962 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | U4 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N3498U4 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 500 mA | 50na (ICBO) | Npn | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||
 | PBSS4612PA, 115 | - - - | | 2626 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Powerudfn | PBSS4612 | 2.1 w | 3-Huson (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 12 v | 6 a | 100na | Npn | 275mv @ 300 mA, 6a | 260 @ 2a, 2v | 80MHz | ||||||
 | BUJ403A/DG, 127 | 0,3800 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 100 w | To-220ab | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 760 | 550 V | 6 a | 100 µA | Npn | 1v @ 400 mA, 2a | 20 @ 500 mA, 5V | - - - | ||||||||||
 | ZXT13P12DE6TA | 0,2610 | | 2806 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | ZXT13P12 | 1,1 w | SOT-23-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 12 v | 4 a | 100na | PNP | 175mv @ 400 mA, 4a | 300 @ 1a, 2v | 55 MHz | ||||||
 | BD544-S | - - - | | 2089 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BD544 | 2 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | 40 v | 8 a | 700 ähm | PNP | 1v @ 1,6a, 8a | 15 @ 5a, 4V | - - - | |||||||
 | BC848A | 0,0334 | | 7604 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC848 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC848atr | Ear99 | 8541.21.0075 | 9.000 | 30 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mV @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
| BC338-40-B0 A1 | - - - | | 4614 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 625 MW | To-92 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC338-40-B0A1TB | Veraltet | 1 | 25 v | 800 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 5V | 100 MHz | |||||||||
| BC848C | 0,0337 | | 9340 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC848 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC848Ctr | Ear99 | 8541.21.0075 | 9.000 | 30 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mV @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
 | BCP68ta | - - - | | 1269 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Digi-reel® | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP68 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 20 v | 1 a | - - - | Npn | 500mv @ 100 mA, 1a | 63 @ 500 mA, 1V | 100 MHz | ||||||
 | 55GN01FA-TL-H | 0,4800 | | 7 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-81 | 55GN01 | 250 MW | 3-SSFP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 8.000 | 11 dB ~ 19db @ 1 GHz ~ 400 MHz | 10V | 70 Ma | Npn | 100 @ 10ma, 5V | 4,5 GHz ~ 5,5 GHz | 1,9 dB @ 1 GHz |
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