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Bipolar (BJT) (35082)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTA015TUBTL | 0,0536 |  | 5225 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-85 | DTA015 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 250 MV @ 250 UA, 5 mA | 100 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 100 Kohms | ||||
 | BCP55,115 | 0,4800 | | 972 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP55 | 1,35 w | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 180 MHz | ||||
 | PDTB114EU135 | - - - | | 2077 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||
 | SMMUN2116LT1G | - - - | | 2695 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 246 MW | SOT-23-3 (to-236) | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-smmun2116lt1g-954 | 1 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | 4.7 Kohms | ||||||||
 | BC847CQAZ | 0,0300 | | 84 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xdfn exponiert Pad | 280 MW | DFN1010D-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 9.947 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||
| JANSR2N3440U4/Tr | - - - | | 8481 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 800 MW | U4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansr2N3440U4/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 250 V | 1 a | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - | |||||
 | IMZ2A_R1_00001 | 0,0378 | | 5950 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | IMZ2 | 300 MW | SOT-23-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 120.000 | 50V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 400mv @ 5 mA, 50 mA / 500mv @ 5 mA, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz, 140 MHz | ||||
 | PBSS301NX, 115 | 0,6000 | | 199 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | PBSS301 | 2.1 w | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 12 v | 5.3 a | 100NA (ICBO) | Npn | 200mv @ 265 Ma, 5,3a | 250 @ 2a, 2v | 140 MHz | ||||
| 2n3867s | 10.9459 | | 6908 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | 2N3867 | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 3 ma | 100 µA (ICBO) | PNP | 1,5 V @ 250 mA, 2,5a | 40 @ 1,5a, 2V | - - - | ||||||
 | BDW23-S | - - - | | 9807 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BDW23 | 2 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | 45 V | 6 a | 500 ähm | NPN - Darlington | 3v @ 60 Ma, 6a | 750 @ 2a, 3v | - - - | |||||
| JANSL2N3810U | 262.3106 | | 4590 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/336 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | 2N3810 | 350 MW | U | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansl2N3810U | 1 | 60 v | 50 ma | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 250 mV @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1ma, 5V | - - - | |||||||
 | JANSF2N2369AUB | 149.3402 | | 1340 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/317 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 2n2369a | 360 MW | UB | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 400 na | 400na | Npn | 450 mV @ 10 mA, 100 mA | 20 @ 100 mA, 1V | - - - | ||||||
 | MPSA10 | 0,0200 | | 7589 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.660 | 40 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | - - - | 40 @ 5 µA, 10 V. | 125 MHz | |||||||
| BC53-16PAS-QX | 0,0962 | | 1545 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-udfn exponiert pad | 420 MW | DFN2020D-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1727-BC53-16PAS-QXTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 145 MHz | ||||||
| BC337-40 B1 | - - - | | 3889 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 625 MW | To-92 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC337-40B1 | Veraltet | 1 | 45 V | 800 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 5V | 100 MHz | |||||||
| 2SC3952d | - - - | | 2933 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||
 | ZXTN25020DZTA | 0,5700 | | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | ZXTN25020 | 2,4 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 20 v | 6 a | 50na (ICBO) | Npn | 270 MV @ 300 Ma, 6a | 300 @ 10ma, 2v | 215 MHz | ||||
| ZDT6702QTA | 0,8667 | | 4945 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-223-8 | ZDT6702 | 2.75W | SM-8 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-zdt6702qtatr | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 1.75a | 500NA | NPN, PNP Kopplementär Darlington | 1,28 V @ 2MA, 1,75a | 5000 @ 500 mA, 5V / 2000 @ 500 mA, 5V | 140 MHz | |||||
| 2SD1684S | 0,2900 | | 7 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||
 | Pdtd113es, 126 | - - - | | 9705 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PDTD113 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 33 @ 50 Ma, 5V | 1 Kohms | 1 Kohms | ||||
 | BC817-16W, 135 | 0,0200 | | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC817 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||
 | 2SA1774-TP | 0,0519 | | 1802 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | 2SA1774 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | 353-2SA1774-R-TP | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 5 mA | 120 @ 1ma, 6v | 140 MHz | ||||||
 | 2N4123-ap | - - - | | 2300 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N4123 | 625 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 200 ma | 50na (ICBO) | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 2MA, 1V | 250 MHz | |||||
 | 2n2896 | 17.3831 | | 2494 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tasche | Aktiv | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 1,8 w | To-18 (to-206aa) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2n2896ms | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 90 v | 1 a | 10NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 15ma, 150 mA | 60 @ 150 mA, 10V | 120 MHz | |||||
| Jantxv2N3500U4/Tr | - - - | | 2639 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | U4 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv2N3500U4/Tr | 50 | 150 v | 300 ma | 50na (ICBO) | Npn | 400mv @ 15ma, 150 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||
 | Pdta113emb, 315 | 0,0361 | | 2836 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | PDTA113 | 250 MW | DFN1006B-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 1,5 mA, 30 mA | 30 @ 40 mA, 5V | 180 MHz | 1 Kohms | 1 Kohms | |||
 | NSM21356DW6T1G | - - - | | 6943 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NSM213 | 230 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V, 65 V | 100 ma | 500NA | 1 NPN Voreingensmen, 1 PNP | 250 mV @ 300 µA, 10 mA / 650 mV @ 5 mA, 100 mA | 80 @ 5MA, 10V / 220 @ 2MA, 5V | - - - | 47kohm | 47kohm | ||||
| Cen363 | - - - | | 6364 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Kasten | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.500 | ||||||||||||||||||
| PDTC124EE, 115 | - - - | | 7729 | 0.00000000 | Philips | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-PDTC124ee, 115-600090 | 1 | |||||||||||||||||||
 | BCR523UE6433HTMA1 | 0,1621 | | 6210 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | BCR523 | 330 MW | PG-SC74-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50V | 500 mA | - - - | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 70 @ 50 Ma, 5V | 100 MHz | 1kohm | 10kohm |
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