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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SIC -Programmierbar | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
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![]() | S25FS256SAGBHI300 | - - - | ![]() | 7888 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Fs-s | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | S25FS256 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 24-bga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | SP005654609 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 676 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | - - - | |||
![]() | 13L75AA-C | 141.2500 | ![]() | 6824 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-13L75AA-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
70V3319S133BF8 | 232.9149 | ![]() | 6657 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 208-LFBGA | 70v3319 | SRAM - Dual -Port, Synchron | 3,15 V ~ 3,45 V. | 208-Cabga (15x15) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 4 (72 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 4.2 ns | Sram | 256k x 18 | Parallel | - - - | ||||
![]() | W9464G6JH-5i | - - - | ![]() | 9301 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | W9464G6 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 200 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 55 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | 15ns | |||
![]() | AS4C512M8D3LB-10BCNTR | - - - | ![]() | 9812 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | AS4C512 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-FBGA (9x10.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1450-AS4C512M8D3LB-10BCNTR | Veraltet | 2.500 | 933 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 512 MX 8 | Parallel | 15ns | |||
![]() | MT53D512M64D8TZ-053 WT ES: B Tr | - - - | ![]() | 4008 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - - - | - - - | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1.866 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 512 MX 64 | - - - | - - - | |||||
![]() | S25FL128LAGMFB000 | - - - | ![]() | 9808 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | 2156-S25FL128LAGMFB000 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | S25FL256LAGNFN010 | 9.0700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Fl-l | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | S25FL256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x8) | - - - | Rohs Nick Konform | Nicht Anwendbar | Verkäfer undefiniert | 2832-S25FL256LAGNFN010TR | 3a991b1a | 8542.32.0070 | 56 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 6 ns | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 60 µs, 1,2 ms | ||
![]() | GD5F1GQ5UEWIG | 1.4109 | ![]() | 8056 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5f | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (5x6) | Herunterladen | 1970-GD5F1GQ5UEWIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 7 ns | Blitz | 256 mx 4 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 600 µs | ||||||||
MT53E256M32D2FW-046 AAT: B Tr | 15.4950 | ![]() | 1410 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V. | 200-TFBGA (10x14,5) | Herunterladen | 557-MT53E256M32D2FW-046AAT: BTR | 2.000 | 2.133 GHz | Flüchtig | 8gbit | 3,5 ns | Dram | 256 mx 32 | Parallel | 18ns | |||||||||
![]() | CY7C131E-55NXC | 18.8000 | ![]() | 64 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 52-BQFP | Cy7c131 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 52-PQFP (10x10) | - - - | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8542.32.0041 | 27 | Flüchtig | 8kbit | 55 ns | Sram | 1k x 8 | Parallel | 55ns | ||||||
![]() | 70V05L35PFG8 | - - - | ![]() | 9152 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-LQFP | 70V05L | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 64-TQFP (14x14) | - - - | 800-70V05L35PFG8TR | Veraltet | 750 | Flüchtig | 64Kbit | 35 ns | Sram | 8k x 8 | Parallel | 35ns | |||||||
![]() | CAT28LV64GI-15 | - - - | ![]() | 9168 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-LCC (J-Lead) | CAT28LV64 | Eeprom | 3v ~ 3,6 V | 32-PLCC (13.97x11.43) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | Nicht Flüchtig | 64Kbit | 150 ns | Eeprom | 8k x 8 | Parallel | 5 ms | ||||
![]() | MEM-1900-512U1.5GB-C | 118.7500 | ![]() | 3654 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-MEM-1900-512U1.5GB-C | Ear99 | 8473.30.9100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | TE28F256P33T95A | 6.7500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Numonyx | Strataflash ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | 28f256p33 | Flash - Nor | Nicht Verifiziert | 1,7 V ~ 2 V | 56-tsop | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3a991b1a | 8542.32.0051 | 96 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 95 ns | Blitz | 16m x 16 | Parallel | 95ns | ||||
S70GL02GT12FHAV10 | 33.4775 | ![]() | 8657 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q100, GL-T | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | S70GL02 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (11x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.800 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | 120 ns | Blitz | 256 mx 8, 128 mx 16 | Parallel | - - - | |||||
![]() | R1ex24128asas0i#S0 | 4.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.500 | ||||||||||||||||||
![]() | MT38M5071A3063RZZI.YE8 | - - - | ![]() | 3020 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 133-vfbga | MT38M5071 | Flash - Nor, psram | 1,7 V ~ 1,95 V. | 133-VFBGA (8x8) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.564 | 133 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 512Mbit (Flash), 512Mbit (RAM) | Blitz, Ram | 32 mx 16, 32 mx 16 | Parallel | - - - | |||||
![]() | Mem2800-128u256cf-c | 58.7500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-MEM2800-128U256CF-C | Ear99 | 8473.30.9100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 70V9199L7PFG | - - - | ![]() | 7280 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 70v9199 | SRAM - Dual -Port, Synchron | 3v ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 6 | Flüchtig | 1.125mbit | 7 ns | Sram | 128k x 9 | Parallel | - - - | ||||
![]() | 520966231566 | - - - | ![]() | 9329 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | - - - | 1 | |||||||||||||||||||||||
W631gu6nb-09 tr | 3.0202 | ![]() | 4166 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-VFBGA | W631gu6 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V, 1.425 V ~ 1,575 V. | 96-VFBGA (7,5x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W631gu6nb-09tr | Ear99 | 8542.32.0032 | 3.000 | 1.066 GHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | |||
![]() | IS46QR81024A-075VBLA1 | 20.1679 | ![]() | 2152 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-TWBGA (10x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS46QR81024a-075VBLA1 | 136 | 1,333 GHz | Flüchtig | 8gbit | 18 ns | Dram | 1g x 8 | Parallel | 15ns | ||||||
W25Q32FWZPIQ | - - - | ![]() | 4775 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | W25Q32 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-Wson (6x5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 570 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 60 µs, 5 ms | |||||
![]() | W25Q128JVFJM Tr | - - - | ![]() | 9255 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | W25Q128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | W25Q128jvfjmtr | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 3 ms | |||
![]() | SST26VF016BT-104V/SN | 2.0600 | ![]() | 2159 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | SST26 SQI® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SST26VF016 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.300 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o | 1,5 ms | ||||
![]() | M29W128FL70N6F TR | - - - | ![]() | 3711 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29W128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.200 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 70 ns | Blitz | 16m x 8, 8m x 16 | Parallel | 70ns | ||||
![]() | W25Q32FWXGBQ | - - - | ![]() | 5046 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XDFN Exponierte Pad | W25Q32 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-XSON (4x4) | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W25Q32FWXGBQ | Veraltet | 1 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 6 ns | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 60 µs, 5 ms | ||||
![]() | IDT71V3577SA80BQGI | - - - | ![]() | 1108 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IDT71V3577 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 165-cabga (13x15) | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 71V3577SA80BQGI | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 136 | Flüchtig | 4,5mbit | 8 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | ||||
![]() | U62256AS2C07llg1tr | - - - | ![]() | 3746 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-Soic (0,330 ", 8,38 mm Breit) | U62256 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-Bünd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 256Kbit | 70 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 70ns |
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