SIC
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Speicher (70500)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site SIC -Programmierbar
CAT28C17AK20 Catalyst Semiconductor Inc. Cat28c17ak20 - - -
RFQ
 ECAD 5243 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-cat28c17ak20-736 1
BR93A46RF-WME2 Rohm Semiconductor BR93A46RF-WME2 0,9800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,173 ", 4,40 mm Breit) BR93A46 Eeprom 2,5 V ~ 5,5 V 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0051 2.500 2 MHz Nicht Flüchtig 1kbit Eeprom 64 x 16 Mikrowire 5 ms
W25X40BVSNIG Winbond Electronics W25X40BVSNIG - - -
RFQ
 ECAD 1919 0.00000000 Winbond Electronics Spiflash® Rohr Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) W25x40 Blitz 2,7 V ~ 3,6 V. 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 100 104 MHz Nicht Flüchtig 4mbit Blitz 512k x 8 Spi 3 ms
71421SA20PF Renesas Electronics America Inc 71421SA20PF - - -
RFQ
 ECAD 2496 0.00000000 Renesas Electronics America Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-LQFP 71421SA SRAM - Dual -Port, Asynchron 4,5 V ~ 5,5 V. 64-TQFP (14x14) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0041 45 Flüchtig 16Kbit 20 ns Sram 2k x 8 Parallel 20ns
STK14CA8-RF45I Infineon Technologies STK14CA8-RF45I - - -
RFQ
 ECAD 8020 0.00000000 Infineon -technologien - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-BSSOP (0,295 ", 7,50 mm Breit) STK14CA8 NVSRAM (NICTFLÜCHTIGES SRAM) 2,7 V ~ 3,6 V. 48-SSOP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0041 60 Nicht Flüchtig 1Mbit 45 ns NVSRAM 128k x 8 Parallel 45ns
CAT28C64BKI-15 Catalyst Semiconductor Inc. CAT28C64BKI-15 - - -
RFQ
 ECAD 1254 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 28-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) Cat28c64 Eeprom 4,5 V ~ 5,5 V. 28-soic Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8542.32.0051 1 Nicht Flüchtig 64Kbit 150 ns Eeprom 8k x 8 Parallel 5 ms
MT29GZ6A6BPIET-53IT.112 TR Micron Technology Inc. MT29GZ6A6BPIET-53it.112 tr 16.7100
RFQ
 ECAD 1309 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-MT29GZ6A6BPIET-53it.112TR 2.000
A1545367-C ProLabs A1545367-C 17.5000
RFQ
 ECAD 2037 0.00000000 Prolabs * Einzelhandelspaket Aktiv - - - ROHS -KONFORM 4932-A1545367-C Ear99 8473.30.5100 1
MT42L128M64D2LL-18 WT:A Micron Technology Inc. MT42L128M64D2LL-18 WT: a - - -
RFQ
 ECAD 9451 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 216-WFBGA MT42L128M64 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 V ~ 1,3 V. 216-FBGA (12x12) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1,008 533 MHz Flüchtig 8gbit Dram 128 MX 64 Parallel - - -
S34ML02G100TFI000 Cypress Semiconductor Corp S34ML02G100TFI000 - - -
RFQ
 ECAD 3233 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-1 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) S34ML02 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 2832-S34ML02G100TFI000 3a991b1a 8542.32.0071 192 Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 256 mx 8 Parallel 25ns
AS6C8016B-55BIN Alliance Memory, Inc. AS6C8016B-55BIN 5.8702
RFQ
 ECAD 6338 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Tablett Aktiv AS6C8016 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 1450-AS6C8016B-55BIN Ear99 8542.32.0041 300
W66CQ2NQUAHJ TR Winbond Electronics W66CQ2NQUAHJ TR 6.6750
RFQ
 ECAD 3310 0.00000000 Winbond Electronics - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA W66CQ2 SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. 200-WFBGA (10x14,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 256-W66CQ2Nquahjtr Ear99 8542.32.0036 2.500 2.133 GHz Flüchtig 4Gbit 3,5 ns Dram 128 mx 32 LVSTL_11 18ns
S25FL128SAGMFIR11 Cypress Semiconductor Corp S25FL128SAGMFIR11 3.1100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Fl-s Rohr Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) S25FL128 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 16-soic Herunterladen Rohs Nick Konform Nicht Anwendbar Verkäfer undefiniert 2832-S25FL128SAGMFIR11 200 133 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o - - - Nicht Verifiziert
CAT24C32WGI-26756 Catalyst Semiconductor Inc. CAT24C32WGI-26756 0,2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) CAT24C32 Eeprom 1,7 V ~ 5,5 V. 8-soic Herunterladen Nicht Anwendbar 3 (168 Stunden) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.32.0051 1 1 MHz Nicht Flüchtig 32Kbit 400 ns Eeprom 4k x 8 I²c 5 ms
IS45S32400B-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400B-7BLA1 - - -
RFQ
 ECAD 4050 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-tfbga IS45S32400 Sdram 3v ~ 3,6 V 90-TFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 144 143 MHz Flüchtig 128mbit 5.4 ns Dram 4m x 32 Parallel - - -
UPD46185184BF1-E40Y-EQ1-A Renesas Electronics America Inc Upd46185184bf1-e40y-eq1-a 42.0700
RFQ
 ECAD 229 0.00000000 Renesas Electronics America Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 3 (168 Stunden) Verkäfer undefiniert 3a991b2a 8542.32.0041 1
SM662PXB-BDSS Silicon Motion, Inc. SM662PXB-BDSS - - -
RFQ
 ECAD 3238 0.00000000 Silicon Motion, Inc. Ferri-emmc® Tablett Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 153-tfbga SM662 Flash - Nand (SLC), Flash - Nand (TLC) - - - 153-BGA (11,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 1984-SM662PXB-BDSS 3a991b1a 8542.32.0071 1 Nicht Flüchtig 80Gbit Blitz 10g x 8 EMMC - - -
MT29F4T08EULGEM4-ITF:G Micron Technology Inc. MT29F4T08Eulgem4-ITF: g 130.1100
RFQ
 ECAD 6151 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv - - - 557-MT29F4T08Eulgem4-ITF: g 1
24CS256T-I/Q4B Microchip Technology 24cs256t-i/Q4b 0,9000
RFQ
 ECAD 5489 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-UFDFN Exposed Pad Eeprom 1,7 V ~ 5,5 V. 8-udfn (2x3) Herunterladen 150-24CS256T-I/Q4BTR 5.000 3,4 MHz Nicht Flüchtig 256Kbit 70 ns Eeprom 32k x 8 I²c 5 ms
MT45V256KW16PEGA-70 WT TR Micron Technology Inc. MT45V256KW16PEGA-70 WT TR - - -
RFQ
 ECAD 2496 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Klebeband (CT) Schneiden Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 48-VFBGA MT45V256KW16 Psram (pseudo sram) 2,7 V ~ 3,6 V. Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 1.000 Flüchtig 4mbit 70 ns Psram 256k x 16 Parallel 70ns
W66CM2NQUAFJ TR Winbond Electronics W66cm2nquafj tr 8.6250
RFQ
 ECAD 1767 0.00000000 Winbond Electronics - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA W66CM2 SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. 200-WFBGA (10x14,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 256-W66CM2NQUAFJTR Ear99 8542.32.0036 2.500 1,6 GHz Flüchtig 4Gbit 3,5 ns Dram 128 mx 32 LVSTL_11 18ns
S25FL256LAGMFV003 Cypress Semiconductor Corp S25FL256LAGMFV003 6.0700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Fl-l Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) S25FL256 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 16-soic Herunterladen Rohs Nick Konform Nicht Anwendbar Verkäfer undefiniert 2832-S25FL256LAGMFV003TR 85 133 MHz Nicht Flüchtig 256mbit Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o, qpi - - - Nicht Verifiziert
BR93G76FJ-3GTE2 Rohm Semiconductor BR93G76FJ-3GTE2 0,7000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) BR93G76 Eeprom 1,7 V ~ 5,5 V. 8-Sop-J Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 846-BR93G76FJ-3GTE2CT Ear99 8542.32.0051 2.500 3 MHz Nicht Flüchtig 8kbit Eeprom 512 x 16 Mikrowire 5 ms
IDT7164S35YG Renesas Electronics America Inc IDT7164S35YG - - -
RFQ
 ECAD 8333 0.00000000 Renesas Electronics America Inc. - - - Rohr Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 28-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm Breit) IDT7164 SRAM - Asynchron 4,5 V ~ 5,5 V. 28-soj Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 7164S35YG Ear99 8542.32.0041 27 Flüchtig 64Kbit 35 ns Sram 8k x 8 Parallel 35ns
PC28F00AM29EWLA Micron Technology Inc. PC28F00AM29EWLA - - -
RFQ
 ECAD 7769 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-lbga PC28F00A Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 64-FBGA (11x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1,104 Nicht Flüchtig 1Gbit 100 ns Blitz 128 mx 8, 64 mx 16 Parallel 100ns
7015L25J8 Renesas Electronics America Inc 7015L25J8 - - -
RFQ
 ECAD 7027 0.00000000 Renesas Electronics America Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 68-LCC (J-Lead) 7015L25 SRAM - Dual -Port, Asynchron 4,5 V ~ 5,5 V. 68-PLCC (24.21x24.21) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0041 250 Flüchtig 72 kbit 25 ns Sram 8k x 9 Parallel 25ns
MT53E1536M32D4DE-046 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DE-046 WT ES: C. 30.2400
RFQ
 ECAD 5215 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 V ~ 1,17 V. 200-TFBGA (10x14,5) - - - 557-MT53E1536M32D4DE-046WTES: c 1 2.133 GHz Flüchtig 48Gbit 3,5 ns Dram 1,5 GX 32 Parallel 18ns
CY7C1474BV33-167BGCT Infineon Technologies CY7C1474BV33-167BGCT - - -
RFQ
 ECAD 6006 0.00000000 Infineon -technologien Nobl ™ Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 209-Bga Cy7C1474 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,6 V. 209-FBGA (14x22) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 500 167 MHz Flüchtig 72Mbit 3.4 ns Sram 1m x 72 Parallel - - -
W25Q16CVZPAG Winbond Electronics W25Q16CVzpag - - -
RFQ
 ECAD 7415 0.00000000 Winbond Electronics Spiflash® Rohr Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad W25Q16 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x5) - - - 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 256-W25Q16CVzpag Veraltet 1 104 MHz Nicht Flüchtig 16mbit 6 ns Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 3 ms
7008L12PF8 Renesas Electronics America Inc 7008L12PF8 - - -
RFQ
 ECAD 3823 0.00000000 Renesas Electronics America Inc. - - - Band & Rollen (TR) Lets Kaufen 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP SRAM - Dual -Port, Asynchron 4,5 V ~ 5,5 V. 100-TQFP (14x14) - - - 800-7008L12PF8TR 1 Flüchtig 512Kbit 12 ns Sram 64k x 8 Parallel 12ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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