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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 5962-8687504UA | - - - |  | 8047 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 800-5962-8687504UA | Veraltet | 1 | ||||||||||||||||||||
 | IS64WV10248EDBLL-10BLA3-TR | 14.8500 | | 7692 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS64WV10248 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 8mbit | 10 ns | Sram | 1m x 8 | Parallel | 10ns | ||||
| S34MS02G104BHV010 | - - - | | 8458 | 0.00000000 | SkyHigh Memory Limited | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | S34MS02 | - - - | ROHS -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 2120-S34MS02G104BHV010 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 210 | Nicht Verifiziert | ||||||||||||||||
 | S34ML04G204BHI010Z | 7.1200 | | 153 | 0.00000000 | Spansion | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
 | AT25DF161-SH-B | - - - | | 6703 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | AT25DF161 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-soic | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 95 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi | 7 µs, 3 ms | ||||
 | W29GL256SH9B | - - - | | 1191 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | W29GL256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-LFBGA (11x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 171 | Nicht Flüchtig | 256mbit | 90 ns | Blitz | 16m x 16 | Parallel | 90ns | ||||
 | IS42S32200E-6TLI | - - - | | 6668 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S32200 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.5 ns | Dram | 2m x 32 | Parallel | - - - | |||
 | IS62WV6416DBLL-45TLI-TR | - - - | | 7637 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS62WV6416 | SRAM - Asynchron | 2,3 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 1Mbit | 45 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 45ns | ||||
 | U62256AS2C07llg1tr | - - - | | 3746 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-Soic (0,330 ", 8,38 mm Breit) | U62256 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-Bünd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 256Kbit | 70 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 70ns | ||||
 | FT24C128A-UTR-B | - - - | | 6110 | 0.00000000 | Fremont Micro Devices Ltd. | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | FT24C128 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V. | 8-tssop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 128Kbit | 550 ns | Eeprom | 16k x 8 | I²c | 5 ms | |||
| MEM-DR464L-HL02-ER32-C | 770.0000 | | 7112 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-MEM-DR464L-HL02-ER32-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | GD25LQ40CEIGR | - - - | | 6319 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | GD25LQ40 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2,1 V. | 8-uson (2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | Blitz | 512k x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | ||||
| S34ML01G200GHI000 | - - - | | 7319 | 0.00000000 | SkyHigh Memory Limited | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | S34ML01 | - - - | ROHS -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 2120-S34ML01G200GHI000 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 260 | Nicht Verifiziert | ||||||||||||||||
| CY7C1019BN-12XC | 0,8300 | | 9192 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - - - | - - - | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | - - - | - - - | 2156-CY7C1019BN-12XC | 26 | Flüchtig | 1Mbit | 12 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 12ns | |||||||||
 | W25Q16JVzpam | - - - | | 7745 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | W25Q16 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x5) | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W25Q16jvzpam | 1 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | 6 ns | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 3 ms | |||||
| MT29F4G01ABBFDM70A3WC1 | 3.5200 | | 2794 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Sterben | MT29F4G01 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V. | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | Nicht Flüchtig | 4Gbit | Blitz | 4g x 1 | Spi | - - - | ||||||
 | W25Q128JVFJM Tr | - - - | | 9255 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | W25Q128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | W25Q128jvfjmtr | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 3 ms | |||
| 520966231566 | - - - | | 9329 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | - - - | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | W25Q32FWXGBQ | - - - | | 5046 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XDFN Exponierte Pad | W25Q32 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-XSON (4x4) | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W25Q32FWXGBQ | Veraltet | 1 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 6 ns | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 60 µs, 5 ms | ||||
 | Mem2800-128u256cf-c | 58.7500 | | 9 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-MEM2800-128U256CF-C | Ear99 | 8473.30.9100 | 1 | |||||||||||||||||||
| W25Q32FWZPIQ | - - - | | 4775 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | W25Q32 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-Wson (6x5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 570 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 60 µs, 5 ms | ||||
 | 70V9199L7PFG | - - - | | 7280 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 70v9199 | SRAM - Dual -Port, Synchron | 3v ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 6 | Flüchtig | 1.125mbit | 7 ns | Sram | 128k x 9 | Parallel | - - - | ||||
| CAT28C65BX-115T | 1.0000 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) | Cat28c65 | Eeprom | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-soic | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-CAT28C65BX-115T-488 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | Nicht Flüchtig | 64Kbit | 150 ns | Eeprom | 8k x 8 | 5 ms | |||||
| IS64WV6416BLL-15TLA3 | 4.5034 | | 4151 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS64WV6416 | SRAM - Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | Flüchtig | 1Mbit | 15 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 15ns | ||||
 | M24C16-wbn6p | - - - | | 3052 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | M24C16 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-Pdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 400 kHz | Nicht Flüchtig | 16Kbit | 900 ns | Eeprom | 2k x 8 | I²c | 5 ms | |||
 | AF016GEC5A-2001A3 | 32.6600 | | 10 | 0.00000000 | ATP Electronics, Inc. | Automobil | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 153-fbga | AF016 | Flash - Nand (PSLC) | 153-BGA (11,5x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1282-AF016GEC5A-2001A3 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 760 | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | EMMC | ||||||
| CG8263AA | - - - | | 9575 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 72 | ||||||||||||||||||
| 70V06S12PFI8 | - - - | | 4147 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-LQFP | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 64-TQFP (14x14) | - - - | 800-70V06S12PFI8TR | 1 | Flüchtig | 128Kbit | 12 ns | Sram | 16k x 8 | Parallel | 12ns | |||||||||
| MT62F1G64D8EK-031 AUT: b | 71.3850 | | 9767 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 441-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1,05 v | 441-tfbga (14x14) | - - - | 557-MT62F1G64D8EK-031AUT: b | 1 | 3,2 GHz | Flüchtig | 64Gbit | Dram | 1g x 64 | Parallel | - - - | |||||||||
 | M29W128FL70N6F TR | - - - | | 3711 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29W128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.200 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 70 ns | Blitz | 16m x 8, 8m x 16 | Parallel | 70ns |
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