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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 24FC02T-E/Q6B36KVAO | - - - |  | 2827 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-UFDFN Exposed Pad | 24FC02 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | 8-udfn (2x3) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-24FC02T-E/Q6B36KVAOTR | Ear99 | 8542.32.0051 | 3.300 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 2kbit | 450 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²c | 5 ms | ||||
 | CY7C1263KV18-400BZC | 58.1800 | | 223 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | Cy7C1263 | SRAM - Synchron, Qdr II+ | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (13x15) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 136 | 400 MHz | Flüchtig | 36Mbit | Sram | 2m x 18 | Parallel | - - - | Nicht Verifiziert | |||||
 | W25R128JVPIQ | 2.1494 | | 2946 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | W25R128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W25R128JVPIQ | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o | 3 ms | |||
 | W25Q32FWSFIG TR | - - - | | 2994 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | W25Q32 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 5.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 60 µs, 5 ms | ||||
 | AS4C4M16SB-6Tin | 2.7179 | | 9444 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | AS4C4M16 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1450-AS4C4M16SB-6Tin | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5 ns | Dram | 4m x 16 | Lvttl | 12ns | ||
 | IS26KS512S-DPBLI00 | - - - | | 7827 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-vbga | IS26KS512 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 1,95 V. | 24-VFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS26KS512S-DPBLI00 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 338 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | 96 ns | Blitz | 64m x 8 | Parallel | - - - | ||
| AT8358H03-iwe1d | - - - | | 4910 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 150-AT8358H03-iwe1dtr | Veraltet | 1.000 | |||||||||||||||||||
| MT61K512M32KPA-24: U Tr | 33.4650 | | 8915 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 180-tfbga | SGRAM - GDDR6 | 1.3095 V ~ 1.3905 V. | 180-FBGA (12x14) | - - - | 557-MT61K512M32KPA-24: UTR | 2.000 | 12 GHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 512 mx 32 | POD_135 | - - - | |||||||||
 | GS882Z36CGD-333I | 41.0300 | | 36 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | GS882Z36 | SRAM - Synchron, ZBT | 2,3 V ~ 2,7 V, 3 V ~ 3,6 V. | 165-FPBGA (13x15) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 2364-GS882Z36CGD-333I | Ear99 | 8542.32.0041 | 36 | 333 MHz | Flüchtig | 9mbit | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | |||
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 | IS61C6416AL-12TLI | 2.4500 | | 4 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS61C6416 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | Flüchtig | 1Mbit | 12 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 12ns | ||||
 | MT47H64M8JN-25E: g | - - - | | 2160 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT47H64M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-FBGA (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 512mbit | 400 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | ||||
 | W25Q32JVzejm | - - - | | 1704 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | W25Q32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (8x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 3 ms | ||||
 | P00926-B21-C | 737,5000 | | 6904 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-P00926-B21-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | HM1-65162B-9 | - - - | | 9058 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Nicht Verifiziert | |||||||||||||||||
 | 70V25L35PFG8 | - - - | | 7061 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 70V25L | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | - - - | 800-70V25L35PFG8TR | Veraltet | 750 | Flüchtig | 128Kbit | 35 ns | Sram | 8k x 16 | Lvttl | 35ns | |||||||
| M30162040108x0pway | 44.9063 | | 1632 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | M30162040108 | MRAM (Magnetoresistiver Ram) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-dfn (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 800-M30162040108x0pway | Ear99 | 8542.32.0071 | 225 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | RAM | 4m x 4 | - - - | - - - | ||||
 | MT55L512Y36ft-11 | 18.6700 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | SRAM - ZBT | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 90 MHz | Flüchtig | 18mbit | 8.5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | ||||
| MX66UW2G345GXRI00 | 27.0600 | | 4223 | 0.00000000 | MACRONIX | - - - | Tablett | Aktiv | - - - | 3 (168 Stunden) | 1092-MX66UW2G345GXRI00 | 480 | |||||||||||||||||||||
| N25Q128A13E1441E | - - - | | 2313 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | N25Q128A13 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-bga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 32m x 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | |||||
 | CY62138CV30LL-55BVI | 1.3400 | | 7166 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MBL® | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 36-VFBGA | Cy62138 | SRAM - Asynchron | 2,7 V ~ 3,3 V. | 36-VFBGA (6x8) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 2mbit | 55 ns | Sram | 256k x 8 | Parallel | 55ns | ||||
| MT62F1G32D2DS-023 AAT: C Tr | 31.9350 | | 2943 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C. | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1,05 v | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | 557-MT62F1G32D2DS-023AAT: CTR | 2.000 | 3,2 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | Parallel | - - - | |||||||||
 | S29GL01GS11DHV020 | 14.6100 | | 260 | 0.00000000 | Infineon -technologien | GL-S | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | S29GL01 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (9x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 260 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 110 ns | Blitz | 64m x 16 | Parallel | 60ns | ||||
| IS43LQ16128AL-062BLI | - - - | | 2173 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 200-VFBGA (10x14,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LQ16128AL-062BLI | 136 | 1,6 GHz | Flüchtig | 2Gbit | 3,5 ns | Dram | 128 MX 16 | LVSTL | 18ns | ||||||
| S25FL116K0XNFV010 | 0,5200 | | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 2156-S25FL116K0XNFV010 | 574 | ||||||||||||||||||||||
| MT29F1T08EELEEJ4-QA: E Tr | 26.4750 | | 8139 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 557-MT29F1T08EELEEJ4-QA: ETR | 2.000 | ||||||||||||||||||||||
| GD25WQ64Sigr | 1.3900 | | 3498 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 2.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 12 ns | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 120 µs, 4 ms | ||||||
 | M95040-RMC6TG | 0,3800 | | 7629 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-UFDFN Exposed Pad | M95040 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V. | 8-UFDFPN (2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 5.000 | 20 MHz | Nicht Flüchtig | 4kbit | Eeprom | 512 x 8 | Spi | 5 ms | ||||
 | R1LP0108SP-5SI#B0 | - - - | | 4458 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-Soic (0,450 ", 11.40 mm Breit) | R1LP0108 | Sram | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-sout | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 55 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 55ns | ||||||
 | A5272865-C | 27.5000 | | 5024 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-A5272865-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 |
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