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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S25FL128LAGNFM010 | 6.8100 |  | 485 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q100, FL-l | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | S25FL128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 490 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o, qpi | - - - | ||||
 | 5962-8866206 | - - - | | 7398 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Lets Kaufen | - - - | 800-5962-8866206 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | CY7C09579V-83AC | 92.2200 | | 4 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Tasche | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-LQFP | CY7C09579 | SRAM - Dual -Port, Synchron | 3v ~ 3,6 V | 144-TQFP (20x20) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 83 MHz | Flüchtig | 1.152Mbit | 6 ns | Sram | 32k x 36 | Parallel | - - - | Nicht Verifiziert | ||||
| 3tk85at-C | 24.2500 | | 2756 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-3TK85AT-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | NM93C86Aln | 0,8300 | | 23 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | NM93C86 | Eeprom | 2,7 V ~ 5,5 V. | 8-DIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 16Kbit | Eeprom | 1k x 16, 2k x 8 | Mikrowire | 10 ms | ||||
 | S25FL164K0XBHI020 | - - - | | 5286 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | FL1-K | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | S25FL164 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-bga (8x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3a991b1a | 8542.32.0051 | 338 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 3 ms | Nicht Verifiziert | |||||
 | W25N01JWZEIG | 3.2194 | | 4762 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | W25N01 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 8-Wson (8x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W25N01JWzeig | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 480 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Spi - quad i/o, dtr | 700 µs | |||
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 | W25Q16FWSSSQ | - - - | | 5868 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | W25Q16 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-soic | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W25Q16FWSSSQ | Veraltet | 1 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | 6 ns | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 60 µs, 3 ms | ||||
 | S34ML02G100TFV003 | 3.0000 | | 10 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | ML-1 | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | S34ML02 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2832-S34ML02G100TFV003 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Parallel | 25ns | ||||||
 | Cat93c66v-te13 | 0,1900 | | 4 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Cat93c66 | Eeprom | 2,5 V ~ 6 V | 8-soic | Herunterladen | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-cat93c66v-te13-488 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 2 MHz | Nicht Flüchtig | 4kbit | 500 ns | Eeprom | 256 x 16, 512 x 8 | Mikrowire | - - - | |||
 | MT25QU256ABA8E12-MAAT | 5.6268 | | 6403 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Flash - Nor (SLC) | 1,7 V ~ 2 V | 24-T-PBGA (6x8) | - - - | 557-MT25QU256ABA8E12-MAAT | 1 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 5 ns | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o | 1,8 ms | ||||||||
| MX29GL256FUXGI-11G | - - - | | 6165 | 0.00000000 | MACRONIX | Mx29gl | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFBGA, CSPBGA | MX29GL256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-FBGA, CSP (7x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 260 | Nicht Flüchtig | 256mbit | 110 ns | Blitz | 32m x 8 | Parallel | 110ns | ||||
| CAV24C16WE-G | - - - | | 1078 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | CAV24C16 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | 8-soic | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 kHz | Nicht Flüchtig | 16Kbit | 900 ns | Eeprom | 2k x 8 | I²c | 5 ms | |||
 | 71321la20j8 | - - - | | 6369 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 52-LCC (J-Lead) | 71321la | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 52-PLCC (19.13x19.13) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 400 | Flüchtig | 16Kbit | 20 ns | Sram | 2k x 8 | Parallel | 20ns | ||||
 | W25Q16JWXHSQ | - - - | | 7664 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | W25Q16 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-XSON (2x3) | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W25Q16JWXHSQ | 1 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | 6 ns | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 3 ms | |||||
 | AT25DQ161-SH-B | - - - | | 1888 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | AT25DQ161 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 95 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi | 7 µs, 3 ms | ||||
 | HM1-6551/883 | 25.4300 | | 1 | 0.00000000 | Intersil | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | K. Loch | 22-CDIP (0,400 ", 10,16 mm) | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 22-cdip | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | 3a001a2c | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1kbit | 300 ns | Sram | 256 x 4 | Parallel | 400 ns | |||||
 | MT29F1G16ABBDAHC: d | - - - | | 1855 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F1G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (10,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 64m x 16 | Parallel | - - - | ||||||
 | S25FL032P0XMFI010M | - - - | | 4680 | 0.00000000 | Infineon -technologien | FL-P | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | S25FL032 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-soic | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 5µs, 3 ms | ||||
| CY14B256Q2-LHXI | 5.7409 | | 2181 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | NVSRAM (NICTFLÜCHTIGES SRAM) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-dfn (5x6) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 308 | 40 MHz | Nicht Flüchtig | 256Kbit | 9 ns | NVSRAM | 32k x 8 | Spi | - - - | ||||||||
 | CY7C1525KV18-250BZXC | 123,9000 | | 149 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | CY7C1525 | SRAM - Synchron, Qdr II | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 136 | 250 MHz | Flüchtig | 72Mbit | Sram | 8m x 9 | Parallel | - - - | Nicht Verifiziert | |||||||
| 70V18L12PF | - - - | | 3927 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Lets Kaufen | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | - - - | 800-70V18L12PF | 1 | Flüchtig | 576Kbit | 12 ns | Sram | 64k x 9 | Lvttl | 12ns | |||||||||
 | IDT71V25761S166PF8 | - - - | | 9660 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IDT71V25761 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x20) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 71V25761S166PF8 | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | 166 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 3,5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | ||
| 7008L20JGI | - - - | | 5241 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-LCC (J-Lead) | 7008L20 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 84-PLCC (29,31 x 29,31) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 9 | Flüchtig | 512Kbit | 20 ns | Sram | 64k x 8 | Parallel | 20ns | ||||
 | S79FL512SDSMFVG00 | 11.3925 | | 7449 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Fl-s | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | S79FL512 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.400 | 80 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - quad i/o | - - - | ||||
| Mem-DR416L-HL01-UN24-C | 150.0000 | | 1510 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-MEM-DR416L-HL01-UN24-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 34AA02-e/p | 0,4350 | | 9413 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 34AA02 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | 8-Pdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 60 | 400 kHz | Nicht Flüchtig | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²c | 5 ms | |||
| MT29F1G08ABADAH4-ITX: D Tr | - - - | | 1993 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | - - - |
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