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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT47H128M8CF-25E: H Tr | - - - |  | 7987 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT47H128M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-FBGA (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 2.000 | 400 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 400 ps | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | |||
 | MT29F4T08EQLEEG8-QB: e | 105.9600 | | 8758 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | 557-MT29F4T08EQLEEG8-QB: e | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | 7130la35p | - - - | | 7455 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | K. Loch | 48-DIP (0,600 ", 15,24 mm) | 7130LA | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-Pdip | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 7 | Flüchtig | 8kbit | 35 ns | Sram | 1k x 8 | Parallel | 35ns | ||||
 | S25FL256LAGBHI020 | - - - | | 8840 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Fl-l | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | S25FL256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-bga (8x6) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2166-S25FL256LAGBHI020-428 | 1 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | - - - | Nicht Verifiziert | |||||
 | CY7C1318KV18-300BZXC | - - - | | 5307 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | Cy7C1318 | SRAM - Synchron, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 680 | 300 MHz | Flüchtig | 18mbit | Sram | 1m x 18 | Parallel | - - - | ||||
| 7130SA100J/2839 | - - - | | 8446 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 52-LCC (J-Lead) | 7130SA | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 52-PLCC (19.13x19.13) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0041 | 24 | Flüchtig | 8kbit | 100 ns | Sram | 1k x 8 | Parallel | 100ns | |||||
 | Ft24c128a-udr-b | - - - | | 2542 | 0.00000000 | Fremont Micro Devices Ltd. | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | FT24C128 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V. | 8-DIP | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 128Kbit | 550 ns | Eeprom | 16k x 8 | I²c | 5 ms | |||
| MT47H64M16NF-25E ES: m | - - - | | 1839 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | MT47H64M16 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-FBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1,368 | 400 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 400 ps | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | |||
| S70FL01GSDPMFV010 | - - - | | 9706 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | 2156-S70FL01GSDPMFV010 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| MT53D4G16D8AL-062 WT: e | - - - | | 1672 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D4G16 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | MT53D4G16D8AL-062WT: e | Veraltet | 1,190 | 1,6 GHz | Flüchtig | 64Gbit | Dram | 4g x 16 | - - - | - - - | ||||||||
 | 71V67703S75BG8 | 26.1188 | | 9680 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 119-Bga | 71v67703 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 119-PBGA (14x22) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | 117 MHz | Flüchtig | 9mbit | 7,5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | |||
 | MT58L512L18FS-8.5 | 5.9400 | | 17 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | SRAM - Standard | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 500 | 100 MHz | Flüchtig | 8mbit | 8.5 ns | Sram | 512k x 18 | Parallel | - - - | ||||
| MT29F2T08EMLEEJ4-QJ: e | 52.9800 | | 8773 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | 557-mt29f2t08emleej4-QJ: e | 1 | ||||||||||||||||||||||
| M3032316035NX0iBCY | 125.3400 | | 129 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 48-lfbga | M3032316035 | MRAM (Magnetoresistiver Ram) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-FBGA (10x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 800-M3032316035NX0IBCY | Ear99 | 8542.32.0071 | 168 | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 35 ns | RAM | 2m x 16 | Parallel | 35ns | |||
 | PC28F00AG18ff TR | - - - | | 1552 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | PC28F00A | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 64 EasyBga (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 96 ns | Blitz | 64m x 16 | Parallel | 96ns | ||||
 | P19044-K21-C | 835.0000 | | 7374 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-P19044-K21-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | Fm24c09ulzemt8x | 0,4000 | | 2 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | FM24C09 | Eeprom | 2,7 V ~ 4,5 V. | 8-tssop | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 100 kHz | Nicht Flüchtig | 8kbit | 3,5 µs | Eeprom | 1k x 8 | I²c | 15 ms | |||
| CY7C1312CV18-250BZI | - - - | | 7852 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | Cy7C1312 | SRAM - Synchron, Qdr II | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (13x15) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 136 | 250 MHz | Flüchtig | 18mbit | Sram | 1m x 18 | Parallel | - - - | ||||
 | CY7C1021B-12VXCT | - - - | | 4375 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | Cy7C1021 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 44-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | Flüchtig | 1Mbit | 12 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 12ns | ||||
 | CY7C1399B-20ZCT | 0,6600 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-tssop (0,465 ", 11.80 mm Breit) | Cy7C1399 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 28-tsop i | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.500 | Flüchtig | 256Kbit | 20 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 20ns | ||||
 | IS43LR32640A-5BL-TR | 11.7150 | | 6848 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-LFBGA | IS43LR32640 | SDRAM - DDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-WBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.500 | 200 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 5 ns | Dram | 64m x 32 | Parallel | 15ns | |||
 | 24AAA32AFT-I/OT | 0,4400 | | 7608 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | 24AA32 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | SOT-23-5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 400 kHz | Nicht Flüchtig | 32Kbit | 900 ns | Eeprom | 4k x 8 | I²c | 5 ms | |||
| M29W800FB7AN6F TR | - - - | | 6098 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29W800 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 70 ns | Blitz | 1m x 8, 512k x 16 | Parallel | 70ns | |||||
| 5962-8866201 | - - - | | 5673 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Lets Kaufen | - - - | 800-5962-8866201 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | MT46V64M8P-5B L es: f | - - - | | 1307 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V64M8 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | |||
| IS26KS256S-DPBLA300-TR | - - - | | 4201 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | - - - | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | M24C32S-FCU6T/T | - - - | | 7569 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, WLCSP | M24C32 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | 4-WLCSP | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-15027-2 | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 32Kbit | 650 ms | Eeprom | 4k x 8 | I²c | 5 ms | ||
| CY7C15632KV18-500BZC | - - - | | 8027 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | CY7C15632 | SRAM - Synchron, Qdr II+ | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (13x15) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 136 | 500 MHz | Flüchtig | 72Mbit | Sram | 4m x 18 | Parallel | - - - | ||||
 | 70121S55J | - - - | | 9971 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 52-LCC (J-Lead) | 70121S55 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 52-PLCC (19.13x19.13) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 24 | Flüchtig | 18Kbit | 55 ns | Sram | 2k x 9 | Parallel | 55ns | ||||
| MT62F2G64D8EK-023 AAT: B Tr | 126.4350 | | 9278 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C. | Oberflächenhalterung | 441-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1,05 v | 441-tfbga (14x14) | - - - | 557-MT62F2G64D8EK-023AAT: BTR | 2.000 | 4,266 GHz | Flüchtig | 128Gbit | Dram | 2g x 64 | Parallel | - - - |
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