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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 731765-B21-C | 112,5000 |  | 1495 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-731765-B21-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| 71V016SA10BFGI | 6.8100 | | 5975 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-lfbga | 71v016 | SRAM - Asynchron | 3,15 V ~ 3,6 V. | 48-cabga (7x7) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 476 | Flüchtig | 1Mbit | 10 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 10ns | ||||
| RM24C64BF-7-GCSI-T | - - - | | 1123 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, WLCSP | RM24C64 | Eeprom | 1,65 V ~ 2,2 V. | 4-WLCSP (0,75x0,75) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 8542.32.0051 | 10.000 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 64Kbit | Eeprom | 8k x 8 | I²c | 500 µs | ||||
| MT53E1G64D4HJ-046 WT: a | 47.4300 | | 3713 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | 557-MT53E1G64D4HJ-046WT: a | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | CY7C1415BV18-167BZC | 44.8600 | | 433 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | Cy7C1415 | SRAM - Synchron, Qdr II | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (15x17) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 7 | 167 MHz | Flüchtig | 36Mbit | Sram | 1m x 36 | Parallel | - - - | Nicht Verifiziert | |||||
| Cy62136ev30ll-45zsxi | - - - | | 3383 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MBL® | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | Cy62136 | SRAM - Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | Rohs Nick Konform | Nicht Anwendbar | Verkäfer undefiniert | 42 | Flüchtig | 2mbit | 45 ns | Sram | 128k x 16 | Parallel | 45ns | Nicht Verifiziert | |||||
 | MT46H64M32LFMA-5 ES: a | - - - | | 9449 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 168-WFBGA | MT46H64M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 168-WFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 5 ns | Dram | 64m x 32 | Parallel | 15ns | ||||
 | 24lc02bh-e/sn | 0,3900 | | 5108 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | 24LC02BH | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | Nicht Flüchtig | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²c | 5 ms | |||
| 28076665 a | - - - | | 1322 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
 | 7005L35PFG | - - - | | 1944 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-LQFP | 7005L35 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 64-TQFP (14x14) | - - - | 800-7005L35PFG | Veraltet | 1 | Flüchtig | 64Kbit | 35 ns | Sram | 8k x 8 | Parallel | 35ns | |||||||
 | CY7C1354C-200BGC | - - - | | 5155 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Nobl ™ | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 119-Bga | Cy7C1354 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V. | 119-PBGA (14x22) | - - - | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 84 | 200 MHz | Flüchtig | 9mbit | 3.2 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | |||
| CY7C1051H30-10ZSXE | 17.6491 | | 7857 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | SRAM - Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1,350 | Flüchtig | 8mbit | 10 ns | Sram | 512k x 16 | Parallel | 10ns | ||||||||
 | CY7C1370DV25-167AXC | 30.0700 | | 924 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Nobl ™ | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | CY7C1370 | SRAM - Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2,625 V. | 100-TQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 10 | 167 MHz | Flüchtig | 18mbit | 3.4 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | Nicht Verifiziert | ||||
 | AT45DB041D-SU-SL954 | - - - | | 9997 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | AT45DB041 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-soic | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 66 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | Blitz | 256 Bytes x 2048 Sitzen | Spi | 4 ms | ||||||
 | IS42VM16400K-75BLI | - - - | | 6228 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS42VM16400 | Sdram - Mobil | 1,7 V ~ 1,95 V. | 54-TFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 133 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 6 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | - - - | |||
| IS43LD32128C-18BPLI-TR | 11.5650 | | 7355 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43LD32128C-18BPLI-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.500 | |||||||||||||||||
 | IDT71V416YL15PHI | - - - | | 4694 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IDT71V416 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 44-tsop II | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 71v416yl15phi | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 26 | Flüchtig | 4mbit | 15 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 15ns | |||
| S34MS02G200GHI000 | - - - | | 7262 | 0.00000000 | SkyHigh Memory Limited | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | S34MS02 | - - - | ROHS -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 2120-S34MS02G200GHI000 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 260 | Nicht Verifiziert | ||||||||||||||||
| 713985-S21-C | 58,5000 | | 6264 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-713985-S21-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| AS6C4008-55PCNTR | 4.3451 | | 4072 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | K. Loch | 32 Dip (0,600 ", 15,24 mm) | SRAM - Asynchron | 2,7 V ~ 5,5 V. | 32-Pdip | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 1450-AS6C4008-55PCNTR | 1.000 | Flüchtig | 4mbit | 55 ns | Sram | 512k x 8 | Parallel | 55ns | ||||||||
 | MT40A4G4DVN-062H: e | - - - | | 9411 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT40A4G4 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (7,5x11) | Herunterladen | 557-MT40A4G4DVN-062H: e | Veraltet | 8542.32.0071 | 210 | 1,6 GHz | Flüchtig | 16gbit | 27 ns | Dram | 4g x 4 | Parallel | - - - | |||||
 | S25FL256SAGNFI001 | 5.4100 | | 4 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Fl-s | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | S25FL256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 82 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o | - - - | ||||
| MT29F2T08EMLEEJ4-M: E Tr | 42.9300 | | 6788 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-M: ETR | 2.000 | ||||||||||||||||||||||
| S34ML01G100BHB003 | - - - | | 5919 | 0.00000000 | SkyHigh Memory Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | S34ML01 | - - - | ROHS -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 2120-S34ML01G100BHB003 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.300 | Nicht Verifiziert | ||||||||||||||||
 | W25Q32FVTCAQ | - - - | | 8760 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | W25Q32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (8x6) | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W25Q32FVTCAQ | Veraltet | 1 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 7 ns | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 50 µs, 3 ms | ||||
 | IS61LPS25618A-200TQI-TR | - - - | | 4433 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61LPS25618 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 3.1 ns | Sram | 256k x 18 | Parallel | - - - | |||
 | W25Q64CVzpsg | - - - | | 4980 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | W25Q64 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x5) | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W25Q64CVzpsg | Veraltet | 1 | 80 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 6 ns | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 3 ms | ||||
 | CAT25C08SE-26671 | 0,1400 | | 2 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | CAT25C08 | Eeprom | 2,5 V ~ 6 V | 8-soic | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 10 MHz | Nicht Flüchtig | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | Spi | 5 ms | ||||
| PC28F256P33BFE | 6.9000 | | 3742 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | Axcell ™ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | Flash - Nor (MLC) | 2,3 V ~ 3,6 V. | 64-lbga (11x13) | - - - | 3 (168 Stunden) | 1450-PC28F256P33BFE | 300 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 95 ns | Blitz | 16m x 16 | CFI | 95ns | |||||||
| MT53E512M64D4HJ-046 WT: d | - - - | | 3117 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Veraltet | - - - | 557-MT53E512M64D4HJ-046WT: d | Veraltet | 1 |
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