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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IDT71V256SA20YI | - - - |  | 2082 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm Breit) | IDT71V256 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 28-soj | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 71V256SA20YI | Ear99 | 8542.32.0041 | 27 | Flüchtig | 256Kbit | 20 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 20ns | |||
 | NDL28PFH-9MIT TR | - - - | | 7570 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-VFBGA | NDL28 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-FBGA (8x10.5) | - - - | 1982-NDL28PFH-9MITTR | Veraltet | 2.000 | 933 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 8 | Parallel | 15ns | ||||||
 | IDT71V25761YSA166BQI | - - - | | 2831 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IDT71V25761 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 165-cabga (13x15) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 71V25761YSA166BQI | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 136 | 166 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 3,5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | ||
| MT40A4G4JC-062E: E Tr | - - - | | 2678 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (9x11) | Herunterladen | 557-MT40A4G4JC-062E: ETR | Veraltet | 2.000 | 1,6 GHz | Flüchtig | 16gbit | 19 ns | Dram | 4g x 4 | Pod | 15ns | |||||||
 | IS62WV10248BLL-55BLI-TR | 6.1800 | | 5950 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS62WV10248 | SRAM - Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V. | 48-minibga (7,2x8,7) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 8mbit | 55 ns | Sram | 1m x 8 | Parallel | 55ns | ||||
 | MX25LW51245GXDI00 | 7.4700 | | 7426 | 0.00000000 | MACRONIX | Octabus ™ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-TBGA, CSPBGA | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-CSPBGA (6x8) | - - - | 3 (168 Stunden) | 1092-MX25LW51245GXDI00 | 480 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | 5.2 ns | Blitz | 64 mx 8, 512m x 1 | Spi - oktal i/o, dtr | 750 µs | |||||||
| 70V3569S4BFG8 | 106.0450 | | 4306 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 208-LFBGA | 70v3569 | SRAM - Dual -Port, Synchron | 3,15 V ~ 3,45 V. | 208-Cabga (15x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 576Kbit | 4.2 ns | Sram | 16k x 36 | Parallel | - - - | ||||
| 71V256SA15YGI8 | - - - | | 6238 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm Breit) | 71V256 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 28-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 256Kbit | 15 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 15ns | ||||
 | MT29F256G08CEABH6-12it: a Tr | - - - | | 1802 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 152-VBGA | MT29F256G08 | Blitz - Nand (MLC) | 2,5 V ~ 3,6 V. | 152-VBGA (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | Parallel | - - - | |||||
| MTFC32GAPALGT-AIT | - - - | | 3412 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | MTFC32G | Flash - Nand | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MTFC32Gapalgt-Mait | 8542.32.0071 | 1.520 | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | MMC | - - - | ||||||||
 | CY7C1020BN-12ZXC | - - - | | 1265 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | CY7C1020 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | Flüchtig | 512Kbit | 12 ns | Sram | 32k x 16 | Parallel | 12ns | Nicht Verifiziert | |||||
 | CY7C037V-20AXC | - - - | | 1998 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | CY7C037 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 90 | Flüchtig | 576Kbit | 20 ns | Sram | 32k x 18 | Parallel | 20ns | ||||
| CG6059att | - - - | | 3615 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1 | ||||||||||||||||||||
 | TN28F010-120-G | - - - | | 2602 | 0.00000000 | Rochester Electronics, LLC | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||||
 | IS45S16320F-7BLA2 | 15.8813 | | 1049 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS45S16320 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-TW-BGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 143 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 32m x 16 | Parallel | - - - | |||
 | AS4C256M8D3LA-12BIN | - - - | | 4481 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-VFBGA | AS4C256 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-FBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 800 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 8 | Parallel | 15ns | |||
 | 25lc020at-e/ot | 0,5700 | | 1010 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | 25lc020 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | SOT-23-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 10 MHz | Nicht Flüchtig | 2kbit | Eeprom | 256 x 8 | Spi | 5 ms | ||||
| MT62F768M64D4EK-023 AAT: b | 47.8950 | | 5053 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Kasten | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | 441-tfbga | MT62F768 | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - - - | 441-tfbga (14x14) | - - - | 557-MT62F768M64D4EK-023AAT: b | 1 | 4,266 GHz | Flüchtig | 48Gbit | Dram | 768m x 64 | Parallel | - - - | ||||||||
| IDT71V3556S100BQI | - - - | | 9271 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IDT71V3556 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 3,135 V ~ 3,465V | 165-cabga (13x15) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 71V3556S100BQI | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 136 | 100 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | ||
 | MT29AZ5A3ChHWD-18AAT.84F | - - - | | 5765 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 162-VFBGA | MT29AZ5A3 | Flash - NAND, Mobile LPDRam | 1,7 V ~ 1,9 V. | 162-VFBGA (10,5x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.440 | 533 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 4Gbit (NAND), 8GBIT (LPDDR2) | Blitz, Ram | 512 MX 8 (NAND), 512 MX 16 (LPDDR2) | Parallel | - - - | ||||
| CG7442AF | - - - | | 8604 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1 | ||||||||||||||||||||
| S25FL064LABMFA000 | - - - | | 5119 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | 2156-S25FL064LABMFA000 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | CY62128DV30LL-70Zaxi | 2.1700 | | 269 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MBL® | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-TFSOP (0,465 ", 11.80 mm Breit) | Cy62128 | SRAM - Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V. | 32-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 70 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 70ns | ||||
 | M29F800FB5AN6F2 | 4.4100 | | 14 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29F800 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 55 ns | Blitz | 1m x 8, 512k x 16 | Parallel | 55ns | ||||
 | A1544901-C | 17.5000 | | 6772 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-A1544901-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 70V7519S133BCI8 | 236.6390 | | 1668 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 256-lbga | 70V7519 | SRAM - Dual -Port, Synchron | 3,15 V ~ 3,45 V. | 256-Cabga (17x17) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 4 (72 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 9mbit | 4.2 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | |||
| 93LC56C-I/WF15K | - - - | | 8329 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Sterben | 93LC56 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 5.000 | 3 MHz | Nicht Flüchtig | 2kbit | Eeprom | 256 x 8, 128 x 16 | Mikrowire | 6 ms | ||||
 | Th58nyg2s3hbai6 | 6.3600 | | 1403 | 0.00000000 | Kioxia America, Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-Bga | Th58nyg2 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-bga (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 210 | Nicht Flüchtig | 4Gbit | Blitz | 512 MX 8 | Parallel | 25ns | |||||
| CAT24C32C4CTR | 0,4500 | | 4 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, WLCSP | CAT24C32 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | 4-WLCSP (0,77x0,77) | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-cat24c32c4ctr | Ear99 | 8542.32.0071 | 675 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 32Kbit | 400 ns | Eeprom | 4k x 8 | I²c | 5 ms | |||
| GD25LQ128EWIGR | 2.3000 | | 3 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | GD25LQ128 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2 V | 8-Wson (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | 7 ns | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o | 60 µs, 2,4 ms |
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