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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29VZZZZ7D7DQKWL-053 W.97Y | - - - |  | 8595 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Veraltet | Oberflächenhalterung | MT29VZZZ7 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.520 | ||||||||||||||||||
 | AF032GEC5A-2001A2 | 63.7900 | | 16 | 0.00000000 | ATP Electronics, Inc. | Automobil | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C. | Oberflächenhalterung | 153-fbga | AF032 | Flash - Nand (PSLC) | 153-BGA (11,5x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1282-AF032GEC5A-2001A2 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 760 | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | EMMC | ||||||
 | DS1345WP-100ind+ | 29.0375 | | 4532 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrierert | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 34 -PowerCap ™ -modul | DS1345W | NVSRAM (NICTFLÜCHTIGES SRAM) | 3v ~ 3,6 V | 34-PowerCap-Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 40 | Nicht Flüchtig | 1Mbit | 100 ns | NVSRAM | 128k x 8 | Parallel | 100ns | ||||
| EN-20 128 GB I-GRADE | - - - | | 8925 | 0.00000000 | Swissbit | - - - | Schüttgut | Aktiv | En-20 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | EN-2012228GBI-Grad | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
| NM4081H0HA15J68E | - - - | | 8644 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 136 | |||||||||||||||||||
| MT29F8T08EWLEEM5-QJ: e | 211.8900 | | 2417 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | 557-MT29F8T08EWLEEM5-QJ: e | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | MB85RS2MTYPNF-G-AWERE2 | 4.9893 | | 7304 | 0.00000000 | Kaga Fei America, Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MB85RS2 | Fram (Ferroelektrischer Ram) | 1,8 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.500 | 50 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | Fram | 256k x 8 | Spi | - - - | |||||
 | IS43R16800E-5TLI-TR | 2.4388 | | 1681 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS43R16800 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 200 MHz | Flüchtig | 128mbit | 700 ps | Dram | 8m x 16 | Parallel | 15ns | |||
 | CY62137VNLL-70ZSXA | 4.9100 | | 4 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MBL® | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | Cy62137 | SRAM - Asynchron | 2,7 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 62 | Flüchtig | 2mbit | 70 ns | Sram | 128k x 16 | Parallel | 70ns | Nicht Verifiziert | |||||
 | MT53E384M32D2DS-046 AUT: E Tr | 13.5900 | | 1483 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53E384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | MT53E384M32D2DS-046AUT: ETR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 2.133 GHz | Flüchtig | 12gbit | Dram | 384m x 32 | - - - | - - - | |||
| CG8402AAT | - - - | | 2624 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | ||||||||||||||||||
 | N02L63W3AT25i | - - - | | 4478 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | N02L63 | SRAM - Asynchron | 2,3 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 766-1035 | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 135 | Flüchtig | 2mbit | 55 ns | Sram | 128k x 16 | Parallel | 55ns | ||||
| 815102-H21-C | 2.0000 | | 6866 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-815102-H21-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| P19043-K21-C | 230.0000 | | 4770 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-P19043-K21-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | CY7C024-55JXCT | - - - | | 2948 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-LCC (J-Lead) | Cy7C024 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 84-PLCC (29,31 x 29,31) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 250 | Flüchtig | 64Kbit | 55 ns | Sram | 4k x 16 | Parallel | 55ns | ||||
 | IS61NVP204818B-200TQLI-TR | 69.6500 | | 7574 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61NVP204818 | SRAM - Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2,625 V. | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 3.1 ns | Sram | 2m x 18 | Parallel | - - - | |||
 | S25FL512SAGMFAR13 | 9.8700 | | 9229 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Fl-s | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | S25FL512 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.450 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - quad i/o | - - - | ||||
| MTFC64GASAONS-AIT TR | 37.6950 | | 7973 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q104 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 153-tfbga | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 153-TFBGA (11,5x13) | - - - | 557-MTFC64Gasaons-Aittr | 2.000 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 512Gbit | Blitz | 64g x 8 | UFS2.1 | - - - | |||||||||
 | Upd46185182bf1-e40y-eq1-a | 42.0700 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
 | CAT24C256XI | - - - | | 3989 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | Cat24C256 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V. | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 94 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 256Kbit | 500 ns | Eeprom | 32k x 8 | I²c | 5 ms | ||||
 | R1LP5256ESA-7SR#B0 | 3.6000 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-tssop (0,465 ", 11.80 mm Breit) | R1LP5256 | Sram | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 256Kbit | 70 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 70ns | ||||||
| MT53E4G32D8GS-046 WT ES: C Tr | 127.0200 | | 5172 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -25 ° C ~ 85 ° C. | - - - | - - - | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - - - | - - - | - - - | 557-MT53E4G32D8GS-046WTES: CTR | 2.000 | 2.133 GHz | Flüchtig | 128Gbit | Dram | 4g x 32 | Parallel | - - - | |||||||||
 | MT29F128G08CCCCBH2-12: c | - - - | | 3529 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100 TBGA | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100-TBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | Parallel | - - - | |||||
 | CY7C0831V-167AC | 41.9300 | | 264 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 120-LQFP | CY7C0831 | SRAM - Dual -Port, Synchron | 3,135 V ~ 3,465V | 120-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | Flüchtig | 2mbit | Sram | 128k x 18 | Parallel | - - - | ||||
 | 71V3577S80BQI | - - - | | 9610 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | 71v3577 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 165-cabga (13x15) | Herunterladen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 8 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | ||||||
| SST26VF064B-104I/WF70S | - - - | | 6517 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | SST26 SQI® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Sterben | SST26VF064 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | Wafer | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 5.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 1,5 ms | |||||
 | MTFC32GAZAQHD-IT TR | 15.7800 | | 1150 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-VFBGA | MTFC32G | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 153-VFBGA (11,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-mtfc32Gazaqhd-ittr | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | EMMC | - - - | |||
| 7024L55GM | - - - | | 8604 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 800-7024L55GM | Veraltet | 1 | ||||||||||||||||||||
 | W632GG8MB-12 Tr | - - - | | 6514 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-VFBGA | W632GG8 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 78-VFBGA (10,5x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 800 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | - - - | |||
| Cat93C56SI-1.8Te13 | 0,0600 | | 24 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Cat93C56 | Eeprom | 1,8 V ~ 6 V | 8-soic | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 2156-CAT93C56SI-1.8TE13-488 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 2 MHz | Nicht Flüchtig | 2kbit | 250 ns | Eeprom | 128 x 16, 256 x 8 | Mikrowire | - - - |
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