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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 7026L12JI8 | - - - |  | 1542 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-LCC (J-Lead) | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 84-PLCC (29,31 x 29,31) | - - - | 800-7026L12JI8TR | 1 | Flüchtig | 256Kbit | 12 ns | Sram | 16k x 16 | Parallel | 12ns | |||||||||
 | CYDMX064A16-90BVXI | 6.9400 | | 3 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-VFBGA | Cydmx | SRAM - Dual Port, MOBL | 1,8 V ~ 3,3 V. | 100-VFBGA (6x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8542.32.0041 | 44 | Flüchtig | 64Kbit | 90 ns | Sram | 4k x 16 | Parallel | 90ns | Nicht Verifiziert | |||||
 | MTFC32GAPALBH-AAT ES TR | - - - | | 6376 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-tfbga | MTFC32G | Flash - Nand | - - - | 153-TFBGA (11,5x13) | - - - | 1 (unbegrenzt) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | MMC | - - - | |||||||
 | IDT70V7319S166DD | - - - | | 6687 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-LQFP Exposed Pad | IDT70V7319 | SRAM - Dual -Port, Synchron | 3,15 V ~ 3,45 V. | 144-TQFP (20x20) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 70V7319S166DD | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 6 | 166 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 3.6 ns | Sram | 256k x 18 | Parallel | - - - | ||
| 647873-B21-C | 36.2500 | | 4729 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-647873-B21-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| NDS38PT5-20ET TR | 2.4786 | | 9428 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 1982-NDS38PT5-20ettr | 1.000 | ||||||||||||||||||||
| MT53D2G32D8QD-053 WT ES: e | - - - | | 5666 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D2G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.360 | 1.866 GHz | Flüchtig | 64Gbit | Dram | 2g x 32 | - - - | - - - | |||||||||
| MT29F4T08GMLCEJ4: c | 78.1500 | | 4679 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | 557-MT29F4T08GMLCEJ4: c | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | FM24C128LN | 0,6000 | | 1 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | FM24C128 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-DIP | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | Nicht Flüchtig | 128Kbit | 3,5 µs | Eeprom | 16k x 8 | I²c | 6 ms | |||
 | CY62157G18-55BVXI | 13.1075 | | 1410 | 0.00000000 | Infineon -technologien | MBL® | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-VFBGA | Cy62157 | SRAM - Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V. | 48-VFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 8mbit | 55 ns | Sram | 512k x 16 | Parallel | 55ns | ||||
 | T0H92AA-C | 41.0000 | | 9618 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-T0H92AA-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 7134SA55J | - - - | | 3726 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 52-LCC (J-Lead) | 7134SA | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 52-PLCC (19.13x19.13) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 24 | Flüchtig | 32Kbit | 55 ns | Sram | 4k x 8 | Parallel | 55ns | ||||
 | IS43DR16128C-3DBLI | 11.9772 | | 2240 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | IS43DR16128 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-TWBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-1569 | Ear99 | 8542.32.0036 | 209 | 333 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 450 ps | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | ||
 | MT25TL512BAA1ESF-0AAT | - - - | | 9864 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | MT25TL512 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-Sop2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | |||||
 | S29PL064J70BFW072 | 5.8150 | | 2527 | 0.00000000 | Infineon -technologien | PL-J | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-VFBGA | S29PL064 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-FBGA (9x7) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 800 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Blitz | 4m x 16 | Parallel | 70ns | ||||
| 7018S12PF | - - - | | 2647 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Lets Kaufen | - - - | 800-7018S12PF | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | IS45S32200L-7BLA2 | 6.3035 | | 3933 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS45S32200 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.4 ns | Dram | 2m x 32 | Parallel | - - - | |||
| SNPVT8FPC/4G-C | 19.7500 | | 3994 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-SNPVT8FPC/4G-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| MT53D6DABE-DC | - - - | | 2172 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1.360 | |||||||||||||||||||||
 | MT46H32M16LFBF-5 IT: C Tr | 5.6600 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-VFBGA | MT46H32M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 60-VFBGA (8x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5 ns | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | |||
 | AS7C256A-20JCNTR | 2.2706 | | 8595 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm Breit) | AS7C256 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 256Kbit | 20 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 20ns | ||||
 | S29GL512T11DHV023 | 10.1850 | | 8999 | 0.00000000 | Infineon -technologien | GL-t | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | S29GL512 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (9x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.200 | Nicht Flüchtig | 512mbit | 110 ns | Blitz | 64m x 8 | Parallel | 60ns | ||||
 | 71V67703S75BG | 26.1188 | | 9916 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 119-Bga | 71v67703 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 119-PBGA (14x22) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 84 | 117 MHz | Flüchtig | 9mbit | 7,5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | |||
 | MT29F64G08CBCBBH1-10: B Tr | - - - | | 1687 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-vbga | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100-VBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | Parallel | - - - | ||||
 | 48L256-i/sn | - - - | | 2449 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | 48L256 | Eeprom, Sram | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 150-48L256-i/sn | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 66 MHz | Nicht Flüchtig | 256Kbit | Eeram | 32k x 8 | Spi | - - - | ||||
 | IS42S32800J-6TL | 6.9700 | | 661 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S32800 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | - - - | |||
 | IDT71V256SA20YI | - - - | | 2082 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm Breit) | IDT71V256 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 28-soj | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 71V256SA20YI | Ear99 | 8542.32.0041 | 27 | Flüchtig | 256Kbit | 20 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 20ns | |||
| MT40A4G4JC-062E: E Tr | - - - | | 2678 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (9x11) | Herunterladen | 557-MT40A4G4JC-062E: ETR | Veraltet | 2.000 | 1,6 GHz | Flüchtig | 16gbit | 19 ns | Dram | 4g x 4 | Pod | 15ns | |||||||
 | IS62WV10248BLL-55BLI-TR | 6.1800 | | 5950 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS62WV10248 | SRAM - Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V. | 48-minibga (7,2x8,7) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 8mbit | 55 ns | Sram | 1m x 8 | Parallel | 55ns | ||||
 | MX25LW51245GXDI00 | 7.4700 | | 7426 | 0.00000000 | MACRONIX | Octabus ™ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-TBGA, CSPBGA | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-CSPBGA (6x8) | - - - | 3 (168 Stunden) | 1092-MX25LW51245GXDI00 | 480 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | 5.2 ns | Blitz | 64 mx 8, 512m x 1 | Spi - oktal i/o, dtr | 750 µs |
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